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집광형 태양광 발전모듈 제작방법

  • 기술번호 : KST2014059515
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 집광형 태양광 발전모듈 제작방법에 관한 것으로서, 실리콘 기판 위에 III-V 화합물 태양전지를 성장시킴으로써 저가 및 대면적 생산을 실현할 수 있으며, 두께를 줄임으로써 휴대가 용이한 신개념의 태양전지를 형성하고, 형성된 태양전지간의 전극이 연결된 집광형 태양광 모듈을 제공함에 그 목적이 있다. 이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명은, (a) 실리콘 기판 위로 태양전지 구조체를 제작하는 공정; (b) 상기 실리콘 기판 저면을 연마하는 공정; (c) 양극과 음극으로 이루어진 전극을 플립칩 본딩 방식을 이용하여 유연성 기판에 본딩하는 공정; (d) 상기 실리콘 기판을 렌즈 형태로 식각하는 공정; (e) 상기 (d) 공정을 통해 식각된 실리콘 렌즈에 AR 코팅층을 증착함으로써 태양전지를 형성하는 공정; 및 (f) 상기 (a) 공정 내지 (e) 공정을 통해 다수개의 태양전지를 형성하여 각 태양전지간의 전극을 연결하되, n번째 태양전지의 전극은, n-1번째 태양전지의 전극 및 n+1번째 태양전지의 전극과 병렬 또는 직렬로 연결함으로써 태양광 발전모듈을 제작하는 공정; 을 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 31/18 (2006.01.01) H01L 31/06 (2006.01.01) H01L 31/0392 (2006.01.01) H01L 31/0224 (2006.01.01) H01L 31/0216 (2014.01.01)
CPC H01L 31/1852(2013.01) H01L 31/1852(2013.01) H01L 31/1852(2013.01) H01L 31/1852(2013.01) H01L 31/1852(2013.01) H01L 31/1852(2013.01)
출원번호/일자 1020100105060 (2010.10.27)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자 10-1101277-0000 (2011.12.26)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20120104) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.10.27)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김효진 대한민국 광주광역시 광산구
2 유소영 대한민국 광주광역시 광산구
3 오시덕 대한민국 광주광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이은철 대한민국 서울특별시 송파구 법원로**길 **, A동 *층 ***호 (문정동, H비지니스파크)(*T국제특허법률사무소)
2 이우영 대한민국 서울특별시 송파구 법원로**길 **, A동 *층 ***호 (문정동, H비지니스파크)(*T국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2010-0695611-25
2 등록결정서
Decision to grant		 2011.09.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0551168-48
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
집광형 태양광 발전모듈 제작방법에 있어서,(a) 실리콘 기판(10) 위로 태양전지 구조체를 제작하는 공정;(b) 상기 실리콘 기판(10) 저면을 연마하는 공정;(c) 양극과 음극으로 이루어진 전극(50)을 플립칩 본딩 방식을 이용하여 유연성 기판에 본딩하는 공정;(d) 상기 실리콘 기판(10)을 렌즈 형태로 식각하는 공정; (e) 상기 (d) 공정을 통해 식각된 실리콘 렌즈에 AR 코팅층을 증착함으로써 태양전지(100)를 형성하는 공정; 및(f) 상기 (a) 공정 내지 (e) 공정을 통해 다수개의 태양전지(100)를 형성하여 각 태양전지(100)간의 전극을 연결하되, n번째 태양전지(100)의 전극은, n-1번째 태양전지의 전극 및 n+1번째 태양전지의 전극과 병렬 또는 직렬로 연결함으로써 태양광 발전모듈을 제작하는 공정; 을 포함하는 집광형 태양광 발전모듈 제작방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 (a) 공정은, (a-1) 실리콘 기판(10)을 HF로 2분 이상 표면을 에칭 세척하는 단계;(a-2) 유기 금속 화학 증착법(MOCVD)을 이용하여 소정 온도에서 자연 산화막을 제거하는 단계;(a-3) 갈륨비소(GaAs) 또는 갈륨인(GaP) seed 층(20)을 수십 nm 성장시키는 단계; (a-4) 스퍼터(sputter) 장비를 이용하여 소정 두께의 SiO2 층(30)을 증착하는 단계; (a-5) 포토 레지스트(Photo Resist: PR)를 이용하여 집광하고자 하는 부분만을 정렬(Photo mask align) 작업을 통해 패턴 노광하여 PR을 제거한 후, SiO2 층(30)을 선택적 에칭하고 acetone 또는 EKC830으로 PR을 제거하고 린스하는 단계; 및(a-6) 상기 SiO2 층(30)으로 선택 패턴된 갈륨비소 GaAs seed/SiO2 위 영역에 적층형 태양전지 구조체(40)를 성장시키는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 집광형 태양광 발전모듈 제작방법
3 3
제 2 항에 있어서,상기 (a-6) 단계에서, Flip-chip ready를 위하여 n형 오믹 전극이 놓일 부분은, 전극간의 영향을 받지 않도록 passivation 층을 형성한 후 에칭을 통해 개방을 한 다음 e-beam evaporator를 통해 전극을 증착시키는 것을 특징으로 하는 집광형 태양광 발전모듈 제작방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 (c) 공정은,상기 유연성 기판(60) 위의 전극을 접합할 자리에 Au-Sn solder 층(70)을 올리고, Au-Sn solder 층(70)에 전극(50)을 플립칩(Flip-chip) 본딩하는 것을 특징으로 하는 집광형 태양광 발전모듈 제작방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 (d) 공정은,(d-1) 상기 태양전지 구조체(40)를 유연성 기판(60)에 결합부착하는 단계; 및(d-2) 상기 태양전지 구조체(40)가 부착된 실리콘 기판(10) 면을 Dry 및 wet 에칭을 이용하여 실리콘 렌즈 형태로 식각함으로써 하나의 태양전지(100)를 형성하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 집광형 태양광 발전모듈 제작방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 태양전지(100)는, Inverted 적층형 구조인 것을 특징으로 하는 집광형 태양광 발전모듈 제작방법
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.