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기판(110) 상에 은으로 형성된 은 나노층(120)이 80∼120nm 두께로 형성되고, 표면 플라즈몬 현상을 통해 투과된 빔을 중간장 영역까지 전파하는 단일링 슬릿 형태의 은평면렌즈(100)를 포함하고, 상기 중간장 영역은 1∼5um인 것을 특징으로 하는 은평면렌즈를 갖는 마스크리스 나노리소그래피 시스템
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제1항에 있어서, 상기 은평면렌즈(100)에는 단일링 슬릿 형태의 금속 개구가 형성되고, 이 금속 개구의 반경(R)은 1,000∼1050nm이고, 폭(W)은 320∼370nm이며, 주기(P)는 5∼10um이고,상기 금속 재질은 은인것을 특징으로 하는 은평면렌즈를 갖는 마스크리스 나노리소그래피 시스템
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제1항에 있어서, 상기 은 나노층(120)에 형성된 존플레이트(210)를 더 포함하고, 상기 존플레이트(210)는 은평면렌즈(100)와 웨이퍼(230) 사이의 거리를 검출하는 것을 특징으로 하는 은평면렌즈를 갖는 마스크리스 나노리소그래피 시스템
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제4항에 있어서, 상기 존플레이트(210)로부터 검출된 거리를 기초로 하여 은평면렌즈(100)와 웨이퍼(230) 사이의 거리는 3차원 나노 위치제어장치(200)로 조정되는 것을 특징으로 하는 은평면렌즈를 갖는 마스크리스 나노리소그래피 시스템
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제5항에 있어서, 상기 은평면렌즈(100)와 웨이퍼(230) 사이의 조정 거리는 중간장 영역인 1∼5um인 것을 특징으로 하는 은평면렌즈를 갖는 마스크리스 나노리소그래피 시스템
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