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P형 반도체층의 다단계 활성화방법에 있어서:P형 불순물이 도핑된 질화물 반도체층에 대하여 일정온도로 열처리 공정을 수행하는 제1단계와;상기 질화물 반도체층에 대하여 플라즈마 장치를 이용한 플라즈마 표면처리공정을 수행하는 제2단계와;상기 플라즈마 표면처리로 인한 데미지(damage) 보상 및 패시베이션(passivation) 효과를 위해 상기 질화물 반도체층에 대하여 화학용액을 이용한 화학용액처리공정을 수행하는 제3단계와; 상기 질화물 반도체층에 대한 후열처리 공정을 수행하는 제4단계를 구비하되,상기 화학용액처리공정은, 염산(HCl), BOE(buffer oxide etchant) 및 황화암모늄((NH4)2S) 알콜 용액을 순차적으로 사용하여 수행됨을 특징으로 하는 P형 반도체층의 다단계 활성화방법
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청구항 1에 있어서
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청구항 2에 있어서,상기 질화물 반도체층은, p-GaN, p-AlGaN, p-InAlGaN, 및 p-InGaN 중에서 선택된 적어도 하나의 질화물 반도체층임을 특징으로 하는 P형 반도체층의 다단계 활성화방법
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청구항 3에 있어서,상기 제1단계의 열처리 공정 및 상기 제4단계의 후열처리 공정은 400~950℃의 온도범위에서 수행되며, 질소 분위기 또는 질소와 산소의 분압비율 조절분위기에서 수행됨을 특징으로 하는 P형 반도체층의 다단계 활성화방법
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청구항 4에 있어서,상기 제2단계의 플라즈마 장치는 RF 파워 또는 DC 파워 인가시 플라즈마가 형성되는 장치임을 특징으로 하는 P형 반도체층의 다단계 활성화방법
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청구항 5에 있어서,상기 플라즈마 장치는 유도결합(inductively coupled)플라즈마 장치임을 특징으로 하는 P형 반도체층의 다단계 활성화방법
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청구항 6에 있어서,상기 제2단계에서 상기 플라즈마 장치에 인가되는 RF 파워 또는 DC 파워는 30W~1500W의 범위를 가짐을 특징으로 하는 P형 반도체층의 다단계 활성화방법
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청구항 7에 있어서,상기 플라즈마 장치를 구성하는 플라즈마 챔버에 주입되는 반응가스는, 질소, 산소, 수소, 및 아르곤 중에서 선택된 적어도 하나의 반응가스임을 특징으로 하는 P형 반도체층의 다단계 활성화방법
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청구항 8에 있어서,상기 제2단계는 산소플라즈마를 이용하여 7 내지 10분 동안 수행됨을 특징으로 하는 P형 반도체층의 다단계 활성화방법
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청구항 4 또는 청구항 9에 있어서,상기 화학용액처리공정은, 화학용액에 상기 질화물 반도체층을 일정시간동안 디핑(dipping)하는 방법으로 수행됨을 특징으로 하는 P형 반도체층의 다단계 활성화방법
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청구항 10에 있어서,상기 화학용액처리공정은, 상기 질화물 반도체층의 디핑(dipping) 시간을 염산(HCl)용액에서 5분, BOE(buffer oxide etchant)용액에서 1분 및 황화암모늄((NH4)2S) 알콜 용액 용액에서 5분으로 하여 상온에서 순차적으로 수행됨을 특징으로 하는 P형 반도체층의 다단계 활성화방법
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청구항 13에 있어서,상기 황화암모늄((NH4)2S) 알콜 용액에서 상기 알콜은 t-C4H9OH인 것을 특징으로 하는 P형 반도체층의 다단계 활성화방법
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