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다성분계 투명 산화물 전극을 구비한 반도체 발광소자

기술번호 : KST2014059512
담당센터 : 광주기술혁신센터
전화번호 : 062-360-4654

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 투명전극을 구비한 질화갈륨계 반도체 발광 소자에 있어서, 상기 투명 전극이 산화 아연, 산화 주석, 산화 갈륨, 산화 알루미늄 및 산화 인듐으로 형성된 다성분계 투명 산화물로 이루어진 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 반도체 발광 소자에 관한 것이다. 본 발명의 질화갈륨계 반도체 발광 소자는 투명 전극으로 다성분계 투명 산화물을 사용함으로써, 발광한 빛의 투과율과 발광 효율 및 출사 효율이 높다.발광 소자, 투명 전극, 산화물전극
Int. CL	H01L 33/42 (2010.01.01) H01L 33/12 (2010.01.01) H01L 33/62 (2010.01.01)
CPC	H01L 33/42(2013.01) H01L 33/42(2013.01) H01L 33/42(2013.01) H01L 33/42(2013.01)
출원번호/일자	1020050073482 (2005.08.10)
출원인	한국광기술원
등록번호/일자	10-0714180-0000 (2007.04.26)
공개번호/일자	10-2007-0018626 (2007.02.14) 문서열기
공고번호/일자	(20070504) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2005.08.10)
심사청구항수	7

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	한국광기술원	대한민국	광주광역시 북구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	이상헌	대한민국	부산광역시 금정구
2	박세연	대한민국	광주광역시 서구
3	김윤석	대한민국	서울특별시 강북구
4	이승재	대한민국	전라북도 전주시 덕진구
5	김상묵	대한민국	광주광역시 서구
6	김광철	대한민국	광주광역시 광산구
7	전성란	대한민국	전라북도 전주시 덕진구
8	심병로	대한민국	광주광역시 광산구
9	염홍서	대한민국	서울특별시 마포구
10	백종협	대한민국	대전광역시 서구
11	유영문	대한민국	대전광역시 유성구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	황이남	대한민국	서울시 송파구 법원로 *, **호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	한국광기술원	대한민국	광주광역시 북구

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번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서 Patent Application	2005.08.10	수리 (Accepted)	1-1-2005-0441905-46
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2006.07.10	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2006.08.11	수리 (Accepted)	9-1-2006-0051832-18
4	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2006.08.30	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2006-0505367-42
5	명세서등보정서 Amendment to Description, etc.	2006.10.27	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2006-0784259-94
6	의견서 Written Opinion	2006.10.27	수리 (Accepted)	1-1-2006-0784260-30
7	등록결정서 Decision to grant	2007.02.02	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2007-0068381-32
8	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.07.03	수리 (Accepted)	4-1-2020-5148105-81
9	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.07.09	수리 (Accepted)	4-1-2020-5153634-39

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 삭제
2	2 질화갈륨계 반도체 발광 소자로서, 구조내 산화 아연, 산화 주석, 산화 갈륨, 및 산화 인듐에서 3성분 이상 선택되어 형성된 다성분계 산화물 투명 전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 반도체 발광 소자
3	3 제 2항에 있어서, 다성분계 산화물 투명 전극이 하기 화학식 1로 표시되는 산화물로 형성된 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 반도체 발광 소자화학식 11) xZn2In2O5 + (1-x)In4Sn3O122) xGaInO3 + (1-x)In4Sn3O123) xZnSnO3 + (1-x)In4Sn3O124) xZn2In2O5 + (1-x)GaInO3상기 식에서, x는 0<x<1 이다
4	4 제 2항 또는 제 3항에 있어서, 질화갈륨계 반도체와 다성분계 산화물로 이루어진 투명 산화물 전극이 오믹 접촉을 이루는 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 반도체 발광 소자
5	5 제 2항 또는 제 3항에 있어서, 다성분계 산화물로 이루어진 투명 산화물 전극이 1×10-3Ωㆍcm 이하의 비저항, 85％ 이상의 광선 투과율 및 1×1019 cm-3 이상의 캐리어 농도를 지님을 특징으로 하는 질화갈륨계 반도체 발광 소자
6	6 제 2항 또는 제 3항에 있어서, 다성분계 산화물로 이루어진 투명 산화물 전극의 광흡수가 300∼400 nm 영역에 있는 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 반도체 발광 소자
7	7 제 2항 또는 제 3항에 있어서, 다성분계 산화물로 이루어진 투명 산화물 전극이 1 nm 내지 1000 nm 두께임을 특징으로 하는 질화갈륨계 반도체 발광 소자
8	8 제 2항 또는 제 3항에 있어서, 질화갈륨계 반도체 발광 소자가 아래서부터 순차적으로 기판, 버퍼층, n형 질화갈륨계 반도체층, 발광층, p형 질화갈륨계 반도체층, 다성분계 산화물로 이루어진 투명 산화물 전극, 및 투명산화물 전극 일측 상부와 n형 질화갈륨계 반도체층의 타측상에 각각 형성된 금속 전극으로 구성됨을 특징으로 하는 질화갈륨계 반도체 발광 소자

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-0714180-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20050810 출원 번호 : 1020050073482 공고 연월일 : 20070504 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20070202 청구범위의 항수 : 7 유별 : H01L 33/00 발명의 명칭 : 다성분계 투명 산화물 전극을 구비한 반도체 발광 소자 존속기간(예정)만료일 : 20140427

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 한국광기술원 광주광역시 북구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	229,500 원	2007년 04월 27일	납입
제 4 년분	금 액	194,000 원	2010년 04월 23일	납입
제 5 년분	금 액	194,000 원	2011년 04월 08일	납입
제 6 년분	금 액	194,000 원	2012년 04월 04일	납입
제 7 년분	금 액	366,000 원	2013년 04월 02일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서	2005.08.10	수리 (Accepted)	1-1-2005-0441905-46
2	선행기술조사의뢰서	2006.07.10	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2006.08.11	수리 (Accepted)	9-1-2006-0051832-18
4	의견제출통지서	2006.08.30	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2006-0505367-42
5	명세서등보정서	2006.10.27	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2006-0784259-94
6	의견서	2006.10.27	수리 (Accepted)	1-1-2006-0784260-30
7	등록결정서	2007.02.02	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2007-0068381-32
8	출원인정보변경(경정)신고서	2020.07.03	수리 (Accepted)	4-1-2020-5148105-81
9	출원인정보변경(경정)신고서	2020.07.09	수리 (Accepted)	4-1-2020-5153634-39


기술번호	KST2014059512
자료제공기관	NTB
기술공급기관	한국광기술원
기술명	다성분계 투명 산화물 전극을 구비한 반도체 발광소자
기술개요	본 발명은 투명전극을 구비한 질화갈륨계 반도체 발광 소자에 있어서, 상기 투명 전극이 산화 아연, 산화 주석, 산화 갈륨, 산화 알루미늄 및 산화 인듐으로 형성된 다성분계 투명 산화물로 이루어진 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 반도체 발광 소자에 관한 것이다. 본 발명의 질화갈륨계 반도체 발광 소자는 투명 전극으로 다성분계 투명 산화물을 사용함으로써, 발광한 빛의 투과율과 발광 효율 및 출사 효율이 높다.발광 소자, 투명 전극, 산화물전극
개발상태	기술개발완료
기술의 우수성
응용분야	LED 조명, LED 광원
시장규모 및 동향
희망거래유형	기술매매,라이센스,기술협력,
사업화적용실적
도입시고려사항


과제고유번호	1410042197
세부과제번호	itep10018225
연구과제명	초고출력380nmUVLED칩개발
성과구분	등록
부처명	지식경제부
연구관리전문기관명	한국산업기술평가원
연구주관기관명	한국광기술원
성과제출연도	2004
연구기간	200412~200809
기여율	1
연구개발단계명	개발연구
6T분류명	NT(나노기술)

특허성과

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