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선택적 에칭층을 구비하는 발광다이오드 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014059595
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 선택적 에칭층(Selective Etching Layer)을 구비하는 발광다이오드(Light Emitting Diode)에 관한 것으로써, 발광다이오드 제작시 메사식각면에 전자(electron)의 집중을 방지하고 스프레딩 효율을 향상시키기 위하여 화학적으로 에칭이 잘되는 선택적 에칭층을 삽입하고, 상기 선택적 에칭층의 메사 식각면과 접하는 소정 영역을 제거하여, 수평방향으로의 전류를 확산을 증대시켜 광 추출효율을 향상시킨 고휘도고신뢰성의 발광 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다. 보다 더 구체적으로 본 발명은 서브스트레이트 기판; 상기 서브스트레이트 기판상에 제 1반도체층, 활성층, 제 2반도체층 순으로 형성되어 이루어지며, 상기 활성층 및 제 2반도체층이 메사식각되어 제 1반도체층의 일정영역이 소정 폭을 갖는 형태로 노출되는 발광 구조물; 상기 제 1반도체층의 노출된 영역에 형성되는 제 1전극; 및 제 2반도체층 상에 형성되는 제 2전극;을 포함하되, 상기 제 1반도체층과 활성층 사이에 선택적 에칭층(Selective Etching Layer)을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드(Light Emitting Diode)를 제공한다.
Int. CL H01L 33/14 (2010.01.01) H01L 33/02 (2010.01.01) H01L 33/32 (2010.01.01) H01L 33/00 (2010.01.01)
CPC H01L 33/14(2013.01) H01L 33/14(2013.01) H01L 33/14(2013.01) H01L 33/14(2013.01) H01L 33/14(2013.01)
출원번호/일자 1020100014980 (2010.02.19)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자 10-1166133-0000 (2012.07.10)
공개번호/일자 10-2011-0095492 (2011.08.25) 문서열기
공고번호/일자 (20120723) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.02.19)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김상묵 대한민국 광주광역시 서구
2 백종협 대한민국 대전광역시 서구
3 박준모 대한민국 광주광역시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.02.19 수리 (Accepted) 1-1-2010-0109173-95
2 보정요구서
Request for Amendment
2010.02.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0016945-60
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2010.03.24 수리 (Accepted) 1-1-2010-0187464-83
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.04.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.05.17 수리 (Accepted) 9-1-2011-0042427-81
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.06.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0315663-68
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.08.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0614277-81
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.08.09 수리 (Accepted) 1-1-2011-0614276-35
9 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2012.02.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0096067-74
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.03.20 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-0222953-33
11 등록결정서
Decision to grant
2012.06.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0360921-22
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
서브스트레이트 기판;상기 서브스트레이트 기판상에 제 1반도체층, 활성층, 제 2반도체층 순으로 형성되어 이루어지며, 상기 활성층 및 제 2반도체층이 메사식각되어 제 1반도체층의 일정영역이 소정 폭을 갖는 형태로 노출되는 발광 구조물;상기 제 1반도체층의 노출된 영역에 형성되는 제 1전극; 및 제 2반도체층 상에 형성되는 제 2전극;을 포함하되, 상기 제 1반도체층과 활성층 사이에 선택적 에칭층(Selective Etching Layer)을 더 구비하며, 상기 선택적 에칭층은 상기 메사식각된 영역과 접하는 부분의 소정영역이 제거되어, 상기 제 1반도체층 및 활성층이 돌출되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드(Light Emitting Diode)
2 2
삭제
3 3
제 1항에 있어서, 상기 선택적 에칭층은 알루미늄(Al) 또는 인듐(IN) 중에서 선택되는 어느 하나 이상의 물질이 도핑된 질화갈륨(GaN)으로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드
4 4
제 1항에 있어서, 상기 제 1반도체층은 n형 질화물 반도체층으로 형성되고,상기 선택적 에칭층은 n형 불순물이 도핑된 질화갈륨(GaN)으로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드
5 5
제 1항에 있어서, 상기 제 1반도체층은 p형 질화물 반도체층으로 형성되고, 상기 선택적 에칭층은 p형 불순물이 도핑된 질화갈륨(GaN)으로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드
6 6
제 4항 또는 제 5항에 있어서, 상기 제 1반도체층과 상기 선택적 에칭층은 불순물의 도핑 농도가 서로 다른 것을 특징으로 하는 발광다이오드
7 7
제 1항에 있어서, 상기 제 2반도체층과 제 2전극사이에 오믹접촉을 형성하기 위한 투명전극을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드
8 8
(a) 서브스트레이트 기판상에 제 1반도체층을 형성하는 단계;(b) 상기 제 1반도체층상에 선택적 에칭층(Selective Etching Layer)을 형성하는 단계;(c) 상기 선택적 에칭층상에 활성층을 형성하는 단계;(d) 상기 활성층상에 제 2반도체층을 형성하는 단계;(e) 상기 제 1반도체층의 일정영역이 소정 폭을 갖는 형태로 노출되도록 제 2반도체층, 활성층 및 선택적 에칭층의 소정영역을 메사 식각하는 단계; (f) 상기 메사 식각된 영역과 접하는 선택적 에칭층의 소정영역을 선택적으로 식각하여 제거하는 단계;(g) 상기 노출되는 제 1반도체층의 소정영역상에 제 1전극을 형성하는 단계; 및(h) 상기 제 2반도체층상에 제 2전극을 형성하는 단계;를 포함하는 발광다이오드의 제조방법
9 9
삭제
10 10
제 8항에 있어서, 상기 선택적으로 식각하여 제거하는 단계는 화학적 습식식각법(Wet etching), 가스를 이용한 건식식각법(Dry etching) 또는 포토인핸스드 식각법(Photoenhanced etching; PEC) 중에서 선택되는 어느 하나의 식각법을 이용하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
11 11
제 8항에 있어서, 상기 (g) 단계 후에, 상기 제 2반도체층상에 오믹접촉을 위한 투명전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.