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그라핀을 이용하는 발광 다이오드

  • 기술번호 : KST2014059714
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 그라핀을 전극구조에 이용하는 발광 다이오드가 개시된다. p형 반도체층 또는 n형 반도체층 상부에 금속 전극이 형성되고, 금속 전극의 상부에 그라핀층이 형성된다. 그라핀층은 광투과율을 가지고, 전류확산 기능을 수행한다. 또한, 그라핀층 상부에는 추가 금속막이 형성되어 그라핀층은 금속 전극에 용이하게 접착될 수 있다.
Int. CL H01L 33/40 (2010.01.01) H01L 33/38 (2010.01.01)
CPC H01L 33/40(2013.01) H01L 33/40(2013.01)
출원번호/일자 1020110040021 (2011.04.28)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1285925-0000 (2013.07.08)
공개번호/일자 10-2012-0122057 (2012.11.07) 문서열기
공고번호/일자 (20130712) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.05.08)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박원일 대한민국 서울특별시 노원구
2 이정민 대한민국 서울특별시 성북구
3 정해용 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.04.28 수리 (Accepted) 1-1-2011-0315976-07
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2011.07.08 수리 (Accepted) 1-1-2011-0526145-76
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2012.05.08 수리 (Accepted) 1-1-2012-0365182-13
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.12.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.01.10 수리 (Accepted) 9-1-2013-0002470-87
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.03.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0162809-62
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.05.07 수리 (Accepted) 1-1-2013-0402324-47
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.05.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0402332-13
9 등록결정서
Decision to grant
2013.07.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0466237-08
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
11 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2015.01.09 수리 (Accepted) 1-1-2015-0023714-85
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 형성되고, 전자와 정공의 재결합에 의해 광을 형성하기 위한 발광 구조체;상기 발광 구조체 상에 형성된 금속 전극;상기 금속 전극 상에 형성된 그라핀층; 및상기 그라핀층 상에 형성된 추가 금속막을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
2 2
제1항에 있어서, 상기 그라핀층은 전류 확산 동작을 수행하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
3 3
제1항에 있어서, 상기 발광 구조체는,기판 상에 형성되고 전자를 공급하는 n형 반도체층;상기 n형 반도체층 상에 형성된 발광층; 및상기 발광층 상에 형성되고, 상기 발광층에 정공을 공급하는 p형 반도체층을 포함하고,상기 금속 전극은 상기 p형 반도체층 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
4 4
제3항에 있어서, 상기 금속 전극과 상기 p형 반도체층 사이에는 TCO를 포함하는 전류확산층이 더 포함되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
5 5
제1항에 있어서, 상기 발광 구조체는 n형 반도체층, 발광층 및 p형 반도체층을 포함하고, 상기 금속 전극은 상기 n형 반도체층 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
6 6
삭제
7 7
제1항에 있어서, 상기 추가 금속막은 1nm 내지 4nm의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
8 8
삭제
9 9
제1항에 있어서, 상기 그라핀층은 1 내지 4 층의 적층구조를 가지는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부(과기부) 한양대학교 이공분야기초연구사업>일반연구자지원사업>기본연구지원사업>기본연구지원사업(유형I) 저차원 나노구조체를 이용한 나노스케일 발열체 제조 및 응용