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비아홀 및 천공을 포함하는 배선기판 및 제 1, 2박막, 상기 천공의 식각면 하부에 순차적으로 적층되는 발광 다이오드, 형광체 및 봉지제를 포함하는 발광 다이오드 패키지에 있어서,
상기 배선기판의 하부에 위치하며, 양극과 음극으로 분리되는 후막 동판;
내벽 및 바닥면이 제 2박막 및 제 1, 2 도금층으로 도금되는 막힌 천공; 및
상기 제 2도금층의 상부에 적층되는 발광 다이오드를 포함하는 것을 특징으로 하는 도금된 천공을 구비한 발광 다이오드 패키지
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제 1항에 있어서, 상기 1,2 박막은 구리 박막인 것을 특징으로 하는 도금된 천공을 구비한 발광 다이오드 패키지
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제 1항에 있어서, 상기 제 1도금층은 니켈 도금층이며, 상기 제 2도금층은 금 또는 은 도금층인 것을 특징으로 하는 도금된 천공을 구비한 발광 다이오드 패키지
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제 1항에 있어서, 상기 후막 동판의 두께는 0
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제 1항에 있어서, 상기 막힌 천공은 원형 및 다각형인 것을 특징으로 하는 도금된 천공을 구비한 발광 다이오드 패키지
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제 1항에 있어서, 상기 발광 다이오드는 수직형, 수평형 및 플립칩 발광 다이오드인 것을 특징으로 하는 도금된 천공을 구비한 발광 다이오드 패키지
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7
제 1항에 있어서, 상기 배선기판은 프리프레그 또는 CCL인 것을 특징으로 하는 도금된 천공을 구비한 발광 다이오드 패키지
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8
제 1항에 있어서, 상기 막힌 천공의 바닥면의 대각 길이는 상기 발광 다이오드의 대각 길이의 1
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배선기판에 비아홀 및 천공을 식각하는 제 1단계;
상기 배선기판의 하부에 후막 동판을 형성하고, 상기 배선기판의 상부에 제 1박막을 형성하는 제 2단계;
상기 비아홀, 천공 및 제 1박막의 상부에 제 2박막을 형성하고, 상기 천공의 양면에 위치한 제 1박막과 제 2박막의 소정의 위치에 배선을 위한 식각을 하는 제 3단계;
상기 비아홀의 내부 및 상기 단계에서 배선을 위한 식각이 이루어지지 않은 제 1,2 박막의 상부에 봉지제 댐을 형성하는 제 4단계; 및
상기 제 2박막이 형성된 천공에 발광 다이오드를 형성하는 제 5단계를 포함하는 도금된 천공을 구비한 발광 다이오드 패키지의 제작방법
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10
제 9항에 있어서, 제 1단계의 상기 비아홀 및 천공은 밀링 비트 및 레이저에 의해 식각되는 것을 특징으로 하는 도금된 천공을 구비한 발광 다이오드 패키지의 제작방법
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제 9항에 있어서, 제 4단계에서는 상기 봉지제 댐이 형성되지 않은 제 2박막의 상부에 제 1,2 도금층을 적층하는 것을 특징으로 하는 도금된 천공을 구비한 발광 다이오드 패키지의 제작방법
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제 9항에 있어서, 상기 제 1단계 및 제 2단계에서
상기 후막 동판, 상기 배선기판 및 상기 제 1박막을 순차적으로 적층한 후, 상기 비아홀 및 천공을 형성하는 것을 특징으로 하는 도금된 천공을 구비한 발광 다이오드 패키지의 제작방법
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제 9항에 있어서, 상기 발광 다이오드의 상부에 형광체 및 봉지제를 형성하는 것을 특징으로 하는 도금된 천공을 구비한 발광 다이오드 패키지의 제작방법
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제 9항에 있어서, 상기 제 1단계 및 제 2단계에서
상기 제 1단계에서 형성된 비아홀 및 천공을 포함하는 배선기판의 상부에 상기 비아홀 및 천공이 형성된 CCL 및 제 1박막을 형성하고, 상기 배선기판의 하부에 후막 동판을 형성하는 것을 특징으로 하는 도금된 천공을 구비한 발광 다이오드 패키지의 제작방법
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제 14항에 있어서, 상기 비아홀 및 천공은, 밀링 비트, 야그, 엑시머 또는 이산화탄소(CO2) 레이저 중에서 선택되는 어느 하나에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 도금된 천공을 구비한 발광 다이오드 패키지의 제작방법
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