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기판 상에 Cu(In,Ga,Al)(Se,S)2를 흡수층으로 형성하여 화합물 태양전지를 제조하는 방법에 있어서, 셀레늄 이원화합물 또는 상기 셀레늄 이원화합물에 황이 첨가된 화합물을 타겟으로 이용한 스퍼터링에 의해 Cu(In,Ga,Al)(Se,S)2의 흡수층을 형성하며,
상기 셀레늄 이원화합물은 CuxSey, InxSey, GaxSey 및 AlxSey이고,
상기 셀레늄 이원화합물에 황이 첨가된 화합물은 Cux(Se,S)y, Inx(Se,S)y, Gax(Se,S)y 및 Alx(Se,S)y이며,
상기 스퍼터링이 상기 셀레늄 이원화합물 또는 상기 셀레늄 이원화합물에 황이 첨가된 화합물에 각기 별도의 파워를 인가하는 동시 스퍼터링으로 진행하여 상기 흡수층의 밴드갭을 제어하고,
상기 스퍼터링이 히터에 의한 가열 중에 이루어지며,
상기 스퍼터링 중에 상기 기판을 수평으로 회전시켜 균일한 두께의 흡수층을 형성하고;
별도의 셀렌화 공정을 수행하지 않는 것을 특징으로 하는 화합물 태양전지의 제조방법
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