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VDD 전원 라인 없이 문턱전압과 전압강하를 보상하는 유기발광 다이오드 화소 회로

  • 기술번호 : KST2014060513
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, VDD 전원 라인 없이 문턱전압과 전압강하를 보상하는 유기발광 다이오드 화소 회로에 관한 것으로서, 문턱전압 변화와 전원전압의 전압강하에 대해 효과적으로 보상하여 균일한 휘도를 구현할 수 있으며, 또한 종래의 VDD 라인을 제거하고 제1스캔 신호선(SCAN1) 라인을 전원전압 라인으로 사용하면서 발광영역을 증가시킬 수 있는 VDD 전원 라인 없이 문턱전압과 전압강하를 보상하는 유기발광 다이오드 화소 회로에 관한 것이다.
Int. CL G09G 3/32 (2006.01) G09G 3/20 (2006.01)
CPC G09G 3/3266(2013.01) G09G 3/3266(2013.01)
출원번호/일자 1020130132016 (2013.11.01)
출원인 호서대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1470968-0000 (2014.12.03)
공개번호/일자 10-2013-0132708 (2013.12.05) 문서열기
공고번호/일자 (20141209) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.11.01)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 호서대학교 산학협력단 대한민국 충청남도 아산시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 배병성 대한민국 경기 수원시 팔달구
2 이재표 대한민국 충남 천안시 서북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김용주 대한민국 충청남도 아산시 배방읍 배방로***번길 *, 윤성빌딩 ***호(호서한별국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 호서대학교 산학협력단 충청남도 아산시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.11.01 수리 (Accepted) 1-1-2013-0995343-56
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.06.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.08.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0566886-66
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.10.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2014-0030834-00
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.10.20 수리 (Accepted) 1-1-2014-0999139-76
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.10.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-1040762-09
7 등록결정서
Decision to grant
2014.11.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0810664-40
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.30 수리 (Accepted) 4-1-2019-0045360-16
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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인가되는 구동전류에 따라 소정의 휘도로 발광하는 OLED 소자;전원 전압의 전원선 및 주사 신호의 신호선 역할을 하는 제1스캔 신호선;다른 주사 신호의 신호선 역할을 하는 제2스캔 신호선;상기 OLED의 발광을 위한 데이터 전압을 제공하는 데이터선;상기 OLED의 발광을 위한 발광제어 신호를 제공하는 발광제어 신호선;상기 제1스캔 신호선과 상기 OLED 소자 사이에 구비되고, 게이트 전극에 인가되는 전압에 따라 상기 구동전류를 출력하는 구동 박막트랜지스터;상기 구동 박막트랜지스터의 드레인 전극과 상기 OLED 소자 사이에 연결되고, 게이트 전극에 인가되는 상기 발광제어 신호에 응답하여 상기 구동전류를 OLED 소자에 전달하거나 차단하는 발광제어 박막트랜지스터;상기 구동 박막트랜지스터의 게이트 전극과 드레인 전극 사이에 연결되고, 게이트 전극에 인가되는 상기 제2스캔 신호선의 주사신호에 응답하여 동작되는 제 3 스위칭 박막트랜지스터;일전극이 상기 구동 박막트랜지스터의 게이트 전극에 연결되고, 문턱전압과 전원전압의 전압강하 보상전압을 상기 구동박막트랜지스터의 게이트 전압에 유지시켜 주는 커패시터;상기 커패시터의 타전극과 상기 데이터선 사이에 연결되고, 게이트 전극에 인가되는 상기 제1스캔 신호선의 주사신호에 응답하여 데이터 전압을 상기 커패시터의 타전극으로 인가하는 제 1 스위칭 박막트랜지스터;상기 커패시터의 타전극과 상기 데이터선 사이에 연결되고, 게이트 전극에 인가되는 상기 제2스캔 신호선의 주사신호에 응답하여 데이터 전압을 상기 커패시터의 타전극으로 인가하는 제 2 스위칭 박막트랜지스터;를 포함하여 구성되는 VDD 전원 라인 없이 문턱전압과 전압강하를 보상하는 유기발광 다이오드 화소 회로
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제 1 항에 있어서,상기 제1스캔 신호선에 인가된 주사신호가 HIGH 이고, 상기 제2스캔 신호선에 인가된 주사신호가 LOW 이고, 상기 발광제어 신호가 HIGH 이고, 상기 데이터선의 데이터전압이 HIGH 이면, 상기 OLED의 구동을 위한 전류를 차단하고 상기 일전극이 연결된 커패시터에 상기 구동 박막트랜지스터의 문턱전압과 전압강하를 보상하기 위한 전압이 인가되고 상기 커패시터의 타전극에 상기 데이터 전압이 인가되는 VDD 전원 라인 없이 문턱전압과 전압강하를 보상하는 유기발광 다이오드 화소 회로
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제 2 항에 있어서,상기 제1스캔 신호선의 주사신호는 상기 구동 박막트랜지스터를 턴-온하고, 상기 제2스캔 신호선의 주사신호는 상기 제 2 및 제 3 스위칭 박막트랜지스터를 턴-온하고, 상기 발광제어 신호는 상기 발광제어 박막트랜지스터를 턴-오프하는 VDD 전원 라인 없이 문턱전압과 전압강하를 보상하는 유기발광 다이오드 화소 회로
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제 3 항에 있어서,상기 제 2 스위칭 박막트랜지스터는 상기 데이터 전압을 상기 커패시터의 타전극에 인가하는 VDD 전원 라인 없이 문턱전압과 전압강하를 보상하는 유기발광 다이오드 화소 회로
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제 4 항에 있어서,상기 제 1스캔 신호선 주사신호의 전압에서 상기 구동박막트랜지스터의 문턱전압을 차감한 전압이 상기 구동박막트랜지스터의 게이트 전압으로 인가되는 VDD 전원 라인 없이 문턱전압과 전압강하를 보상하는 유기발광 다이오드 화소 회로
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제 5 항에 있어서,상기 제1스캔 신호선의 주사신호가 LOW 이고, 상기 제2스캔 신호선의 주사신호가 HIGH 이고, 상기 발광제어 신호가 HIGH이고, 상기 데이터선의 데이터전압이 LOW 이면, 상기 제1스캔 신호선의 주사신호는 상기 제 1 스위칭 박막트랜지스터를 턴-온하고, 상기 커패시터는 상기 구동 박막트랜지스터의 게이트 전압과 상기 제 1 스위칭 박막트랜지스터의 소스전압을 커플링하며, 상기 제 1 스위칭 박막트랜지스터는 상기 제 2 스위칭 박막트랜지스터의 드레인 전압을 방전하는 VDD 전원 라인 없이 문턱전압과 전압강하를 보상하는 유기발광 다이오드 화소 회로
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제 6 항에 있어서,상기 제1스캔 신호선의 주사신호가 HIGH 이고, 상기 제2스캔 신호선의 주사신호가 HIGH 이고, 상기 발광제어 신호가 LOW 이고, 상기 데이터 신호선의 데이터 전압이 LOW이면, 상기 제1스캔 신호선의 주사신호는 상기 구동 박막트랜지스터를 턴-온하고, 상기 제1스캔 신호선의 주사신호는 상기 구동 박막트랜지스터의 소스전압으로 사용되는 VDD 전원 라인 없이 문턱전압과 전압강하를 보상하는 유기발광 다이오드 화소 회로
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제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 스위칭 박막트랜지스터, 상기 제 2 스위칭 박막트랜지스터, 상기 제 3 스위칭 박막트랜지스터, 상기 구동 박막트랜지스터 또는 상기 발광제어 박막트랜지스터는 P-타입 트랜지스터인 VDD 전원 라인 없이 문턱전압과 전압강하를 보상하는 유기발광 다이오드 화소 회로
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.