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기판;상기 기판 상에 배치된 InGaP층;상기 InGaP층 상에 배치된 GaAs층; 및상기 GaAs층 상에 유기금속 중 IBuGe(Iso-Butyl Germane)을 화학 기상 증착법에 따라 에피탁시얼 성장된 Ge층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지
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제1항에 있어서, 상기 Ge층은,캐리어의 재결합을 방지하는 BSF(Back Surface Field)층을 포함하는 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지
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제2항에 있어서, 상기 BSF층은InGaP로 형성되는 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지
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InGaP층 또는 AlInGaP층;상기 InGaP층 또는 상기 AlInGaP층 상에 배치된 GaAs층;상기 GaAs층 상에 배치된 InGaAs층 또는 InGaN층;상기 InGaAs층 또는 InGaN층 상에 배치된 Ge층; 및상기 Ge층 상에 배치된 기판;을 포함하고,상기 Ge층은,상기 InGaAs층 또는 상기 InGaN층 상에 유기금속 중 IBuGe(Iso-Butyl Germane)을 화학 기상 증착법에 따라 에피탁시얼 성장된 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지
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제4항에 있어서, 상기 InGaAs층 또는 InGaN층은In과 Ga의 조성을 조절하여 형성되는 적어도 2이상의 완충층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지
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제4항에 있어서, 상기 Ge층은,캐리어의 재결합을 방지하는 BSF(Back Surface Field)층을 포함하는 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지
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제6항에 있어서, 상기 BSF층은InGaP로 형성되는 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지
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(a) 제1 기판을 준비하는 단계;(b) 상기 제1 기판에 InGaP층 및 GaAs층을 순서대로 성장시키는 단계;(c) 상기 GaAs층에 IBuGe(IsoButylGermane)을 이용한 화학 기상 증착법으로 Ge층을 성장시키는 단계;(d) 상기 Ge층에 제2 기판을 형성하는 단계; 및(e) 상기 제1 기판을 제거하는 단계를 포함하는 다중접합 태양전지의 제작방법
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제8항에 있어서, 상기 (c)단계는상기 다중접합 태양전지에서 생성되는 캐리어의 재결합을 방지하기 위한 BSF(Back Surface Field)층이 형성되는 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지의 제작방법
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제9항에 있어서, 상기 BSF층은InGaP로 형성되는 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지의 제작방법
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제8항에 있어서, 상기 (d)단계에서 상기 제2 기판의 형성은 상기 Ge층에 금속기판을 솔더링(soldering)하거나 상기 Ge층에서 금속기판을 성장시켜 형성하는 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지의 제작방법
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제8항에 있어서, 상기 (e)단계는에피택시얼 리프트 오프(epitaxial lift-off) 방법으로 상기 제1 기판을 제거하는 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지의 제작방법
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(a) 제1 기판을 준비하는 단계;(b) 상기 제1 기판에 InGaP층 또는 AlInGaP층, GaAs층, 및 InGaAs층 또는 InGaN층을 순서대로 성장시키는 단계;(c) 상기 InGaAs층 또는 InGaN층에 IBuGe(IsoButylGermane)을 이용한 화학 기상 증착법으로 Ge층을 성장시키는 단계;(d) 상기 Ge층에 제2 기판을 형성하는 단계; 및(e) 상기 제1 기판을 제거하는 단계를 포함하는 다중접합 태양전지의 제작방법
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제13항에 있어서, 상기 (b)단계의 InGaAs층 또는 InGaN층은In과 Ga의 조성을 조절하여 형성되는 적어도 2이상의 완충층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지의 제작방법
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제13항에 있어서, 상기 (c)단계는상기 다중접합 태양전지에서 생성되는 캐리어의 재결합을 방지하기 위한 BSF(Back Surface Field)층이 형성되는 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지의 제작방법
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제15항에 있어서, 상기 BSF층은InGaP로 형성되는 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지의 제작방법
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제13항에 있어서, 상기 (d)단계에서 상기 제2 기판의 형성은 상기 Ge층에 금속기판을 솔더링(soldering)하거나 상기 Ge층에서 금속기판을 성장시켜 형성하는 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지의 제작방법
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제13항에 있어서, 상기 (e)단계는에피택시얼 리프트 오프(epitaxial lift-off) 방법으로 상기 제1 기판을 제거하는 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지의 제작방법
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