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절연막이 형성된 반도체 기판상에 마스크 패턴을 형성하는 제1단계;상기 마스크의 벽면 및 상부에 불화탄소 함유 플라즈마를 이용하여 제1 보호막을 증착하는 제2단계; 상기 제1 보호막을 식각 마스크로 하여 불화탄소 함유 플라즈마를 이용하여 상기 절연막을 식각하여 콘택홀을 형성하는 제3단계; 및상기 제1보호막과 콘택홀 벽에 불화탄소 함유 플라즈마를 이용하여 제2 보호막을 증착하는 제4단계;를 포함하고, 상기 제1단계의 마스크 패턴은 무정형탄소막(amorphous carbon layer, ACL) 이며, 상기 제3단계와 상기 제4단계는 순차적으로 2회 이상 반복하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 콘택홀 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 제3단계와 상기 제4단계는 순차적으로 10회 내지 50회 반복하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 콘택홀 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 불화탄소 함유 플라즈마는 유도결합플라즈마(ICP)인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 콘택홀 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 불화탄소 함유 플라즈마는 플라즈마 밀도가 1011 내지 1012/cm3 인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 콘택홀 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 제2단계, 상기 제3단계 및 상기 제4단계에서 플라즈마 바이어스 전압을 각각 V2, V3 및 V4라고 할 때 V3 003c# V2 003c# V4인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 콘택홀 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 제2단계, 상기 제3단계 및 상기 제4단계에서 불화탄소 함유 플라즈마에 사용되는 가스는 Cx Fy 계, CaHbFc 계 또는 이들의 조합인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 콘택홀 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 제3단계에서 불화탄소 함유 플라즈마에 사용되는 가스는 산소를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 콘택홀 형성방법
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