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은계를 투명 전극으로 하는 자외선 발광소자

  • 기술번호 : KST2014059599
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 자외선 발광소자의 투명전극을 Ni/Au 또는 ITO 막 대신에 은 (Ag) 을 포함하는 물질로 함으로써, 높은 광투과성 및 높은 휘도를 갖는 자외선 발광소자를 얻을 수 있다. 기판, 상기 기판 위에 차례로 형성되는 n-GaN 계 반도체층, 활성층, p-GaN 계 반도체층, 투명전극을 포함하는 자외선 발광소자로서, 상기 투명전극은 은 (Ag) 으로 이루어지는 물질인, 자외선 발광소자가 제공된다. 자외선 발광소자, 투명전극, 은 (Ag)
Int. CL H01L 33/42 (2010.01.01) H01L 33/00 (2010.01.01)
CPC H01L 33/42(2013.01) H01L 33/42(2013.01) H01L 33/42(2013.01) H01L 33/42(2013.01)
출원번호/일자 1020070097545 (2007.09.27)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자 10-0959163-0000 (2010.05.13)
공개번호/일자 10-2009-0032366 (2009.04.01) 문서열기
공고번호/일자 (20100524) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.09.27)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김상묵 대한민국 광주 서구
2 백종협 대한민국 대전 서구
3 김강호 대한민국 광주 광산구
4 김윤석 대한민국 서울 강북구
5 이승재 대한민국 전북 전주시 덕진구
6 진정근 대한민국 경기 군포시
7 이상헌 대한민국 부산 금정구
8 염홍서 대한민국 서울 마포구
9 유영문 대한민국 서울 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.09.27 수리 (Accepted) 1-1-2007-0696955-01
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.06.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.07.10 수리 (Accepted) 9-1-2008-0041653-21
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.07.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0377526-60
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2008.09.17 수리 (Accepted) 1-1-2008-0654697-87
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2008.10.15 수리 (Accepted) 1-1-2008-0717599-11
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.11.17 무효 (Invalidation) 1-1-2008-0791797-79
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.11.17 수리 (Accepted) 1-1-2008-0791798-14
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.11.17 수리 (Accepted) 1-1-2008-0791785-21
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.11.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0791782-95
11 보정요구서
Request for Amendment		 2008.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0129900-85
12 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation		 2008.12.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0140035-10
13 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.03.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0103480-90
14 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2009.05.11 수리 (Accepted) 1-1-2009-0281608-20
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.06.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0348535-90
16 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.06.09 수리 (Accepted) 1-1-2009-0348536-35
17 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2009.10.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0435448-81
18 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.12.22 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2009-0794501-32
19 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.12.22 수리 (Accepted) 1-1-2009-0794504-79
20 등록결정서
Decision to grant		 2010.03.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0116512-81
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판, 상기 기판 위에 차례로 형성되는 n-GaN 계 반도체층, 자외선 영역의 광을 방출하는 활성층, p-GaN 계 반도체층을 포함하는 자외선 발광소자에 있어서, 상기 p-GaN 계 반도체층 상에 두께 0
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
기판, n-GaN 계 반도체층, 자외선 영역의 광을 방출하는 활성층, p-GaN 계 반도체층을 차례로 적층하는 단계; 및 상기 p-GaN 계 반도체층 상에 두께 0
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 은(Ag) 단일 막으로 이루어지는 투명전극을 증착시키는 단계는, e-빔 (e-beam) 증착법 또는 스퍼터링 증착법을 이용하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 자외선 발광소자의 제조 방법
6 6
삭제
7 7
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.