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태양 전지의 수광부 상에 형성되며, 텍스쳐(texture)가 형성되어 있는 구형 나노입자의 층을 포함하는 반사방지막에 있어서,상기 반사방지막의 굴절율은 600 nm의 측정 기준 파장에서 1
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제 1 항에 있어서, 상기 구형 나노입자의 직경은 10 nm 내지 1000 nm 인, 반사방지막
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제 1 항에 있어서, 상기 구형 나노입자는 SiO2, ZnO, TiO2, Ta의 산화물, Hf의 산화물, V의 산화물, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 산화물 구형 나노입자를 포함하여 형성된 것인, 반사방지막
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제 1 항에 있어서, 상기 구형 나노입자의 표면에 형성된 텍스쳐는 습식 에칭에 의하여 형성된 것인, 반사방지막
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제 1 항에 있어서, 상기 구형 나노입자의 층의 두께는 10 nm 내지 2000 nm 인, 반사방지막
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제 1 항에 있어서, 상기 구형 나노입자의 층은 하나 이상의 층을 포함하는 것인, 반사방지막
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태양 전지의 수광부 상에 액상 도포에 의하여 구형 나노입자의 층을 형성하는 단계; 및상기 구형 나노입자를 습식 에칭하여 상기 구형 나노입자 표면에 텍스쳐(texture)를 형성하는 단계를 포함하며,상기 습식 에칭은 불산을 포함하는 산 용액에 의해 수행되는 것인, 반사방지막의 제조방법
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제 8 항에 있어서, 상기 구형 나노입자의 층을 형성하는 단계는 졸-겔 코팅에 의하여 수행되는 것인, 반사방지막의 제조방법
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제 8 항에 있어서, 상기 액상 도포는 스핀 코팅(spin coating), 딥 코팅(dip coating) 또는 스프레이 코팅(spray coating), 플로우 코팅(flow coating), 바(bar) 코팅, 리버스 코팅(reverse coating), 플렉소 그래픽 프린팅(flexographic printing)법, 또는 프린팅 법에 의해 수행되는 것인, 반사방지막의 제조 방법
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제 8 항에 있어서, 상기 구형 나노입자의 층을 형성하는 단계 후에 상기 구형 나노입자의 층을 열처리하는 단계를 추가 포함하는, 반사방지막의 제조 방법
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제 12 항에 있어서, 상기 열처리는 200℃ 내지 1,000℃에서 수행되는 것인, 반사방지막의 제조 방법
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제 8 항에 있어서, 상기 습식 에칭은 산 용액을 이용하여 연무법 또는 침전법에 의하여 수행되는 것인, 반사방지막의 제조 방법
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제 14 항에 있어서, 상기 산 용액은 불산, 질산 및 물을 포함하는 것인, 반사방지막의 제조 방법
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제 15 항에 있어서, 상기 산 용액에 포함된 불산 : 질산 : 물의 부피비는 1 : 0 : 4 내지 5 : 4 : 18 인, 반사방지막의 제조 방법
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제 14 항에 있어서, 상기 습식 에칭 시간은 0 초과 내지 10 분 이하인, 반사방지막의 제조 방법
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제 14 항에 있어서, 상기 태양전지의 수광부는 실리콘 기판을 포함하는 것인, 반사방지막의 제조 방법
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제 1 도전형의 베이스 실리콘 기판;상기 베이스 실리콘 기판 상에 형성되며, 상기 제 1 도전형과 반대되는 제 2 도전형의 실리콘 에미터층; 및상기 실리콘 에미터층 상에 형성되며, 텍스쳐(texture)가 형성되어 있는 구형 나노입자의 층을 포함하는, 제 1 항 및 제 3 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 따른 반사방지막을 포함하는, 태양전지
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제 19 항에 있어서, 상기 반사방지막은 600 nm의 측정 기준 파장에서의 굴절율이 1
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제 19 항에 있어서, 상기 구형 나노입자의 직경은 10 nm 내지 1000 nm 인, 태양전지
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제 19 항에 있어서, 상기 구형 나노입자는 SiO2, ZnO, TiO2, Ta의 산화물, Hf의 산화물, V의 산화물, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 산화물 구형 나노입자를 포함하여 형성된 것인, 태양전지
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제 19 항에 있어서, 상기 구형 나노입자의 층의 두께는 10 nm 내지 2000 nm 인, 태양전지
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제 19 항에 있어서, 상기 구형 나노입자의 층은 하나 이상의 층을 포함하는 것인, 태양전지
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