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(a) 플라즈마 공정 챔버 외부에 구비된 프로브를 통해서 전류 신호를 획득하는 단계;(b) 획득된 상기 전류 신호를 샘플링하는 단계;(c) 상기 샘플링된 전류 신호에 포함된 외부 신호 잡음을 제거하는 단계;(d) 상기 샘플링된 전류 신호에 포함된 변위 전류를 제거하는 단계;(e) 상기 샘플링된 전류 신호에 포함된 이차전자 전류를 제거하는 단계;(f) 상기 샘플링된 전류 신호에서 이온 전류를 구하는 단계; 및(g) 상기 이온 전류를 펄스 시간에 대해 적분하여 이온 도즈량을 구하는 단계;를 포함하며,상기 (d) 단계는 전류의 분산을 구하여 상기 변위 전류를 제거하거나 찾는 것을 특징으로 하는 플라즈마 이온 주입 공정 이온 도즈량 모니터링 방법
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제1항에 있어서,상기 (d) 단계에서는 기준값 보다 큰 분산을 가지는 전류를 변위 전류로 판단하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 이온 주입 공정 이온 도즈량 모니터링 방법
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제2항에 있어서,상기 (f) 단계에서 상기 이온 전류는, 상기 (d) 단계에서 구해진 분산이 기준값 보다 크지 않은 전류 구간에서 추출되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 이온 주입 공정 이온 도즈량 모니터링 방법
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제3항에 있어서,상기 변위 전류는 상기 플라즈마 공정 챔버 내에 구비된 기판에 인가되는 바이어스 펄스 전압이 상승하거나 하강하는 때에 상기 기판으로 흐르는 것을 특징으로 하는 플라즈마 이온 주입 공정 이온 도즈량 모니터링 방법
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 (d) 단계는,하나의 펄스 주기에 대한 전압 파형 또는 전류 파형을 구하는 단계;상기 전압 파형 및 상기 전류 파형에 대해서 동일한 시간 간격을 가지는 다수개의 샘플링 포인트를 설정하는 단계;상기 샘플링 포인트에 대해 순차적으로 전류의 분산을 구하는 단계;상기 분산과 기준값을 비교하는 단계; 및상기 샘플링 포인트가 변위 전류 구간에 있는지 또는 이온 전류 구간에 있는지 판단하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 이온 주입 공정 이온 도즈량 모니터링 방법
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제5항에 있어서,상기 샘플링 포인트에 대해 순차적으로 전류의 분산을 구하는 단계는, 다수개의 전체 샘플링 포인트에 대해서 시간 순서대로 선택된 샘플링 포인트에 대해 전류의 분산을 구하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 이온 주입 공정 이온 도즈량 모니터링 방법
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제6항에 있어서,상기 분산과 기준값을 비교하는 단계는,선택된 샘플링 포인트에 대해서 구해진 분산이 기준값을 초과하면 샘플링 포인트가 변위 전류 구간에 있는 것으로 판단하고 분산이 기준값을 초과하지 않으면 샘플링 포인트가 이온 전류 구간에 있는 것으로 판단하거나,선택된 샘플링 포인트에 대해서 구해진 분산이 영 보다 크면 샘플링 포인트가 변위 전류 구간에 있는 것으로 판단하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 이온 주입 공정 이온 도즈량 모니터링 방법
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제6항에 있어서,상기 분산과 기준값을 비교하는 단계는, 상기 샘플링 포인트 간의 분산을 구해 기준값을 초과하는 경우에는 데이터 값을 취득하지 않는 것을 특징으로 하는 플라즈마 이온 주입 공정 이온 도즈량 모니터링 방법
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제5항에 있어서,상기 (d) 단계는 상기 변위 전류로 인해 발생하는 펄스 주기 신호의 처음 부분과 마지막 부분에서 증가하는 전류값을 제거하여 순수 펄스 기간 동안 발생하는 전류 신호를 측정하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 이온 주입 공정 이온 도즈량 모니터링 방법
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제5항에 있어서,상기 (d) 단계는 상기 샘플링 포인트에 대해 구해진 전류의 분산으로부터 변위 전류 구간 및 이온 전류 구간을 판단하고, 이온 전류 구간에서의 데이터만 취득하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 이온 주입 공정 이온 도즈량 모니터링 방법
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제7항에 있어서,상기 (g) 단계는 상기 이온 전류 구간에 있는 것으로 판단된 상기 샘플링 포인트에서의 전류를 펄스 시간에 대해서 적분하여 이온 도즈량을 구하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 이온 주입 공정 이온 도즈량 모니터링 방법
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