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반도체 웨이퍼의 베이크 유닛 챔버로서,핫 플레이트;상기 핫 플레이트를 가열하는 히터;상기 핫 플레이트 표면에 웨이퍼가 투입되어 밀폐되는 챔버; 및상기 챔버 내의 온도 균일화에 요구되는 시간을 최대한 단축시키고 이를 통해 상기 챔버 내에서 발생하는 대류 현상을 최대한 억제시켜 배기시의 열손실시에도 균일한 온도장이 형성되도록 제어하는 제어부를 포함하며,상기 히터는 상기 챔버 내에 위치하고 제1존, 제2존, 제3존의 3개의 존(zone)으로 구성되어, 상기 히터에 의해 상기 핫 플레이트에 가해지는 열량은 상기 제1존은 400W, 430W, 450W, 461W로 하고, 상기 제2존은 380W로 고정하여 계산되며, 그 결과 상기 핫 플레이트의 표면 평균온도가 목표 온도 400℃에 도달하는 데 200초의 시간이 소요되고, 온도 균일도는 상기 목표 온도 400℃ 다이내믹 구간에서 ±3℃ 이하의 표면 온도편차를 갖으며, 상기 제어부는 상기 챔버의 온도 균일도 확보를 위해 열유동 해석 프로그램을 이용하여 상기 히터의 배치 및 열용량을 결정하고, 상기 히터의 배치 및 열용량이 결정된 후 상기 열유동 해석 프로그램을 이용하여 배기 압력 변화가 상기 챔버의 온도 균일도에 미치는 정량적인 영향을 파악하는 반도체 웨이퍼의 베이크 유닛 챔버
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