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1
제1 도전형 LED 반도체층;
상기 제1 도전형 LED 반도체층 상에 위치하는 활성층;
상기 활성층 상에 위치하는 제2 도전형 LED 반도체층;
상기 제2 도전형 LED 반도체층 상에 위치하는 제1 전극;
상기 제1 전극 상에 위치하는 광활성층;
상기 광활성층 상에 위치하는 제2 전극; 및
상기 제1 도전형 LED 반도체층과 전기적으로 접속하는 제3 전극을 포함하는 태양전지 결합형 발광소자
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제1항에 있어서,
상기 광활성층은 가시광선에 대해 투광성을 가지고 자외선에 대해 흡수성을 가지는 층인 태양전지 결합형 발광소자
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3
제1항에 있어서,
상기 광활성층은 무기 광활성층, 유기 광활성층 또는 염료감응형 광활성층인 태양전지 결합형 발광소자
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4
제3항에 있어서,
상기 유기 광활성층은 고분자 유기 광활성층 또는 저분자 유기 광활성층을 포함하고,
상기 무기 광활성층 및 저분자 유기 광활성층은 각각 제1 도전형 광활성 반도체층 및 제2 도전형 광활성 반도체층을 구비하고, 상기 제1 전극 상에 차례로 상기 제2 도전형 광활성 반도체층 및 상기 제1 도전형 광활성 반도체층이 배치되는 태양전지 결합형 발광소자
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5
제3항에 있어서,
상기 유기 광활성층은 고분자 유기 광활성층 또는 저분자 유기 광활성층을 포함하되,
상기 고분자 유기 광활성층은 제1 도전형 광활성 반도체와 제2 도전형 광활성 반도체가 혼합되어 단일층으로 구성되는 태양전지 결합형 발광소자
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6
제1항에 있어서,
상기 광활성층 및 상기 제2 전극 사이에 배치된 광흡수용 투명도전막을 더 포함하는 태양전지 결합형 발광소자
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7
기판 상에 제1 도전형 LED 반도체층을 형성하는 단계;
상기 제1 도전형 LED 반도체층 상에 활성층을 형성하는 단계;
상기 활성층 상에 제2 도전형 LED 반도체층을 형성하는 단계;
상기 제2 도전형 LED 반도체층 상에 제1 전극을 형성하는 단계;
상기 제1 전극 상에 광활성층을 형성하는 단계;
차례로 상기 광활성층, 상기 제1 전극, 상기 제2 도전형 LED 반도체층 및 상기 활성층을 1차 패터닝하여 상기 제1 도전형 LED 반도체층의 일부를 노출시키고, 상기 1차 패터닝되지 않은 영역의 상기 광활성층을 제2차 패터닝하여 상기 제1 전극의 일부를 노출시키는 단계; 및
상기 광활성층 및 상기 제1 도전형 LED 반도체층 각각과 전기적으로 접속되는 제2 전극 및 제3 전극을 형성하는 단계를 포함하는 발광 다이오드 제조방법
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제1 도전형 LED 반도체층, 상기 제1 도전형 LED 반도체층 상에 위치하는 활성층, 상기 활성층 상에 위치하는 제2 도전형 LED 반도체층, 상기 제2 도전형 LED 반도체층 상에 위치하는 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 위치하는 광활성층, 상기 광활성층 상에 위치하는 제2 전극, 및 상기 제1 도전형 LED 반도체층과 전기적으로 접속하는 제3 전극을 구비하는 태양전지 결합형 발광소자가 제공되는 단계; 및
상기 제1 전극을 플로팅시키고, 제2 전극 및 제3 전극을 전기적으로 접속시켜 상기 광활성층으로부터 기전력을 발생시킴과 동시에 상기 기전력을 사용하여 상기 발광부로부터 광을 발생시키는 단계를 포함하는 발광다이오드 동작방법
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9
제1 도전형 LED 반도체층, 상기 제1 도전형 LED 반도체층 상에 위치하는 활성층, 상기 활성층 상에 위치하는 제2 도전형 LED 반도체층, 상기 제2 도전형 LED 반도체층 상에 위치하는 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 위치하는 광활성층, 상기 광활성층 상에 위치하는 제2 전극, 및 상기 제1 도전형 LED 반도체층과 전기적으로 접속하는 제3 전극을 구비하는 태양전지 결합형 발광소자가 제공되는 단계; 및
상기 제2 전극을 플로팅시키고, 제1 전극 및 제3 전극을 각각에 전계를 인가하여 상기 발광부로부터 광을 발생시키는 단계를 포함하는 발광다이오드 동작방법
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