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발광소자 및 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014059653
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 발광소자 및 그의 제조방법이 제공된다. 발광소자는 베이스 기판 상에 위치되며, 서로 이격하여 형성된 다수개의 돌출부들 및 돌출부들 사이의 홈들을 구비하는 하부 버퍼 패턴층, 하부 버퍼 패턴층의 돌출부들 및 홈들 상부에 형성된 제1 클래드층, 제1 클래드층 상에 형성된 활성층 및 활성층 상에 형성된 제2 클래드층을 포함한다. 또한, 발광소자 제조방법은 베이스 기판 상에 버퍼층을 형성하고, 버퍼층을 패터닝하여 서로 이격하여 형성된 다수개의 돌출부들을 구비하는 하부 버퍼 패턴층을 형성하는 단계, 하부 버퍼 패턴층 상에 제1 클래드층을 성장시키는 단계, 제1 클래드층 상에 활성층을 성장시키는 단계 및 활성층 상에 제2 클래드층을 성장시키는 단계를 포함한다. 발광소자, 보이드, 하부 버퍼 패턴층, 단결정 기판, 돌출부, 홈
Int. CL H01L 33/20 (2010.01.01) H01L 33/12 (2010.01.01) H01L 33/00 (2010.01.01)
CPC H01L 33/20(2013.01) H01L 33/20(2013.01) H01L 33/20(2013.01)
출원번호/일자 1020080118295 (2008.11.26)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자 10-1020473-0000 (2011.02.28)
공개번호/일자 10-2010-0059499 (2010.06.04) 문서열기
공고번호/일자 (20110308) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.11.26)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김상묵 대한민국 광주광역시 서구
2 백종협 대한민국 대전광역시 서구
3 강정인 대한민국 광주광역시 북구
4 김강호 대한민국 광주광역시 광산구
5 이승재 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
6 이진홍 대한민국 광주광역시 북구
7 오화섭 대한민국 광주광역시 광산구
8 이상헌 대한민국 부산광역시 금정구
9 정 탁 대한민국 광주광역시 광산구
10 진정근 대한민국 서울특별시 동대문구
11 전성란 대한민국 광주광역시 광산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.11.26 수리 (Accepted) 1-1-2008-0816522-62
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.08.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0360259-35
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.10.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0670172-53
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.10.18 수리 (Accepted) 1-1-2010-0670185-46
5 등록결정서
Decision to grant
2011.02.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0107343-95
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
베이스 기판 상에 위치하며, 서로 이격하여 형성된 다수개의 제1 돌출부들 및 상기 제1 돌출부들 사이의 제1 홈들을 구비하는 하부 버퍼 패턴층; 상기 하부 버퍼 패턴층의 제1 홈들 상에 배치된 제2 돌출부들 및 상기 제2 돌출부들 사이의 제2 홈들을 구비하는 상부 버퍼 패턴층; 상기 상부 버퍼 패턴층의 제2 돌출부들 및 제2 홈들 상부에 형성된 제1 클래드층; 상기 제1 클래드층 상에 형성된 활성층; 및 상기 활성층 상에 형성된 제2 클래드층을 포함하는 발광소자
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 홈들은 상기 베이스 기판과 상기 제1 클래드층 사이에 보이드들로 존재하는 발광소자
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 하부 버퍼 패턴층은 GaN층 또는 AIN층인 발광소자
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 상부 버퍼 패턴층은 GaN층 또는 AIN층인 발광소자
8 8
베이스 기판 상에 버퍼층을 형성하고, 상기 버퍼층을 패터닝하여 서로 이격하여 형성된 다수개의 제1 돌출부들 및 상기 제1 돌출부들 사이의 제1 홈들을 구비하는 하부 버퍼 패턴층을 형성하는 단계; 상기 하부 버퍼 패턴층 상에 상기 하부 버퍼 패턴층의 제1 홈들 상에 제2 돌출부들 및 상기 제2 돌출부들 사이의 제2 홈들을 구비하는 상부 버퍼 패턴층을 형성하는 단계; 상기 상부 버퍼 패턴층 상에 제1 클래드층을 성장시키는 단계; 상기 제1 클래드층 상에 활성층을 성장시키는 단계; 및 상기 활성층 상에 제2 클래드층을 성장시키는 단계를 포함하는 발광소자 제조방법
9 9
제 8 항에 있어서, 상기 버퍼층은 ALD 기술 또는 MOCVD 기술을 사용하여 형성하는 발광소자 제조방법
10 10
삭제
11 11
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.