맞춤기술찾기

이전대상기술

고방사선 핫셀 내 중성자 위치 분포를 얻기 위한 중성자 측정 장치 및 이를 이용한 중성자 위치 분포 구성 방법

  • 기술번호 : KST2014061005
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 고방사선 핫셀 내 중성자 위치 분포를 얻기 위한 중성자 측정 장치 및 이를 이용한 중성자 위치 분포 구성 방법을 개시한다. 상기 중성자 측정 장치는 고방사선 핫셀 내의 방사선 측정 대상체의 위치에 따라 발생된 중성자 및 감마선을 측정하는 제1 검출부; 상기 방사선 측정 대상체로부터 발생된 중성자를 측정하는 제2 검출부; 및 상기 제1 및 제2 검출부를 외부에서 발생되는 물리적 충격 및 노이즈로부터 차단하는 외부 케이스; 상기 외부 케이스와 접속된 신호선을 구비하며, 상기 신호선을 통해 상기 제1 검출부 및 상기 제2 검출부 각각으로부터 검출된 신호(A,B)를 수신하여 상기 검출된 신호들의 차에 따른 입사 중성자 신호를 생성하는 신호처리부를 포함하며, 상기 신호처리부는, 상기 제1 검출부 및 상기 제2 검출부로부터 발생된 신호를 수집하고 이를 이용하여 상기 방사선 측정 대상체의 위치에 따른 중성자 발생 공간 분포도를 구성할 수 있는 프로그램이 프로그래밍는 것을 특징으로 한다.
Int. CL G21C 17/00 (2006.01)
CPC G21C 17/108(2013.01) G21C 17/108(2013.01)
출원번호/일자 1020110085832 (2011.08.26)
출원인 한국원자력연구원, 한국수력원자력 주식회사
등록번호/일자 10-1217714-0000 (2012.12.24)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20121231) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.08.26)
심사청구항수 9

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국원자력연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 한국수력원자력 주식회사 대한민국 경상북도 경주시

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박세환 대한민국 대전광역시 유성구
2 신희성 대한민국 대전광역시 서구
3 박준식 대한민국 경기도 군포시 군포로***번길 **, 두산 아파트 *
4 김호동 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국원자력연구원 대전광역시 유성구
2 한국수력원자력 주식회사 경상북도 경주시
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.08.26 수리 (Accepted) 1-1-2011-0666010-61
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.22 수리 (Accepted) 4-1-2012-5134067-95
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.09.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0572940-51
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.11.26 수리 (Accepted) 1-1-2012-0973486-26
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.11.28 수리 (Accepted) 1-1-2012-0986203-27
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.11.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0986204-73
7 등록결정서
Decision to grant
2012.12.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0772001-40
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.16 수리 (Accepted) 4-1-2014-5109542-64
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.03.18 수리 (Accepted) 4-1-2016-5034922-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
고방사선 핫셀 내의 방사선 측정 대상체의 위치에 따라 발생된 중성자 및 감마선을 측정하는 제1 검출부;상기 방사선 측정 대상체로부터 발생된 중성자를 측정하는 제2 검출부; 및상기 제1 및 제2 검출부를 외부에서 발생되는 물리적 충격 및 노이즈로부터 차단하는 외부 케이스;상기 외부 케이스와 접속된 신호선을 구비하며, 상기 신호선을 통해 상기 제1 검출부 및 상기 제2 검출부 각각으로부터 검출된 신호(A,B)를 수신하여 상기 검출된 신호들의 차에 따른 입사 중성자 신호를 생성하는 신호처리부를 포함하며,상기 신호처리부는,상기 제1 검출부 및 상기 제2 검출부로부터 발생된 신호를 수집하고 이를 이용하여 상기 방사선 측정 대상체의 위치에 따른 중성자 발생 공간 분포도를 구성할 수 있는 프로그램이 프로그래밍된 고방사선 핫셀 내 중성자 위치 분포를 얻기 위한 중성자 측정 장치
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서,상기 신호처리부는,상기 제1 검출부 및 제2 검출부로 각각에서 발생된 신호의 차를 이용하여 상기 방사선 측정 대상체로부터 출력되는 입사 중성자 위치에 따른 입사 중성자 선속을 측정하는 것을 특징으로 하는 고방사선 핫셀 내 중성자 위치 분포를 얻기 위한 중성자 측정 장치
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서,상기 제1 검출부는 방사선을 측정하는 반도체 다이오드 검출부인 것을 특징으로 하는 고방사선 핫셀 내 중성자 위치 분포를 얻기 위한 중성자 측정 장치
6 6
제1항에 있어서,상기 제2 검출부는,방사선을 측정하는 반도체 다이오드 검출부; 및상기 반도체 다이오드 검출부 상부면 또는 하부면에 접합되도록 구비되는 중성자 반응 박막을 포함하며,상기 반도체 다이오드 검출부와 상기 중성자 반응 박막 간에는 신호 전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 고방사선 핫셀 내 중성자 위치 분포를 얻기 위한 중성자 측정 장치
7 7
제5항에 있어서,상기 반도체 다이오드 검출부는,에너지 밴드갭이 큰 SiC, GaN, AlN 중 어느 하나로 구성되는 다이오드인 것을 특징으로 하는 고방사선 핫셀 내 중성자 위치 분포를 얻기 위한 중성자 측정 장치
8 8
제6항에 있어서,상기 반도체 다이오드 검출기는,에너지 밴드갭이 큰 SiC, GaN, AlN 중 어느 하나로 구성되는 다이오드인 것을 특징으로 하는 고방사선 핫셀 내 중성자 위치 분포를 얻기 위한 중성자 측정 장치
9 9
제6항에 있어서,상기 중성자 반응 박막은,6Li, 10B 중 어느 하나가 포함된 화합물 박막인 것으로 특징으로 하는 고방사선 핫셀 내 중성자 위치 분포를 얻기 위한 중성자 측정 장치
10 10
제1항에 있어서,상기 외부 케이스 내의 공간은,절연 물질로 채워져 있는 것을 특징으로 하는 고방사선 핫셀 내 중성자 위치 분포를 얻기 위한 중성자 측정 장치
11 11
고방사선 핫셀 내의 방사선 측정 대상체의 각 지점에 따라 발생된 입사 중성자 및 감마선을 제1 검출부에서 측정하는 단계;상기 방사선 측정 대상체의 각 지점에 따라 발생된 중성자를 제2 검출부에서 측정하는 단계; 및상기 제1 검출부 및 제2 검출부 각각에서 측정된 입사 중성자 및 감마선 신호를 신호처리부가 수신하여 상기 신호의 차를 통해 상기 방사선 측정 대상체로부터 발생된 입사 중성자의 위치에 따른 중성자 선속을 결정한 후, 상기 신호처리부에서 상기 선속에 따라 상기 방사선 측정 대상체의 위치에 따른 중성자 분포도를 구성하는 단계;를 포함하는 고방사선 핫셀 내 중성자 위치 분포 구성 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한국원자력연구원 원자력연구개발사업 핵물질 계량 안전조치 기술개발