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극자외선 노광용 마스크 및 그의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014059833
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 극자외선 노광용 마스크를 제공한다. 극자외선 노광용 마스크는 기판; 상기 기판 상에 형성된 반사층; 및 상기 반사층 상에 형성된 흡수체층을 포함하고, 상기 흡수체층은 제1 흡수체층 및 상기 제1 흡수체층의 양 측면 중 극자외선이 직접 수광되는 측면에 배치된 반사방지막 또는 극자외선이 직접 수광되지 않는 측면에 배치된 그림자방지막을 포함하고, 상기 반사방지막 또는 그림자방지막은 13.5nm 파장대에서 0.95 내지 0.999의 굴절률 및 0.001 내지 0.03의 소광계수를 갖는 물질로 구성된 극자외선 노광용 마스크를 포함한다. 따라서, 흡수체층의 두께를 낮추지 않고도 흡수체 물질의 광학상수 조절을 통하여 그림자 효과를 완화시켜 수직-수평 임계치수 바이어스를 감소시킬 수 있다.
Int. CL G03F 1/22 (2012.01) G03F 1/24 (2012.01)
CPC G03F 1/24(2013.01) G03F 1/24(2013.01) G03F 1/24(2013.01) G03F 1/24(2013.01) G03F 1/24(2013.01) G03F 1/24(2013.01)
출원번호/일자 1020120014265 (2012.02.13)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1285975-0000 (2013.07.08)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20130712) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.02.13)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안진호 대한민국 서울 강남구
2 이상설 대한민국 경기 용인시 수지구
3 이인환 대한민국 서울 강남구
4 홍성철 대한민국 서울 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.02.13 수리 (Accepted) 1-1-2012-0113428-51
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.04.01 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.04.26 수리 (Accepted) 9-1-2013-0030412-40
4 등록결정서
Decision to grant
2013.05.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0336062-44
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 상에 형성된 반사층; 및상기 반사층 상에 형성된 흡수체층을 포함하고,상기 흡수체층은 제1 흡수체층 및 상기 제1 흡수체층의 양 측면 중 극자외선이 직접 수광되는 측면에 배치된 반사방지막을 포함하고,상기 반사방지막은 13
2 2
제1항에 있어서,상기 반사층은 Mo/Si, Mo/Be 및 MoRu/Be로 구성된 군에서 선택된 어느 하나를 반복적으로 적층하여 형성된 것인 극자외선 노광용 마스크
3 3
제1항에 있어서,상기 제1 흡수체층은 Ta, TaN, TaBN, TaBO, TaON 및 TaO로 구성된 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 극자외선 노광용 마스크
4 4
제1항에 있어서,상기 반사방지막은 13
5 5
제1항에 있어서,상기 반사방지막은 Ti, C, Tb, U, Lu, Dy, Er, Tm, Ho, Gd, Nd, Sc, Sm, Pm, Eu, Pr, Yb, As, Sr3LiRhO6, Na2RhO3, TbO, Tb2O3, DyCl3, DyBr3, LuCl3, ErCl3, ErBr3, TmCl3, TmBr3, HoCl3, HoBr3, Gd2O3, Gd5Si2Ge2, GdCl3, GdBr3, Nd2O3, NdCl3, NdBr3, NdS, Nd2S3, NdN, NdP, Nd4C3, Sc2O3, ScF3, ScCl3, Y2O3, YF3, YCl3, YBr3, Sm2O3, SmO, SmS, SmSe, SmCl3, SmBr3, SmB6, SmB4, SmP, Pm2O3, PmCl3, PmBr3, Eu2O3, EuS, EuF3, EuCl3, EuBr3, PrO2, Pr2O3, Pr6O11, PrF3, PrCl3, PrBr3, PrS, Pr2S3, PrSe, PrN, Yb2O3, YbCl3, YbBr3, GaAs, La2O3, LaF3, LaCl3, CeO2, CeF3, CeCl3 및 CeBr3로 구성된 군에서 선택된 어느 하나로 구성된 극자외선 노광용 마스크
6 6
기판;상기 기판 상에 형성된 반사층; 및상기 반사층 상에 형성된 흡수체층을 포함하고,상기 흡수체층은 제1 흡수체층 및 상기 제1 흡수체층의 양 측면 중 극자외선이 직접 수광되지 않는 측면에 배치된 그림자방지막을 포함하고,상기 그림자방지막은 13
7 7
제6항에 있어서,상기 반사층은 Mo/Si, Mo/Be 및 MoRu/Be로 구성된 군에서 선택된 어느 하나를 반복적으로 적층하여 형성된 것인 극자외선 노광용 마스크
8 8
제6항에 있어서,상기 제1 흡수체층은 Ta, TaN, TaBN, TaBO, TaON 및 TaO로 구성된 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 극자외선 노광용 마스크
9 9
제6항에 있어서,상기 그림자방지막은 13
10 10
제6항에 있어서,상기 그림자방지막은 Ti, C, Tb, U, Lu, Dy, Er, Tm, Ho, Gd, Nd, Sc, Sm, Pm, Eu, Pr, Yb, As, Sr3LiRhO6, Na2RhO3, TbO, Tb2O3, DyCl3, DyBr3, LuCl3, ErCl3, ErBr3, TmCl3, TmBr3, HoCl3, HoBr3, Gd2O3, Gd5Si2Ge2, GdCl3, GdBr3, Nd2O3, NdCl3, NdBr3, NdS, Nd2S3, NdN, NdP, Nd4C3, Sc2O3, ScF3, ScCl3, Y2O3, YF3, YCl3, YBr3, Sm2O3, SmO, SmS, SmSe, SmCl3, SmBr3, SmB6, SmB4, SmP, Pm2O3, PmCl3, PmBr3, Eu2O3, EuS, EuF3, EuCl3, EuBr3, PrO2, Pr2O3, Pr6O11, PrF3, PrCl3, PrBr3, PrS, Pr2S3, PrSe, PrN, Yb2O3, YbCl3, YbBr3, GaAs, La2O3, LaF3, LaCl3, CeO2, CeF3, CeCl3 및 CeBr3로 구성된 군에서 선택된 어느 하나로 구성된 극자외선 노광용 마스크
11 11
기판;상기 기판 상에 형성된 반사층; 및상기 반사층 상에 형성된 흡수체층을 포함하고,상기 흡수체층은 제1 흡수체층, 상기 제1 흡수체층의 양 측면 중 극자외선이 직접 수광되는 측면에 배치된 반사방지막 및 상기 제1 흡수체층의 양 측면 중 극자외선이 직접 수광되지 않는 측면에 배치된 그림자방지막을 포함하고,상기 반사방지막 및 그림자방지막은 13
12 12
제11항에 있어서,상기 반사층은 Mo/Si, Mo/Be 및 MoRu/Be로 구성된 군에서 선택된 어느 하나를 반복적으로 적층하여 형성된 것인 극자외선 노광용 마스크
13 13
제11항에 있어서,상기 제1 흡수체층은 Ta, TaN, TaBN, TaBO, TaON 및 TaO로 구성된 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 극자외선 노광용 마스크
14 14
제11항에 있어서,상기 반사방지막은 13
15 15
제11항에 있어서,상기 그림자방지막은 13
16 16
제11항에 있어서,상기 반사방지막 또는 상기 그림자방지막은 Ti, C, Tb, U, Lu, Dy, Er, Tm, Ho, Gd, Nd, Sc, Sm, Pm, Eu, Pr, Yb, As, Sr3LiRhO6, Na2RhO3, TbO, Tb2O3, DyCl3, DyBr3, LuCl3, ErCl3, ErBr3, TmCl3, TmBr3, HoCl3, HoBr3, Gd2O3, Gd5Si2Ge2, GdCl3, GdBr3, Nd2O3, NdCl3, NdBr3, NdS, Nd2S3, NdN, NdP, Nd4C3, Sc2O3, ScF3, ScCl3, Y2O3, YF3, YCl3, YBr3, Sm2O3, SmO, SmS, SmSe, SmCl3, SmBr3, SmB6, SmB4, SmP, Pm2O3, PmCl3, PmBr3, Eu2O3, EuS, EuF3, EuCl3, EuBr3, PrO2, Pr2O3, Pr6O11, PrF3, PrCl3, PrBr3, PrS, Pr2S3, PrSe, PrN, Yb2O3, YbCl3, YbBr3, GaAs, La2O3, LaF3, LaCl3, CeO2, CeF3, CeCl3 및 CeBr3로 구성된 군에서 선택된 어느 하나로 구성된 극자외선 노광용 마스크
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한양대학교 산학협력단 기초연구사업(중견연구자지원사업) 반도체 극한 패터닝을 위한 마스크 소재 및 마스크 특성평가 기술연구