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RF 전력을 공급하는 전원부;플라즈마가 발생되며, 플라즈마에 의해 처리되는 피처리물이 제공되는 챔버;상기 챔버의 상면에 제공되며, 상기 전원부에 유선으로 직접 연결되어 RF 전력을 전달 받는 안테나 코일; 상기 전원부와 상기 안테나 코일 사이에 제공되는 임피던스 매칭부;상기 안테나 코일과 전기적으로 절연되거나 단절되도록 상기 안테나 코일과 분리된 상태로 제공되며, 상기 전원부에 직접 유선으로 연결되지 않은 적어도 하나의 공진 코일; 및상기 공진 코일에 공진을 일으키기 위해 상기 적어도 하나의 공진 코일 각각에 병렬로 연결되는 가변 캐패시터;를 포함하며,상기 공진 코일이 공진을 일으키면 무선 전력 전송 방식에 의해서 상기 안테나 코일로부터 전자기 에너지 또는 전력을 인가 받은 상기 공진 코일에 전류가 흐르게 되어 상기 챔버 내에 플라즈마를 발생시키거나 플라즈마를 제어하는, 플라즈마 장비
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제1항에 있어서,상기 공진 코일은 상기 챔버의 상면에 적어도 2개 제공되며, 상기 안테나 코일은 상기 공진 코일과 분리된 상태로 상기 공진 코일의 사이에 위치하는, 플라즈마 장비
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제1항에 있어서,상기 챔버의 상면에는 보조 코일이 제공되고,상기 공진 코일은 상기 챔버의 상면과 이격되도록 상기 안테나 코일의 상부에 제공되되 상기 보조 코일의 위쪽에 제공되는, 플라즈마 장비
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제3항에 있어서,상기 보조 코일은 상기 공진 코일과 동일한 모양으로 형성되어 상기 공진 코일에 흐르는 전류를 균일하게 형성하는, 플라즈마 장비
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 적어도 하나의 공진 코일 각각에는 복수개의 가변 캐패시터가 연결되되 상기 적어도 하나의 공진 코일 각각에 대해서 동일한 개수의 가변 캐패시터가 연결되는, 플라즈마 장비
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제5항에 있어서,상기 복수개의 가변 캐패시터는 동일한 간격으로 배치되는, 플라즈마 장비
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 공진 코일에 흐르는 전류는 상기 가변 캐패시터의 캐패시턴스 값에 따라 가변되는, 플라즈마 장비
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 공진 코일은 상기 가변 캐패시터와 전체로서 폐곡선 모양으로 형성되는, 플라즈마 장비
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 적어도 하나의 공진 코일 각각에 연결된 상기 가변 캐패시터는 상기 챔버의 상면 중심에 대해서 동일 반경 상에 위치하는, 플라즈마 장비
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 공진 코일의 주파수가 변하거나 큐 팩터가 증가되도록 상기 공진 코일은 페라이트 재질을 포함하거나 페라이트 재질로 형성되는, 플라즈마 장비
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 공진 코일의 주파수에 따라 상기 전원부의 주파수를 바꾸면서 플라즈마를 제어하는, 플라즈마 장비
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 가변 캐패시터는 상기 공진 코일의 인덕턴스 값에 대해서 공진을 일으키는 캐패시턴스 값을 가지는, 플라즈마 장비
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