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후막동판, 절연층의 역할을 수행하는 CCL(Copper Clad Laminare)층 및 구리박막으로 이루어지는 DS-CCL(Doble Side -Copper Clad Laminare)의 상부에 형성되는 상기 구리박막의 소정영역을 기계적 가공으로 제거하는 제 1단계;
상기 구리박막의 소정영역이 제거되어 드러나는 상기 CCL층의 소정영역을 기계적 가공에 의해 제거하는 제 2단계;
상기 구리박막 및 CCL층의 소정영역이 제거되어 형성되는 공동(空洞)영역에 제 1솔더를 채워넣는 제 3단계;
상기 제 1솔더의 상부면에 구리 도금층을 형성하는 제 4단계; 및
상기 구리 도금층상에 제 2솔더를 이용하여 발광다이오드(Light Emitting Diode) 패키지를 적층하는 제 5단계;
를 포함하는 발광다이오드 패키지를 포함하는 SMT PCB(Surface Mounting Type- Printed Circuit Board)의 제조방법
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제 1항에 있어서,
상기 제 1솔더는 열전도도가 45 W/mK 이상인 조성물로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지를 포함하는 SMT PCB의 제조방법
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제 1항에 있어서,
상기 제 1솔더는 주석-구리-은-비스무스(Sn-Cu-Ag-Bi)를 포함하는 솔더용 조성물 또는 주석-비스무스-은(Sn-Bi-Ag)를 포함하는 솔더용 조성물로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지를 포함하는 SMT PCB의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 제 1단계 및 제 2단계의 기계적 가공에 의한 소정영역의 제거는,
밀링비트, 야그(Yag)레이저 또는 엑시머(Eximer) 레이저를 이용하여 상기 구리박막 또는 CCL의 소정영역을 제거하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지를 포함하는 SMT PCB의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 제 2단계는,
상기 구리박막의 소정영역이 제거되어 드러나는 상기 CCL층의 소정영역을 에칭하는 단계; 및
상기 에칭된 CCL층의 소정영역을 이산화탄소(CO2)레이저를 이용하여 제거하는 단계;
인 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지를 포함하는 SMT PCB의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 제 3단계에서,
상기 제 1솔더를 스크린 프린팅(Screen Printing)법 또는 디스펜싱(Dispensing)법에 의해 상기 공동영역에 채워넣는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지를 포함하는 SMT PCB의 제조방법
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제 1항에 있어서,
상기 제 2솔더는 상기 제 1솔더보다 녹는점이 낮은 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지를 포함하는 SMT PCB의 제조방법
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제 1항에 있어서,
상기 후막동판의 두께는 0
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후막동판;
상기 후막동판 상부의 소정영역에 형성되는 제 1솔더;
상기 제 1솔더가 형성되지 않은 후막동판의 상부영역에 형성되는 CCL층;
상기 CCL층의 상부에 형성되는 구리박막;
상기 CCL층의 상부 및 상기 구리박막 상부의 소정영역에 형성되는 구리 도금층;
상기 구리 도금층의 상부에 형성되는 제 2솔더; 및
상기 제 2솔더의 상부에 접합되는 발광 다이오드를 포함하는 패키지;
를 포함하는 SMT PCB
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제 9항에 있어서,
상기 제 1솔더는 주석-구리-은-비스무스(Sn-Cu-Ag-Bi)를 포함하는 솔더용 조성물 또는 주석-비스무스-은(Sn-Bi-Ag)를 포함하는 솔더용 조성물로 형성되는 것을 특징으로 하는 SMT PCB
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제 9항에 있어서,
상기 후막동판의 두께는 0
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