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플라즈마를 이용하여 기판을 검사하는 장치에 있어서, 상기 플라즈마가 생성되는 공간을 구비하여 내측으로 공급된 기판의 상부에 플라즈마 및 쉬스를 노출시키는 공정챔버;상기 플라즈마 생성을 위해 상기 공정챔버의 내부에 반응가스를 공급하는 가스공급유닛;상기 기판의 하부에 위치하며, 상기 기판에 형성된 회로의 전류 또는 전압을 측정하는 전기검사유닛; 및상기 플라즈마와 상기 기판 사이에 형성되는 쉬스의 저항 및 전류의 변화를 조절하기 위해 상기 기판의 하부에 바이어스를 인가하는 가변 직류 전압원;을 포함하되,상기 전기검사유닛은, 상기 기판의 하부를 고정하는 치공구와, 상기 기판의 하부와 접촉하여 상기 회로의 전기 검사를 하는 검사핀과, 상기 회로와 전기적으로 연결되어 상기 회로의 전기적 불량을 연속적으로 측정하는 멀티플렉서를 포함하도록 구성되어, 상기 플라즈마 내에 형성된 전자 또는 이온이 상기 기판 위에 형성된 상기 쉬스를 통해 상기 기판의 상부로 입사하여 상기 기판에 형성된 회로를 통과할 때의 전류 또는 전압을 측정하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 기판 검사 장치
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제2항에 있어서,상기 가변 직류 전압원은 상기 기판에 인가되는 전압이 상기 플라즈마의 전위에 근접하도록 상기 기판에 인가되는 전압을 바이어스 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 기판 검사 장치
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플라즈마를 이용하여 기판을 검사하는 장치에 있어서, 상기 플라즈마가 생성되는 공간을 구비하여 내측으로 공급된 기판의 상부에 플라즈마 및 쉬스를 노출시키는 공정챔버;상기 플라즈마 생성을 위해 상기 공정챔버의 내부에 반응가스를 공급하는 가스공급유닛;상기 기판의 하부에 위치하며, 상기 기판에 형성된 회로의 전류 또는 전압을 측정하는 전기검사유닛; 및상기 플라즈마와 상기 기판 사이에 형성되는 쉬스의 저항 및 전류의 변화를 조절하기 위해 상기 기판의 하부에 바이어스를 인가하는 가변 직류 전압원;을 포함하되,상기 기판의 하부는 상기 기판에 형성된 회로의 전기 검사를 위한 치공구에 고정되되 상기 치공구의 검사핀이 연결되고,상기 전기검사유닛은 상기 플라즈마 내에 형성된 전자 또는 이온이 상기 기판 위에 형성된 상기 쉬스를 통해 상기 기판의 상부로 입사하여 상기 기판에 형성된 회로를 통과할 때의 전류 또는 전압을 측정하며,상기 가변 직류 전압원은 상기 기판에 인가되는 전압이 상기 플라즈마의 전위에 근접하도록 상기 기판에 인가되는 전압을 바이어스 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 기판 검사 장치
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제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 플라즈마의 전위와 상기 기판에 인가되는 전압 사이의 전위차가 클수록 상기 플라즈마의 전자는 상기 기판의 상부로 입사되기 어려운 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 기판 검사 장치
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제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 플라즈마의 전위와 상기 기판에 인가되는 전압 사이의 전위차에 따라 상기 쉬스의 저항 및 전류가 변하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 기판 검사 장치
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제6항에 있어서,상기 플라즈마의 전위와 상기 기판에 인가되는 전압 사이의 전위차가 작아질수록 상기 쉬스의 저항이 작아지는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 기판 검사 장치
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제7항에 있어서,상기 전기검사유닛은,상기 기판의 회로에 미세 개방부가 존재하는 경우에 상기 플라즈마의 전위와 상기 기판에 인가되는 전압 사이의 전위차가 작아짐에 따라 상기 쉬스의 저항이 작아지고, 상기 기판에 형성된 회로가 정상인 경우의 전류 대비 상기 미세 개방부가 존재하는 경우의 전류가 작아지는 것을 이용하여 상기 기판에 형성된 회로의 미세 개방부 존재 여부를 검출하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 기판 검사 장치
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제8항에 있어서,상기 기판에 형성된 회로가 정상인 경우의 전류 대비 상기 미세 개방부가 존재하는 경우의 전류 변화량은 상기 플라즈마의 전위와 상기 기판에 인가되는 전압 사이의 전위차가 작을수록 커지는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 기판 검사 장치
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플라즈마를 이용하여 기판의 회로를 검사하는 방법에 있어서, (a) 공정챔버 내에 기판을 제공하는 단계;(b) 상기 공정챔버 내부에 반응가스를 공급하는 단계;(c) 상기 공정챔버 내에 플라즈마를 발생시키는 단계;(d) 상기 플라즈마의 전위와 상기 기판에 인가되는 전압 사이의 전위차를 조절하는 단계; 및(e) 상기 플라즈마의 전위와 상기 기판에 인가되는 전압 사이의 전위차의 변화에 따른 상기 플라즈마와 상기 기판 사이에 형성되는 쉬스의 저항 및 전류의 변화를 통해 상기 기판에 형성된 회로를 전기적으로 검사하는 단계; 를 포함하되,상기 (d) 단계는, 상기 플라즈마의 전위에 근접하도록 상기 기판에 인가되는 전압을 조절하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 기판 검사 방법
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제11항에 있어서, 상기 (e) 단계는, 상기 플라즈마 내에 형성된 전자 또는 이온이 상기 쉬스의 저항 또는 전류의 변화에 따라 상기 기판의 상부로 입사하여 상기 회로를 통과하는 정도를 측정하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 기판 검사 방법
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제12항에 있어서, 상기 (e) 단계에서, 상기 기판에 형성된 회로의 개방, 단락 또는 미세 개방부 존재 여부에 따라 상기 회로를 통과하는 전류가 변하는 정도를 이용하여 상기 기판을 검사하며,상기 기판에 형성된 회로의 불량 여부에 따라 상기 회로를 통과하는 전류가 변하는 정도는 상기 플라즈마의 전위와 상기 기판에 인가되는 전압 사이의 전위차가 작아질수록 커지는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 기판 검사 방법
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제13항에 있어서, 상기 (e) 단계에서, 상기 플라즈마의 전위와 상기 기판에 인가되는 전압 사이의 전위차가 작아짐에 따라 상기 쉬스의 저항이 작아지고, 상기 기판에 형성된 회로가 정상인 경우의 전류 대비 상기 미세 개방부가 존재하는 경우의 전류가 감소하는 것을 이용하여 상기 기판에 형성된 회로의 미세 개방부 존재 여부를 검출하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 기판 검사 방법
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제14항에 있어서,상기 (e) 단계에서,상기 기판에 형성된 회로가 정상인 경우의 전류 대비 상기 미세 개방부가 존재하는 경우의 전류 변화량은 상기 플라즈마의 전위와 상기 기판에 인가되는 전압 사이의 전위차가 작을수록 커지는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 기판 검사 방법
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제11항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,상기 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 표면을 세정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 기판 검사 방법
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