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플라즈마 챔버;
상기 플라즈마 챔버에 자기장을 인가하며, 구조의 변경 없이 상기 플라즈마 챔버 내의 최소 자기장의 크기를 조절 가능하도록 구성된 자석부;
상기 플라즈마 챔버에 마이크로파를 주입하는 마이크로파 발생부;
상기 플라즈마 챔버 내에 주입되며, 자기장 및 마이크로파에 의한 전자 맴돌이 공명을 통해 엑스선을 생성하는 반응 기체;
생성된 엑스선을 집속하는 가변형 가이드; 및
집속된 엑스선을 상기 플라즈마 챔버로부터 출력하는 가변형 인출부를 포함하는 것을 특징으로 하는 엑스선 발생 장치
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제 1항에 있어서,
상기 플라즈마 챔버 내에 위치하며, 가속된 전자가 충돌하는 것에 반응하여 엑스선을 생성하는 타겟 물질을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 엑스선 발생 장치
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제 1항에 있어서,
상기 자석부는,
상기 플라즈마 챔버 양 단부의 외부에 위치하는 미러 자석;
상기 각 미러 자석 사이의 상기 플라즈마 챔버 외부에 위치하는 극 자석; 및
상기 미러 자석 사이의 상기 플라즈마 챔버 외부에 위치하며 자기장의 크기를 조절 가능하도록 구성된 보정 자석을 포함하는 것을 특징으로 하는 엑스선 발생 장치
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제 1항에 있어서,
상기 플라즈마 챔버 외부에 위치하며, 상기 플라즈마 챔버의 외벽을 통해 방출되는 엑스선을 차폐시키는 차폐부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 엑스선 발생 장치
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5
제 1항에 있어서,
상기 가변형 가이드에 인가되는 전압을 변화시키는 것에 의해 상기 엑스선 발생 장치로부터 출력되는 엑스선의 강도가 조절되는 것을 특징으로 하는 엑스선 발생 장치
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6
제 1항에 있어서,
상기 가변형 가이드의 형상을 변화시키는 것에 의해 상기 엑스선 발생 장치로부터 출력되는 엑스선의 집속도가 조절되는 것을 특징으로 하는 엑스선 발생 장치
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7
제 1항에 있어서,
상기 가변형 인출부의 형상을 변화시키는 것에 의해 상기 엑스선 발생 장치로부터 엑스선이 출력되는 면적이 조절되는 것을 특징으로 하는 엑스선 발생 장치
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8
플라즈마 챔버 내에 반응 기체를 주입하는 단계;
상기 반응 기체에 자기장 및 마이크로파를 인가하는 단계;
생성될 엑스선의 강도에 따라 상기 반응 기체에 인가되는 최소 자기장의 크기를 조절하는 단계;
자기장 및 마이크로파에 의한 전자 맴돌이 공명을 통해 상기 반응 기체로부터 엑스선이 생성되는 단계;
생성된 엑스선을 가변형 가이드를 이용하여 집속하는 단계; 및
집속된 엑스선을 가변형 인출부를 통과하여 출력하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 엑스선 발생 방법
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제 8항에 있어서,
상기 엑스선이 생성되는 단계는, 가속된 전자를 타겟 물질에 충돌시켜 엑스선을 생성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 엑스선 발생 방법
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