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플라즈마 챔버 내에 장착되는 프로브;둘 이상의 주파수를 갖는 교류전압을 상기 프로브에 인가하는 전원부;상기 프로브의 전압을 측정하는 전압감지부;상기 프로브의 전류를 측정하는 전류감지부;상기 전압감지부 및 상기 전류감지부를 통해 전달받은 정보를 처리하여 전자온도 또는 이온밀도를 포함한 플라즈마 변수를 계산하는 데이터처리부;를 포함하는 플라즈마 진단장치
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제1항에 있어서,상기 데이터처리부는,첫 번째 주파수 1ω전류(i1ω1)와 두 번째 주파수 1ω전류(i1ω2)간의 비율을 첫 번째 주파수 1ω전류의 진폭과 두 번째 주파수 1ω전류의 진폭간의 비율로 나타낸 하기 [식 5]를 이용하여 상기 전자온도를 계산하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 진단장치
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제1항에 있어서,상기 프로브와 전원부 사이에 장착되는 블로킹 축전기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 진단장치
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제3항에 있어서,상기 데이터처리부는 하기 [식 7]을 이용하여 이온밀도를 산출하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 진단장치
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플라즈마 챔버 내에 프로브를 장착하는 제1 단계;상기 프로브에 둘 이상의 주파수를 갖는 교류전압을 인가하는 제2 단계;첫 번째 주파수 1ω전류와 두 번째 주파수 1ω전류간의 비율이 첫 번째 주파수 1ω전류의 진폭과 두 번째 주파수 1ω전류의 진폭간의 비율과 동일한 것으로 하여 전자온도를 계산하는 제3 단계;를 포함하는 플라즈마 진단방법
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제5항에 있어서,상기 제3 단계는,첫 번째 주파수 1ω전류의 진폭과 두 번째 주파수 1ω전류의 진폭을 전자온도만의 함수로 전개하여 상기 전자온도를 계산하도록 구성되는 플라즈마 진단방법
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제6항에 있어서,상기 제3 단계는,탐침전류를 이온포화전류 항과 전자포화전류 항으로 이루어진 탐침전류식으로 표현한 후 전자포화전류 지수항을 수정 베셀함수로 전개하여 하기 [식 4]를 산출하는 과정과, 첫 번째 주파수 1ω전류의 진폭에 해당하는 수식과 두 번째 주파수 1ω전류의 진폭에 해당하는 수식을 추출하여 하기 [식 5]를 산출하는 과정과, 하기 [식 5]를 이용하여 전자온도를 계산하는 과정을 포함하는 플라즈마 진단방법
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제5항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,이온포화전류를 산출하는 제4 단계;프로브 플로팅 상태를 만족시킨 후, 하기 [식 7]을 이용하여 이온밀도를 산출하는 제5 단계;를 더 포함하는 플라즈마 진단방법
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