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상부에 형성된 나노 패턴;상기 나노 패턴 내부에 함유되는 복수개의 색변환 나노입자 및 상기 색변환 나노입자들 사이에 분포하여 상기 색변환 나노입자들 간의 밀집을 억제하는 복수개의 광산란 나노입자를 포함하는 광결정 구조체
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제1항에 있어서,상기 색변환 나노입자는 10 중량% ∼ 50 중량%, 상기 광산란 나노입자는 50 중량% ∼ 90중량%가 함유된 광결정 구조체
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제1항에 있어서,상기 색변환 나노입자는 양자점인 광결정 구조체
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제1항에 있어서,상기 광산란 나노입자는 금속 산화물 나노입자인 광결정 구조체
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화합물 반도체층을 가지는 발광 다이오드; 및상기 발광 다이오드의 상부에 형성되는 광결정 구조체를 포함하되,상기 광결정 구조체는 상부에 나노 패턴을 가지며, 상기 나노 패턴 내부에 복수개의 색변환 나노입자와 상기 색변환 나노입자들 사이에 분포하여 상기 색변환 나노입자들 간의 밀집을 억제하는 복수개의 광산란 나노입자를 함유하는 발광 다이오드
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제6항에 있어서,상기 색변환 나노입자는 10 중량% ∼ 50 중량%, 상기 광결정은 50 중량% ∼ 90중량%가 함유된 발광 다이오드
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제6항에 있어서,상기 색변환 나노입자는 양자점인 발광 다이오드
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제9항에 있어서,상기 양자점은 II-VI족 반도체 화합물 양자점 또는 III-V 족 반도체 화합물 양자점인 발광 다이오드
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제6항에 있어서,상기 색변환 나노입자는 형광체이고,상기 형광체는 적색 무기 형광체, 녹색 무기 형광체 또는 청색 무기 형광체, 및 이들의 조합인 발광 다이오드
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12
제6항에 있어서,상기 광산란 나노입자는 금속 산화물 나노입자인 발광 다이오드
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제12항에 있어서,상기 금속 산화물 나노입자는 SiO2, TiO2, ZnO, Al2O3, Ta2O5, HfO2 및 ZrO2 중에서 선택되는 적어도 어느 하나를 함유하는 발광 다이오드
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제6항에 있어서,상기 발광 다이오드는 청색광을 방출하는 발광 다이오드이며, 상기 색변환 나노입자는 Zn1-xCdxS1-ySey (0≤x≤1, 0≤y≤1)이고, 상기 광산란 나노입자는 TiO2인 발광 다이오드
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스탬프 상에 색변환 나노입자와 광산란 나노입자가 분산된 졸 솔루션을 형성하는 단계;기판 상에 코팅막을 형성하는 단계; 상기 기판 상에, 상기 졸 솔루션이 상기 기판과 접촉하도록 상기 스탬프를 배치하는 단계;상기 기판과 상기 스탬프를 접촉시키고, 가열 및 가압하는 단계; 및상기 스탬프를 제거하는 단계를 포함하는 광결정 구조체의 제조방법
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제15항에 있어서,상기 코팅막은 물을 스핀 코팅하여 형성되는 광결정 구조체의 제조방법
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제15항에 있어서,상기 기판은 발광 다이오드인 광결정 구조체의 제조방법
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제15항에 있어서,상기 가열 온도는 100℃ 내지 200℃인 광결정 구조체의 제조방법
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제15항에 있어서,상기 가압시의 압력은 1 atm ∼ 20 atm인 광결정 구조체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 색변환 나노입자는 형광체인 광결정 구조체
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