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나노스피어를 이용한 질화갈륨 나노구조체 형성방법

  • 기술번호 : KST2014059898
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따르면, 기판(10)의 상부면에 복수의 나노스피어(20)를 단일층으로 배열하는 나노스피어 배열단계(S110); 상기 복수의 나노스피어(20)들 간의 간격에 실리카졸 용액을 스며들게 하여, 상기 기판(10)의 상부면에 내측으로 오목한 복수의 반구홈(31)을 갖는 나노패턴(30)을 형성하는 나노패턴 형성단계(S120); 화학적 용해방식 또는 연소방식을 통해 상기 나노스피어(20)를 제거하는 나노스피어 제거단계(S130); 나노스피어(20)가 제거된 나노패턴(30)을 일정온도로 가열하여 나노패턴(30)을 결정화시키는 열처리단계(S140); 결정화된 나노패턴(30)의 각 반구홈(31) 내부에 상부방향으로 성장된 로드(Rod) 형태의 산화아연 나노구조체(40)를 형성하는 산화아연 나노구조체 형성단계(S150); 및 상기 산화아연 나노구조체(40)의 외부면에 질화갈륨(GaN)을 이종결합시켜 질화갈륨 나노구조체(50)를 형성하는 질화갈륨 나노구조체 형성단계(S160);를 포함하는 나노스피어를 이용한 질화갈륨 나노구조체 형성방법이 개시된다.
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 1/00 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC C01B 21/0632(2013.01) C01B 21/0632(2013.01) C01B 21/0632(2013.01) C01B 21/0632(2013.01) C01B 21/0632(2013.01)
출원번호/일자 1020110115572 (2011.11.08)
출원인 울산과학기술원 산학협력단
등록번호/일자 10-1367694-0000 (2014.02.20)
공개번호/일자 10-2013-0050487 (2013.05.16) 문서열기
공고번호/일자 (20140303) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.11.08)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 울산과학기술원 산학협력단 대한민국 울산광역시 울주군

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 백정민 대한민국 울산광역시 울주군
2 예병욱 대한민국 대전광역시 대덕구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 장한특허법인 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로 ***, **층 (서초동, 서초지웰타워)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 울산과학기술원 울산광역시 울주군
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.11.08 수리 (Accepted) 1-1-2011-0878608-14
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2012.01.11 수리 (Accepted) 1-1-2012-0026401-11
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2013-5002604-31
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.04.01 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.05.09 수리 (Accepted) 9-1-2013-0038005-57
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.06.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0404064-64
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.08.13 수리 (Accepted) 1-1-2013-0732621-09
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.08.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0732622-44
9 등록결정서
Decision to grant		 2013.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0802338-04
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.12.31 수리 (Accepted) 4-1-2015-5176347-51
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판(10)의 상부면에 복수의 나노스피어(20)를 단일층으로 배열하는 나노스피어 배열단계(S110);상기 복수의 나노스피어(20)들 간의 간격에 실리카졸 용액을 스며들게 하여, 상기 기판(10)의 상부면에 내측으로 오목한 복수의 반구홈(31)을 갖는 나노패턴(30)을 형성하는 나노패턴 형성단계(S120);상기 나노패턴(30)이 형성된 기판(10)을 상기 나노스피어(20)를 용해시킬 수 있는 용해액에 침지시켜 상기 나노스피어(20)와 용해액 간의 화학적 반응에 따라 상기 나노스피어(20)가 용해되도록 하여 제고하는 화학적 용해방식 또는 상기 기판(10) 및 나노패턴(30)상에 배치된 상기 나노스피어(20)가 연소될 수 있는 온도이상으로 가열하여 상기 나노스피어(20)를 제거하는 연소방식을 통해 상기 나노스피어(20)를 제거하는 나노스피어 제거단계(S130);상기 나노스피어(20)가 제거된 상기 나노패턴(30)을 상기 나노패턴(30)의 재질 또는 제조공정에서 요구되는 강성의 크기에 따라 조절되는 온도로 가열하여 나노패턴(30)을 결정화시키는 열처리단계(S140);결정화된 나노패턴(30)의 각 반구홈(31) 내부에 상부방향으로 성장된 로드(Rod) 형태의 산화아연 나노구조체(40)를 형성하는 산화아연 나노구조체 형성단계(S150); 및상기 산화아연 나노구조체(40)의 외부면에 질화갈륨(GaN)을 이종결합시켜 질화갈륨 나노구조체(50)를 형성하는 질화갈륨 나노구조체 형성단계(S160);를 포함하는 나노스피어를 이용한 질화갈륨 나노구조체 형성방법
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기판(10)의 상부면에 복수의 나노스피어(20)를 단일층으로 배열하는 나노스피어 배열단계(S110);상기 복수의 나노스피어(20)들 간의 간격에 실리카졸 용액을 스며들게 하여, 상기 기판(10)의 상부면에 내측으로 오목한 복수의 반구홈(31)을 갖는 나노패턴(30)을 형성하는 나노패턴 형성단계(S120);상기 나노패턴(30)이 형성된 기판(10)을 상기 나노스피어(20)를 용해시킬 수 있는 용해액에 침지시켜 상기 나노스피어(20)와 용해액 간의 화학적 반응에 따라 상기 나노스피어(20)가 용해되도록 하여 제고하는 화학적 용해방식 또는 상기 기판(10) 및 나노패턴(30)상에 배치된 상기 나노스피어(20)가 연소될 수 있는 온도이상으로 가열하여 상기 나노스피어(20)를 제거하는 연소방식을 통해 상기 나노스피어(20)를 제거하는 나노스피어 제거단계(S130);상기 나노스피어(20)가 제거된 상기 나노패턴(30)을 상기 나노패턴(30)의 재질 또는 제조공정에서 요구되는 강성의 크기에 따라 조절되는 온도로 가열하여 나노패턴(30)을 결정화시키는 열처리단계(S140);결정화된 나노패턴(30)의 각 반구홈(31) 내부에 각뿔(Polypyramid) 형태의 질화갈륨 나노구조체(60)를 형성하는 질화갈륨 나노구조체 형성단계(S170);를 포함하는 나노스피어를 이용한 질화갈륨 나노구조체 형성방법
3 3
제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 나노스피어 제거단계(S130);와 열처리단계(S140);는,상기 기판(10)의 상부면에 형성된 나노패턴(30)을 하기 [수학식 1]과 같이, 상기 나노스피어(20)가 연소되는 연소온도(B)보다 크고, 상기 나노패턴(30)이 가열에 의해 물성이 변화되지 않는 내열온도(C)보다 작은 범위 내에서 정해지는 소정의 온도(A)로 가열하는 방식으로 열처리하여 동시에 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노스피어를 이용한 질화갈륨 나노구조체 형성방법
4 4
삭제
5 5
제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 나노패턴 형성단계(S120);에서,상기 실리카졸 용액을 이용한 스핀코팅(Spin Coating) 방식을 통해 상기 복수의 반구홈(31)을 갖는 나노패턴(30)을 형성하되,상기 나노패턴(30)이 상기 나노스피어(20)의 중심수평선 아래에 형성되도록 회전속도를 조절하여 형성하는 것을 특징으로 하는 나노스피어를 이용한 질화갈륨 나노구조체 형성방법
6 6
제 5항에 있어서,상기 나노패턴 형성단계(S120);에서,상기 실리카졸 용액은,테트라에칠오소실리케이트(Tetraethylorthosilicate), 에탄올 및, 염산을 1:10:1의 비율로 혼합한 혼합물인 것을 특징으로 하는 나노스피어를 이용한 질화갈륨 나노구조체 형성방법
7 7
제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 나노스피어 배열단계(S110)에서,상기 나노스피어(20)의 지름이 100nm 내지 3㎛가 되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 나노스피어를 이용한 질화갈륨 나노구조체 형성 방법
8 8
제 1항 또는 제 2항에 있어서,질화갈륨 나노구조체 형성단계(S160,S170);는,화학기상증착법(CVD : Chemical Vapor Deposition) 또는, 금속유기화학증착법(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition) 중 하나의 방법을 통해 상기 질화갈륨 나노구조체(50,60)를 형성하는 것을 특징으로 하는 나노스피어를 이용한 질화갈륨 나노구조체 형성방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 포항공과대학교산학협력단 전자정보디바이스 산업원천기술개발사업(LED/광) 180 LM/W급 고효율 나노기반 LED 개발