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1
기판;상기 기판 상에 형성된 반사층; 및상기 반사층 상에 형성된 흡수체층을 포함하고,상기 흡수체층은 제1 흡수체층 및 상기 제1 흡수체층의 양 측면 중 극자외선이 직접 수광되는 측면에 배치된 반사방지막을 포함하고,상기 반사방지막은 13
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2 |
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제1항에 있어서,상기 반사층은 Mo/Si, Mo/Be 및 MoRu/Be로 구성된 군에서 선택된 어느 하나를 반복적으로 적층하여 형성된 것인 극자외선 노광용 마스크
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제1항에 있어서,상기 제1 흡수체층은 Ta, TaN, TaBN, TaBO, TaON 및 TaO로 구성된 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 극자외선 노광용 마스크
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제1항에 있어서,상기 반사방지막은 13
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5
제1항에 있어서,상기 반사방지막은 Ti, C, Tb, U, Lu, Dy, Er, Tm, Ho, Gd, Nd, Sc, Sm, Pm, Eu, Pr, Yb, As, Sr3LiRhO6, Na2RhO3, TbO, Tb2O3, DyCl3, DyBr3, LuCl3, ErCl3, ErBr3, TmCl3, TmBr3, HoCl3, HoBr3, Gd2O3, Gd5Si2Ge2, GdCl3, GdBr3, Nd2O3, NdCl3, NdBr3, NdS, Nd2S3, NdN, NdP, Nd4C3, Sc2O3, ScF3, ScCl3, Y2O3, YF3, YCl3, YBr3, Sm2O3, SmO, SmS, SmSe, SmCl3, SmBr3, SmB6, SmB4, SmP, Pm2O3, PmCl3, PmBr3, Eu2O3, EuS, EuF3, EuCl3, EuBr3, PrO2, Pr2O3, Pr6O11, PrF3, PrCl3, PrBr3, PrS, Pr2S3, PrSe, PrN, Yb2O3, YbCl3, YbBr3, GaAs, La2O3, LaF3, LaCl3, CeO2, CeF3, CeCl3 및 CeBr3로 구성된 군에서 선택된 어느 하나로 구성된 극자외선 노광용 마스크
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6 |
6
기판;상기 기판 상에 형성된 반사층; 및상기 반사층 상에 형성된 흡수체층을 포함하고,상기 흡수체층은 제1 흡수체층 및 상기 제1 흡수체층의 양 측면 중 극자외선이 직접 수광되지 않는 측면에 배치된 그림자방지막을 포함하고,상기 그림자방지막은 13
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7
제6항에 있어서,상기 반사층은 Mo/Si, Mo/Be 및 MoRu/Be로 구성된 군에서 선택된 어느 하나를 반복적으로 적층하여 형성된 것인 극자외선 노광용 마스크
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8
제6항에 있어서,상기 제1 흡수체층은 Ta, TaN, TaBN, TaBO, TaON 및 TaO로 구성된 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 극자외선 노광용 마스크
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제6항에 있어서,상기 그림자방지막은 13
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10
제6항에 있어서,상기 그림자방지막은 Ti, C, Tb, U, Lu, Dy, Er, Tm, Ho, Gd, Nd, Sc, Sm, Pm, Eu, Pr, Yb, As, Sr3LiRhO6, Na2RhO3, TbO, Tb2O3, DyCl3, DyBr3, LuCl3, ErCl3, ErBr3, TmCl3, TmBr3, HoCl3, HoBr3, Gd2O3, Gd5Si2Ge2, GdCl3, GdBr3, Nd2O3, NdCl3, NdBr3, NdS, Nd2S3, NdN, NdP, Nd4C3, Sc2O3, ScF3, ScCl3, Y2O3, YF3, YCl3, YBr3, Sm2O3, SmO, SmS, SmSe, SmCl3, SmBr3, SmB6, SmB4, SmP, Pm2O3, PmCl3, PmBr3, Eu2O3, EuS, EuF3, EuCl3, EuBr3, PrO2, Pr2O3, Pr6O11, PrF3, PrCl3, PrBr3, PrS, Pr2S3, PrSe, PrN, Yb2O3, YbCl3, YbBr3, GaAs, La2O3, LaF3, LaCl3, CeO2, CeF3, CeCl3 및 CeBr3로 구성된 군에서 선택된 어느 하나로 구성된 극자외선 노광용 마스크
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11
기판;상기 기판 상에 형성된 반사층; 및상기 반사층 상에 형성된 흡수체층을 포함하고,상기 흡수체층은 제1 흡수체층, 상기 제1 흡수체층의 양 측면 중 극자외선이 직접 수광되는 측면에 배치된 반사방지막 및 상기 제1 흡수체층의 양 측면 중 극자외선이 직접 수광되지 않는 측면에 배치된 그림자방지막을 포함하고,상기 반사방지막 및 그림자방지막은 13
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12
제11항에 있어서,상기 반사층은 Mo/Si, Mo/Be 및 MoRu/Be로 구성된 군에서 선택된 어느 하나를 반복적으로 적층하여 형성된 것인 극자외선 노광용 마스크
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13
제11항에 있어서,상기 제1 흡수체층은 Ta, TaN, TaBN, TaBO, TaON 및 TaO로 구성된 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 극자외선 노광용 마스크
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제11항에 있어서,상기 반사방지막은 13
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15
제11항에 있어서,상기 그림자방지막은 13
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제11항에 있어서,상기 반사방지막 또는 상기 그림자방지막은 Ti, C, Tb, U, Lu, Dy, Er, Tm, Ho, Gd, Nd, Sc, Sm, Pm, Eu, Pr, Yb, As, Sr3LiRhO6, Na2RhO3, TbO, Tb2O3, DyCl3, DyBr3, LuCl3, ErCl3, ErBr3, TmCl3, TmBr3, HoCl3, HoBr3, Gd2O3, Gd5Si2Ge2, GdCl3, GdBr3, Nd2O3, NdCl3, NdBr3, NdS, Nd2S3, NdN, NdP, Nd4C3, Sc2O3, ScF3, ScCl3, Y2O3, YF3, YCl3, YBr3, Sm2O3, SmO, SmS, SmSe, SmCl3, SmBr3, SmB6, SmB4, SmP, Pm2O3, PmCl3, PmBr3, Eu2O3, EuS, EuF3, EuCl3, EuBr3, PrO2, Pr2O3, Pr6O11, PrF3, PrCl3, PrBr3, PrS, Pr2S3, PrSe, PrN, Yb2O3, YbCl3, YbBr3, GaAs, La2O3, LaF3, LaCl3, CeO2, CeF3, CeCl3 및 CeBr3로 구성된 군에서 선택된 어느 하나로 구성된 극자외선 노광용 마스크
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