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ＩｎＧａＡｓＳｂＮ를 이용한 초고효율 저가형 다중접합 박막 태양전지 제작 방법

기술번호 : KST2014059872
담당센터 : 경기기술혁신센터
전화번호 : 031-8006-1570

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 다중 접합 태양전지 및 그 제작 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 다중 접합 태양전지 제작 방법은 준비된 지지층(substrate)에 InGaP 또는 AlInGaP 태양전지를 성장시키는 (Al)InGaP 태양전지 성장 단계; 상기 (Al)InGaP 태양전지 성장 단계에서 성장된 InGaP 또는 AlInGaP 태양전지에 GaAs 또는 InGaAs 태양전지를 성장시키는 (In)GaAs 태양전지 성장 단계; 및 상기 (In)GaAs 태양전지 성장 단계에서 성장된 GaAs 또는 InGaAs 태양전지에 협폭 밴드갭(Narrow Bandgap)을 갖는 0.8 내지 1.2 eV 물질 태양전지를 성장시키는 0.8 내지 1.2 eV 물질 태양전지 성장 단계를 포함한다. 본발명에 따르면 역 성장(Inverted growth)기술로 제작된 (Al)InGaP/(In)GaAs/InGaAsSbN 및 (Al)InGaP/(In)GaAs/InGaAsSbN/Ge 다중접합 태양전지 구조는 GaAs 기판 제거를 통한 박막태양전지로의 제작이 가능하여 기판 재사용을 통한 뛰어난 가격 경쟁력 구현이 가능하다.
Int. CL	H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/0725 (2012.01) H01L 31/042 (2006.01)
CPC	H01L 31/1848(2013.01) H01L 31/1848(2013.01) H01L 31/1848(2013.01) H01L 31/1848(2013.01) H01L 31/1848(2013.01)
출원번호/일자	1020120045108 (2012.04.30)
출원인	아주대학교산학협력단
등록번호/일자	10-1293120-0000 (2013.07.30)
공개번호/일자
공고번호/일자	(20130812) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2012.04.30)
심사청구항수	19

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	아주대학교산학협력단	대한민국	경기도 수원시 영통구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	이재진	대한민국	서울 양천구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	특허법인우인	대한민국	서울특별시 강남구 역삼로 **, 층(역삼동, 중평빌딩)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	아주대학교산학협력단		경기도 수원시 영통구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2012.04.30	수리 (Accepted)	1-1-2012-0342554-11
2	등록결정서 Decision to grant	2013.07.01	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0454306-24
3	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.01.02	수리 (Accepted)	4-1-2014-5000672-13

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 준비된 지지층(substrate)에 InGaP 또는 AlInGaP 태양전지를 성장시키는 (Al)InGaP 태양전지 성장 단계;상기 (Al)InGaP 태양전지 성장 단계에서 성장된 InGaP 또는 AlInGaP 태양전지에 GaAs 또는 InGaAs 태양전지를 성장시키는 (In)GaAs 태양전지 성장 단계; 및상기 (In)GaAs 태양전지 성장 단계에서 성장된 GaAs 또는 InGaAs 태양전지에 협폭 밴드갭(Narrow Bandgap)을 갖는 0
2	2 제 1 항에 있어서,상기 지지층은 GaAs 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 다중 접합 태양전지 제작 방법
3	3 제 1 항에 있어서,상기 0
4	4 제 1 항에 있어서,상기 다중 접합 태양전지 제작 방법은 상기 0
5	5 제 4 항에 있어서,상기 다중 접합 태양전지 제작 방법은 상기 지지층 분리단계에서 분리된 지지층을 이용하여 상기 태양전지 제작 방법에 따라 상기 태양전지를 재성장 시키는 것을 특징으로 하는 다중 접합 태양전지 제작 방법
6	6 제 4 항에 있어서,상기 지지층 분리 단계는 래핑(lapping) 및 식각 방법을 이용하여 상기 태양전지에서 지지층을 제거 하는 것을 특징으로 하는 다중 접합 태양전지 제작 방법
7	7 제 4 항에 있어서,상기 지지층 분리 단계는 지지층과 InGaP 또는 AlInGaP 태양전지 사이에 형성된 희생층의 선택적 식각을 이용한 에피탁시얼 리프트 오프(epitaxial lift-off) 방법을 이용하여 상기 태양전지에서 지지층을 제거 하는 것을 특징으로 하는 다중 접합 태양전지 제작 방법
8	8 제 7 항에 있어서,상기 희생층은 Al1-xGaxAs (0≤x≤1)로 형성된 것을 특징으로 하는 다중 접합 태양전지 제작 방법
9	9 제 3 항에 있어서,0
10	10 제 4 항에 있어서,상기 지지층 분리 단계에 앞서, 상기 0
11	11 제 10 항에 있어서,상기 태양전지 셀 제작 단계에서 상기 태양전지를 금속 및 전도성 기판에 이식하는 것은 상기 태양전지의 상기 0
12	12 다중 접합 태양전지 제작 방법에 있어서,준비된 지지층(substrate)에 InGaP 또는 AlInGaP 태양전지를 성장시키는 (Al)InGaP 태양전지 성장 단계;상기 (Al)InGaP 태양전지 성장 단계에서 성장된 InGaP 또는 AlInGaP 태양전지에 GaAs 또는 InGaAs 태양전지를 성장시키는 (In)GaAs 태양전지 성장 단계; 상기 (In)GaAs 태양전지 성장 단계에서 성장된 GaAs 또는 InGaAs 태양전지에 협폭 밴드갭(Narrow Bandgap)을 갖는 0
13	13 제 12 항에 있어서,상기 지지층은 GaAs 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 다중 접합 태양전지 제작 방법
14	14 제 12 항에 있어서,상기 0
15	15 제 12 항에 있어서,상기 다중 접합 태양전지 제작 방법은 상기 지지층 분리단계에서 분리된 지지층을 이용하여 상기 태양전지 제작 방법에 따라 상기 태양전지를 재성장 시키는 것을 특징으로 하는 다중 접합 태양전지 제작 방법
16	16 제 12 항에 있어서,상기 지지층 분리 단계는 래핑(lapping) 및 식각 방법을 이용하여 상기 태양전지에서 지지층을 제거 하는 것을 특징으로 하는 다중 접합 태양전지 제작 방법
17	17 제 12 항에 있어서,상기 지지층 분리 단계는 지지층과 InGaP 또는 AlInGaP 태양전지 사이에 형성된 희생층의 선택적 식각을 이용한 에피탁시얼 리프트 오프(epitaxial lift-off) 방법을 이용하여 상기 태양전지에서 지지층을 제거하고 제거된 상기 지지층을 재사용하여 태양전지를 제작하는 것을 특징으로 하는 다중 접합 태양전지 제작 방법
18	18 제 15 항에 있어서,0
19	19 준비된 지지층(substrate)에 InGaP 또는 AlInGaP 태양전지를 성장시키는 (Al)InGaP 태양전지 성장 단계;상기 (Al)InGaP 태양전지 성장 단계에서 성장된 InGaP 또는 AlInGaP 태양전지에 GaAs 또는 InGaAs 태양전지를 성장시키는 (In)GaAs 태양전지 성장 단계; 및상기 (In)GaAs 태양전지 성장 단계에서 성장된 GaAs 또는 InGaAs 태양전지에 협폭 밴드갭(Narrow Bandgap)을 갖는 0

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허 등록번호 표입니다.
특허 등록번호	10-1293120-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20120430 출원 번호 : 1020120045108 공고 연월일 : 20130812 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20130701 청구범위의 항수 : 19 유별 : H01L 31/0725 발명의 명칭 : ＩｎＧａＡｓＳｂＮ를 이용한 초고효율 저가형 다중접합 박막 태양전지 제작 방법 존속기간(예정)만료일 : 20180731

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 아주대학교산학협력단 경기도 수원시 영통구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	393,000 원	2013년 07월 30일	납입
제 4 년분	금 액	320,600 원	2016년 07월 19일	납입
제 5 년분	금 액	320,600 원	2017년 07월 17일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2012.04.30	수리 (Accepted)	1-1-2012-0342554-11
2	등록결정서	2013.07.01	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0454306-24
3	출원인정보변경(경정)신고서	2014.01.02	수리 (Accepted)	4-1-2014-5000672-13


기술번호	KST2014059872
자료제공기관	NTB
기술공급기관	아주대학교
기술명	ＩｎＧａＡｓＳｂＮ를 이용한 초고효율 저가형 다중접합 박막 태양전지 제작 방법
기술개요	본 발명은 다중 접합 태양전지 및 그 제작 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 다중 접합 태양전지 제작 방법은 준비된 지지층(substrate)에 InGaP 또는 AlInGaP 태양전지를 성장시키는 (Al)InGaP 태양전지 성장 단계; 상기 (Al)InGaP 태양전지 성장 단계에서 성장된 InGaP 또는 AlInGaP 태양전지에 GaAs 또는 InGaAs 태양전지를 성장시키는 (In)GaAs 태양전지 성장 단계; 및 상기 (In)GaAs 태양전지 성장 단계에서 성장된 GaAs 또는 InGaAs 태양전지에 협폭 밴드갭(Narrow Bandgap)을 갖는 0.8 내지 1.2 eV 물질 태양전지를 성장시키는 0.8 내지 1.2 eV 물질 태양전지 성장 단계를 포함한다. 본발명에 따르면 역 성장(Inverted growth)기술로 제작된 (Al)InGaP/(In)GaAs/InGaAsSbN 및 (Al)InGaP/(In)GaAs/InGaAsSbN/Ge 다중접합 태양전지 구조는 GaAs 기판 제거를 통한 박막태양전지로의 제작이 가능하여 기판 재사용을 통한 뛰어난 가격 경쟁력 구현이 가능하다.
개발상태	기술개발완료
기술의 우수성
응용분야	태양전지
시장규모 및 동향
희망거래유형	기술매매,라이센스,기술협력,기술지도,M&A,기타,
사업화적용실적
도입시고려사항

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