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나노와이어 소자 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014059712
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 나노와이어를 이용하여 기판에 나노 패턴을 형성시켜 제조단가를 저감할 수 있는 나노와이어 소자 제조 방법을 제공하는 것에 그 목적이 있다.상기의 목적 달성을 위하여 본 발명은, 기판 상에 제1나노와이어를 생성하는 제1단계; 상기 기판 상단에 제1나노와이어의 길이보다 작은 절연막을 형성하는 제2단계; 상기 제1나노와이어를 제거하여 절연막에 의한 나노패턴을 형성하는 제3단계; 상기 나노패턴의 홀에 제2나노와이어 코어부를 형성하는 제4단계; 상기 제2나노와이어 코어부 표면에 쉘부를 형성하는 제5단계; 및 상기 제2나노와이어 쉘부의 상단을 서로 연결하는 전극을 형성하는 제6단계를 포함한다.
Int. CL H01L 21/336 (2006.01) H01L 33/00 (2010.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC H01L 21/28(2013.01)
출원번호/일자 1020120089170 (2012.08.14)
출원인 울산과학기술원 산학협력단
등록번호/일자 10-1431820-0000 (2014.08.12)
공개번호/일자 10-2014-0022328 (2014.02.24) 문서열기
공고번호/일자 (20140819) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.08.14)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 울산과학기술원 산학협력단 대한민국 울산광역시 울주군

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최경진 대한민국 서울특별시 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이학수 대한민국 부산광역시 연제구 법원로 **, ****호(이학수특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 울산과학기술원 울산광역시 울주군
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.08.14 수리 (Accepted) 1-1-2012-0653121-61
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2013-5002604-31
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0676146-66
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.12.02 수리 (Accepted) 1-1-2013-1098745-80
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2013-1205198-93
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.02.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0104509-19
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.02.03 수리 (Accepted) 1-1-2014-0104442-59
8 등록결정서
Decision to grant		 2014.04.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0291204-87
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.12.31 수리 (Accepted) 4-1-2015-5176347-51
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상면을 폴리라이신으로 코팅한 후, 무촉매 방식의 유기 금속 화학 증착법으로 제1나노와이어를 생성하는 제1단계;상기 기판 상단에 제1나노와이어의 길이보다 작은 절연막을 형성하는 제2단계;상기 제1나노와이어를 제거하여 절연막에 의한 나노패턴을 형성하는 제3단계;상기 나노패턴의 홀에 제2나노와이어 코어부를 형성하는 제4단계;상기 제2나노와이어 코어부 표면에 쉘부를 형성하는 제5단계; 및상기 제2나노와이어 쉘부의 상단을 서로 연결하는 전극을 형성하는 제6단계를 포함하는 나노와이어 소자 제조 방법
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 제1나노와이어는 II-VI족, IV-VI족 화합물 반도체와 IV족 반도체와 그 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 나노와이어 소자 제조 방법
3 3
청구항 2에 있어서, 상기 제1나노와이어는 InAs인 것을 특징으로 하는 나노와이어 소자 제조 방법
4 4
청구항 1에 있어서, 상기 기판은 이측의 전극으로 이용하기 위하여 전도성 재질인 것을 특징으로 하는 나노와이어 소자 제조 방법
5 5
청구항 4에 있어서, 상기 기판은 n형 또는 p형이 도핑된 실리콘인 것을 특징으로 하는 나노와이어 소자 제조 방법
6 6
청구항 1에 있어서, 상기 절연막은 강유전성 절연체, 무기절연체 및 유기절연체에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 나노와이어 소자 제조 방법
7 7
삭제
8 8
청구항 6에 있어서, 상기 절연막의 두께는 100nm 내지 1㎛인 것을 특징으로 하는 나노와이어 소자 제조 방법
9 9
청구항 1에 있어서, 상기 제2나노와이어 코어부와 쉘부는 II-VI족, IV-VI족 화합물 반도체와 IV족 반도체와 그 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 나노와이어 소자 제조 방법
10 10
청구항 9에 있어서, 상기 제2나노와이어 코어부와 쉘부는 GaAs인 것을 특징으로 하는 나노와이어 소자 제조 방법
11 11
청구항 10에 있어서, 상기 제2나노와이어 코어부는 n형으로 도핑되고, 상기 제2나노와이어 쉘부는 p형으로 도핑되고, 상기 기판은 n형으로 도핑되는 것을 특징으로 하는 나노와이어 소자 제조 방법
12 12
청구항 11에 있어서, 상기 제2나노와이어 쉘부 상단에 연결되는 금속을 더 포함하며, 상기 제2나노와이어의 중간에는 폴리머를 더 포함하며, 상기 금속과 상기 기판을 통하여 외부와 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 나노와이어 소자 제조 방법
13 13
청구항 12에 있어서, 상기 금속은 ITO 전극인 것을 특징으로 하는 나노와이어 소자 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 울산과학기술대학교 산학협력단 국가그린나노기술개발사업 III족 비소계 이종접합 구조 나노선 기반의 광전변환 효율 10%급 태양전지