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자성중심 덴드리머 및 이를 이용하여 오염물질을 분리하는 방법

  • 기술번호 : KST2014059743
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 자성중심 덴드리머및 이를 이용한 오염물질 제거 방법으로서, -EDTA, -COOH, -OH, -CH3 말단기를 갖는 자성중심 덴드리머를 합성하여, 다양한 종류의 오염물질을 효과적으로 분리 및 제거할 수 있다.
Int. CL C08G 83/00 (2006.01.01) B01J 20/22 (2006.01.01) B01J 20/28 (2006.01.01) C02F 1/28 (2006.01.01)
CPC C08G 83/003(2013.01) C08G 83/003(2013.01) C08G 83/003(2013.01) C08G 83/003(2013.01) C08G 83/003(2013.01) C08G 83/003(2013.01)
출원번호/일자 1020110060341 (2011.06.21)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1309253-0000 (2013.09.10)
공개번호/일자 10-2012-0140537 (2012.12.31) 문서열기
공고번호/일자 (20130917) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.06.21)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박재우 대한민국 서울특별시 서초구
2 장준원 대한민국 서울특별시 노원구
3 김령주 대한민국 경기도 남양주시
4 여인환 대한민국 서울특별시 성동구
5 이한욱 대한민국 경기도 포천시
6 조은경 대한민국 서울특별시 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.06.21 수리 (Accepted) 1-1-2011-0472506-55
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.02.24 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.03.21 수리 (Accepted) 9-1-2012-0023003-81
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.03.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0197619-03
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.04.30 수리 (Accepted) 1-1-2013-0382210-82
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.04.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0382229-48
7 등록결정서
Decision to grant
2013.09.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0609307-61
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하기 식 (1) 내지 (4) 중에서 선택된 어느 하나의 반복단위를 포함하는 자성중심 덴드리머:상기 식 (1) 내지 (4)에서, MNP는 자성 나노입자이다
2 2
제1항에 있어서, 상기 MNP(자성 나노입자)는 철나노입자인 것을 특징으로 하는 자성중심 덴드리머
3 3
하기 003c#반응식 1003e#에 따라 하기 식 (1)의 반복단위를 포함하는 자성중심 덴드리머를 제조하는 방법:003c#반응식 1003e#
4 4
하기 003c#반응식 2003e#에 따라 하기 식 (2)의 반복단위를 포함하는 자성중심 덴드리머를 제조하는 방법:003c#반응식 2003e#
5 5
하기 003c#반응식 3003e#에 따라 하기 식 (3)의 반복단위를 포함하는 자성중심 덴드리머를 제조하는 방법:003c#반응식 3003e#
6 6
하기 003c#반응식 4003e#에 따라 하기 식 (4)의 반복단위를 포함하는 자성중심 덴드리머를 제조하는 방법:003c#반응식 4003e#
7 7
제1항에 따른 자성중심 덴드리머를 이용한 오염물질의 분리 방법으로서, 상기 자성중심 덴드리머로오염물질을 흡착시키는 단계; 및 상기 오염물질이 흡착된 덴드리머를 자석을 이용하여 분리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 오염물질의 분리 방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 오염물질은 카드뮴인 것을 특징으로 하는 오염물질의 분리 방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 카드뮴의 분리는 pH 4 이상의 용액에서 수행되는 것을 특징으로 하는 오염물질의 분리 방법
10 10
제7항에 있어서, 상기 오염물질이 흡착된 자성중심 덴드리머를 pH 4 미만으로 처리하여 오염물질과 자성중심 덴드리머를 탈착시킴으로써 오염물질 분리에 재사용하는 것을 특징으로 하는 오염물질의 분리방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.