| 1 |
1
삭제
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
고분자 섬유를 용매에 담그는 단계; 및 상기 고분자 섬유에 하기 화학식 1로 표시되는 4급 암모늄염 화합물을 유효성분으로 포함하는 정전기 방지 및 항균용 표면처리제와 반응촉매를 처리하여 반응시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 섬유의 정전기 방지 및 항균성 부여 방법:[화학식 1]상기 화학식 1에서, R1은 이중 결합을 한 개 이상 포함하는 기능기로서, C2 내지 C32의 알케닐(alkenyl), C1 내지 C32의 알킬아크릴로일 또는 C1 내지 C32의 알킬메타크릴로일 중에서 선택되고, R2 내지 R4는 각각 독립적으로 이중 결합을 포함하거나 포함하지 않으며, C1 내지 C32의 알킬 또는 하이드록시알킬, C6 내지 C32의 아릴, C7 내지 C32의 벤질, C2 내지 C32의 알케닐(alkenyl), C1 내지 C32의 알킬아크릴로일, C1 내지 C32의 알킬메타크릴로일, 또는 이들의 조합으로서 탄소사슬들은 에스테르, 아마이드, 에테르, 설파이드, 우레탄 또는 우레아 결합이 분자 내에 공유결합으로 포함되며, X는 F, Cl, Br, I, CN, NO3, CH3COO, CF3COO, OH, ClO, ClO2, ClO3, SCN, ClO4, HCO3, H2PO4, BF4, TFSI, CF3SO3 또는 CH3SO3 중에서 선택됨
|
| 4 |
4
청구항 3에 있어서, 상기 반응촉매는 실온에서 처리하여 반응시키는 것을 특징으로 하는 고분자 섬유의 정전기 방지 및 항균성 부여 방법
|
| 5 |
5
고분자 섬유를 용매에 담그는 단계; (i) 반응촉매의 처리, (ii) 감마선 조사, (iii) E-빔 조사, (iv) 이온-빔 조사 (v) 원자외선(deep UV) 조사 또는 (vi) 플라즈마 처리 중에서 선택된 어느 하나의 처리에 따라 상기 고분자 섬유의 라디칼을 형성시키는 단계; 및 상기 고분자 섬유의 라디칼에 하기 화학식 1로 표시되는 4급 암모늄염 화합물을 유효성분으로 포함하는 정전기 방지 및 항균용 표면처리제를 처리하여 반응시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 섬유의 정전기 방지 및 항균성 부여 방법:[화학식 1]상기 화학식 1에서, R1은 이중 결합을 한 개 이상 포함하는 기능기로서, C2 내지 C32의 알케닐(alkenyl), C1 내지 C32의 알킬아크릴로일 또는 C1 내지 C32의 알킬메타크릴로일 중에서 선택되고, R2 내지 R4는 각각 독립적으로 이중 결합을 포함하거나 포함하지 않으며, C1 내지 C32의 알킬 또는 하이드록시알킬, C6 내지 C32의 아릴, C7 내지 C32의 벤질, C2 내지 C32의 알케닐(alkenyl), C1 내지 C32의 알킬아크릴로일, C1 내지 C32의 알킬메타크릴로일, 또는 이들의 조합으로서 탄소사슬들은 에스테르, 아마이드, 에테르, 설파이드, 우레탄 또는 우레아 결합이 분자 내에 공유결합으로 포함되며, X는 F, Cl, Br, I, CN, NO3, CH3COO, CF3COO, OH, ClO, ClO2, ClO3, SCN, ClO4, HCO3, H2PO4, BF4, TFSI, CF3SO3 또는 CH3SO3 중에서 선택됨
|
| 6 |
6
청구항 5에 있어서, 상기 방법은 상기 고분자 섬유의 라디칼에 표면처리제를 처리하여 섬유의 라디칼 하나에 4급 암모늄 분자 하나를 공유 결합시키거나, 하나의 라디칼에 여러 개의 4급 암모늄 분자를 중합시키는 것을 특징으로 하는 고분자 섬유의 정전기 방지 및 항균성 부여방법
|
