맞춤기술찾기

이전대상기술

내열, 내습성이 강화된 구조를 채용한 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014059641
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법에 관한 것으로써, 발광다이오드 칩을 보호하는 복수의 보호수지층을 구비하여 외부의 열원, 습기, 충격 또는 오염원으로부터 발광다이오드 칩을 보호하여 신뢰성을 향상시킨 장수명이 보장되는 발광다이오드 패키지에 관한 것이다. 보다 더 구체적으로 본 발명은, 발광다이오드(Light Emitting Diode) 패키지기판 상에 발광다이오드 칩(chip)이 적어도 하나 이상 실장되는 발광다이오드 패키지에 있어서, 상기 발광다이오드 패키지 기판상의 소정영역과 상기 발광다이오드 칩의 상면 및 측면에 형성되어 상기 발광다이오드 칩을 외부의 열원, 습기, 충격 또는 오염원으로부터 보호하고, 형광체를 그 내부에 포함하여 형성되는 제 1보호수지층, 상기 제 1보호수지층의 상부에 형성되는 수지형 렌즈 및 상기 수지형 렌즈상에 형성되고, 상기 발광다이오드 칩을 외부의 열원, 습기, 충격 또는 오염원으로부터 보호하는 제 2보호수지층을 포함하는 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법을 제공한다.
Int. CL H01L 33/48 (2010.01.01) H01L 33/62 (2010.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020100024184 (2010.03.18)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자 10-1142015-0000 (2012.04.25)
공개번호/일자 10-2011-0105113 (2011.09.26) 문서열기
공고번호/일자 (20120517) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.03.18)
심사청구항수 6

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박승현 대한민국 광주광역시 북구
2 조용익 대한민국 광주광역시 북구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.03.18 수리 (Accepted) 1-1-2010-0171787-06
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.05.18 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.06.17 수리 (Accepted) 9-1-2011-0052499-36
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.06.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0363419-04
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.08.31 수리 (Accepted) 1-1-2011-0679049-34
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2012.03.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0144657-62
7 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2012.03.20 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-0222961-09
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.03.20 수리 (Accepted) 1-1-2012-0222960-53
9 등록결정서
Decision to Grant Registration
2012.04.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0212823-74
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
삭제
2 2
삭제
3 3
발광다이오드(Light Emitting Diode) 패키지기판 상에 발광다이오드 칩(chip)이 적어도 하나 이상 실장되는 발광다이오드 패키지에 있어서, 상기 발광다이오드 패키지 기판상의 소정영역과 상기 발광다이오드 칩의 상면 및 측면에 형성되어 상기 발광다이오드 칩을 외부의 열원, 습기, 충격 또는 오염원으로부터 보호하고, 형광체를 그 내부에 포함하여 형성되는 제 1보호수지층;상기 제 1보호수지층의 상부에 형성되는 수지형 렌즈; 및상기 수지형 렌즈상에 형성되고, 상기 발광다이오드 칩을 외부의 열원, 습기, 충격 또는 오염원으로부터 보호하는 제 2보호수지층;을 포함하며,상기 제 1보호수지층 및 제 2보호수지층은, 열가소성 불소계 수지를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지
4 4
제 3항에 있어서, 상기 열가소성 불소계 수지는, 테트라플루오르에틸렌(Tetrafluoroethylene)계열 수지, 헥사플루오르프로필렌(hexafluoropropylene) 계열 수지 또는 비닐리덴 플루오라이드(vinylidene fluoride) 계열 수지 중에서 선택되는 어느 하나 이상의 물질을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
발광다이오드 패키지기판 상에 적어도 하나 이상의 발광다이오드 칩이 실장되어 있는 발광다이오드 패키지에 있어서, (a) 상기 발광다이오드 패키지기판상의 소정영역과 상기 발광다이오드 칩의 상면 및 측면에 형광체를 포함하는 제 1보호수지층을 형성하는 단계;(b) 상기 제 1보호수지층 상에 수지형 렌즈를 형성하는 단계; 및(c) 상기 수지형 렌즈 상에 제 2보호수지층을 형성하는 단계;를 포함하는 발광다이오드 패키지의 제조방법
9 9
제 8항에 있어서, 상기 (a) 단계에서, 상기 형광체를 열가소성 불소계 수지용제에 혼합하여 스프레이건(spray-gun)을 통해 분사하여 제 1보호수지층을 형성하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지의 제조방법
10 10
제 8항에 있어서, 상기 (c) 단계에서, 열가소성 불소계 수지용제를 스프레이건을 통해 분사하여 제 2보호수지층을 형성하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지의 제조방법
11 11
제 8항에 있어서, 상기 (a)단계는, (a1) 상기 발광다이오드 칩의 측면영역의 발광다이오드 패키지기판 상에 마킹(marking) 구조를 형성하는 단계;(a2) 상기 마킹구조상에 마스킹 테입(masking tape) 또는 마스크(mask)를 결합하는 단계;(a3) 상기 발광다이오드 칩 및 상기 마스킹 테입 또는 마스크 상에 형광체를 혼합한 열가소성 불소계 수지를 도포하는 단계; 및(a4) 상기 마스킹 테입 또는 마스크를 제거하는 단계;인 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.