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조성이 주기적으로 변하는 복수의 질화물층을 포함하는 초격자층을 형성하는 단계;상기 초격자층의 복수의 질화물층 중 적어도 연속되는 두 개의 질화물층이 노출되게 전극 형성부를 형성하는 단계;상기 초격자층의 전극 형성부에 전극을 형성하는 단계;를 포함하며,상기 전극 형성부를 형성하는 단계는,상기 전극 형성부가 형성될 부분을 제외하고 상기 초격자층의 상부에 금속 마스크를 형성하는 금속 마스크 형성 단계;상기 금속 마스크와 상기 전극 형성부로 형성될 부분을 포함한 상기 초격자층의 상부에 포토레지스트 마스크를 형성하되, 상기 포토레지스트 마스크는 상기 금속 마스크를 덮도록 일정한 두께로 형성되고, 상기 전극 형성부가 형성될 부분의 상부가 경사면, 요홈 또는 계단면으로 형성되는 포토레지스트 마스크 형성 단계;상기 금속 마스크를 식각 마스크로 한 건식 식각 공정으로 상기 포토레지스트 마스크와, 상기 금속 마스크 외측의 초격자층 부분을 제거하여 상기 전극 형성부를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 전극은 n형 또는 p형 중에 하나이고,상기 초격자층은 상기 전극 형성부에 형성되는 전극의 타입과 동일하게 상기 복수의 질화물층이 도핑되는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자의 제조 방법
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제2항에 있어서, 상기 초격자층을 형성하는 단계는,도핑된 제1 질화물층을 형성하는 단계;상기 제1 질화물층 위에 다른 조성을 갖는 제2 질화물층을 형성하는 단계;를 포함하며,상기 제1 질화물층을 형성하는 단계와 상기 제2 질화물층을 형성하는 단계를 교대로 진행하여 상기 초격자층을 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자의 제조 방법
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제3항에 있어서,상기 제1 및 제2 질화물층은 도핑된 AlxGayIn1-x-yN(0≤x, 0≤y, x+y≤1)의 소재로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 전극 형성부를 형성하는 단계에서,상기 초격자층의 전극 형성부는,상기 포토레지스트 마스크의 전극 형성부가 형성될 부분에 대응되게 경사면, 요홈 또는 계단면으로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자의 제조 방법
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p형 전극 및 n 전극을 포함하는 질화물계 반도체 발광 소자의 제조 방법에 있어서,조성이 주기적으로 변하는 복수의 질화물층을 포함하는 초격자층을 형성하는 단계;상기 초격자층의 복수의 질화물층 중 적어도 연속되는 두 개의 질화물층이 노출되게 전극 형성부를 형성하는 단계;상기 초격자층의 전극 형성부에 상기 p형 전극 및 n 전극 중에 하나를 형성하는 단계;를 포함하며,상기 전극 형성부를 형성하는 단계는,상기 전극 형성부가 형성될 부분을 제외하고 상기 초격자층의 상부에 금속 마스크를 형성하는 금속 마스크 형성 단계;상기 금속 마스크와 상기 전극 형성부로 형성될 부분을 포함한 상기 초격자층의 상부에 포토레지스트 마스크를 형성하되, 상기 포토레지스트 마스크는 상기 금속 마스크를 덮도록 일정한 두께로 형성되고, 상기 전극 형성부가 형성될 부분의 상부가 경사면, 요홈 또는 계단면으로 형성되는 포토레지스트 마스크 형성 단계;상기 금속 마스크를 식각 마스크로 한 건식 식각 공정으로 상기 포토레지스트 마스크와, 상기 금속 마스크 외측의 초격자층 부분을 제거하여 상기 전극 형성부를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자의 제조 방법
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베이스 기판 위에 질화물계의 버퍼층을 형성하는 단계;상기 버퍼층 위에 n형 또는 p형 중의 하나의 질화물계 제1 반도체 그룹층을 형성하는 단계;상기 제1 반도체 그룹층 위에 질화물계의 활성층을 형성하는 단계;상기 활성층 위에 상기 제1 반도체 그룹층과 다른 타입의 질화물계 제2 반도체 그룹층을 형성하는 단계;상기 제2 반도체 그룹층, 상기 활성층의 일부를 제거하여 상기 활성층 밖으로 상기 제1 반도체 그룹층의 일부를 노출시키는 단계;상기 활성층 밖으로 노출된 상기 제1 반도체 그룹층 위에 제1 전극을 형성하는 단계;상기 제2 반도체 그룹층 위에 제2 전극을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 제1 또는 제2 반도체 그룹층을 형성하는 단계는,조성이 주기적으로 변하는 복수의 질화물층을 포함하는 초격자층을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 노출시키는 단계 또는 상기 제2 반도체 그룹층을 형성하는 단계는,상기 초격자층의 복수의 질화물층 중 적어도 연속되는 두 개의 질화물층이 노출되며, 상기 제1 또는 제2 전극이 형성될 전극 형성부를 형성하는 단계;를 포함하고,상기 전극 형성부를 형성하는 단계는,상기 전극 형성부가 형성될 부분을 제외하고 상기 제2 반도체 그룹층의 상부에 금속 마스크를 형성하는 금속 마스크 형성 단계;상기 금속 마스크와 상기 전극 형성부로 형성될 부분을 포함한 상기 초격자층의 상부에 포토레지스트 마스크를 형성하되, 상기 포토레지스트 마스크는 상기 금속 마스크를 덮도록 일정한 두께로 형성되고, 상기 전극 형성부가 형성될 부분의 상부가 경사면, 요홈 또는 계단면으로 형성되는 포토레지스트 마스크 형성 단계;상기 금속 마스크를 식각 마스크로 한 건식 식각 공정으로 상기 포토레지스트 마스크와, 상기 금속 마스크 외측의 초격자층 부분을 제거하여 상기 전극 형성부를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자의 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 초격자층은 상기 전극 형성부에 형성되는 전극의 타입과 동일하게 상기 복수의 질화물층이 도핑되는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자의 제조 방법
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제8항에 있어서, 상기 초격자층을 형성하는 단계는,도핑된 제1 질화물층을 형성하는 단계;상기 제1 질화물층 위에 다른 조성을 갖는 제2 질화물층을 형성하는 단계;를 포함하며,상기 제1 질화물층을 형성하는 단계와 상기 제2 질화물층을 형성하는 단계를 교대로 진행하여 상기 초격자층을 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 제1 및 제2 질화물층은 도핑된 AlxGayIn1-x-yN(0≤x, 0≤y, x+y≤1)의 소재로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자의 제조 방법
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11
제7항에 있어서, 상기 전극 형성부를 형성하는 단계에서,상기 초격자층의 전극 형성부는,상기 포토레지스트 마스크의 전극 형성부가 형성될 부분에 대응되게 경사면, 요홈 또는 계단면으로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자의 제조 방법
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제1항, 제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 전극 형성부를 형성하는 단계 이후에 수행되는,상기 금속 마스크를 제거하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자의 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 제1 또는 제2 반도체 그룹층이 상기 초격자층인 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자의 제조 방법
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제7항에 있어서, 상기 제1 반도체 그룹층은,상기 버퍼층 위에 형성되며, 조성이 주기적으로 변하는 복수의 질화물층을 포함하고, 상기 복수의 질화물층 중 적어도 연속되는 두 개의 질화물층이 노출되는 제1 전극 형성부를 갖고, 상기 제1 전극 형성부 위에 제1 전극이 형성되는 제1 초격자층;상기 제1 초격자층 위에 형성된 제1 반도체층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자의 제조 방법
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제7항 또는 제14항에 있어서, 상기 제2 반도체 그룹층은,상기 활성층 위에 형성되며, 상기 제1 반도체 그룹층과 다른 타입의 제2 반도체층;상기 제2 반도체층 위에 형성되며, 조성이 주기적으로 변하는 복수의 질화물층을 포함하고, 상기 복수의 질화물층 중 적어도 연속되는 두 개의 질화물층이 노출되는 제2 전극 형성부를 갖고, 상기 제2 전극 형성부 위에 제2 전극이 형성되는 제2 초격자층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자의 제조 방법
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