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고방사선 핫셀 내의 방사선 측정 대상체의 위치에 따라 발생된 중성자 및 감마선을 측정하는 제1 검출부;상기 방사선 측정 대상체로부터 발생된 중성자를 측정하는 제2 검출부; 및상기 제1 및 제2 검출부를 외부에서 발생되는 물리적 충격 및 노이즈로부터 차단하는 외부 케이스;상기 외부 케이스와 접속된 신호선을 구비하며, 상기 신호선을 통해 상기 제1 검출부 및 상기 제2 검출부 각각으로부터 검출된 신호(A,B)를 수신하여 상기 검출된 신호들의 차에 따른 입사 중성자 신호를 생성하는 신호처리부를 포함하며,상기 신호처리부는,상기 제1 검출부 및 상기 제2 검출부로부터 발생된 신호를 수집하고 이를 이용하여 상기 방사선 측정 대상체의 위치에 따른 중성자 발생 공간 분포도를 구성할 수 있는 프로그램이 프로그래밍된 고방사선 핫셀 내 중성자 위치 분포를 얻기 위한 중성자 측정 장치
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제1항에 있어서,상기 신호처리부는,상기 제1 검출부 및 제2 검출부로 각각에서 발생된 신호의 차를 이용하여 상기 방사선 측정 대상체로부터 출력되는 입사 중성자 위치에 따른 입사 중성자 선속을 측정하는 것을 특징으로 하는 고방사선 핫셀 내 중성자 위치 분포를 얻기 위한 중성자 측정 장치
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제1항에 있어서,상기 제1 검출부는 방사선을 측정하는 반도체 다이오드 검출부인 것을 특징으로 하는 고방사선 핫셀 내 중성자 위치 분포를 얻기 위한 중성자 측정 장치
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제1항에 있어서,상기 제2 검출부는,방사선을 측정하는 반도체 다이오드 검출부; 및상기 반도체 다이오드 검출부 상부면 또는 하부면에 접합되도록 구비되는 중성자 반응 박막을 포함하며,상기 반도체 다이오드 검출부와 상기 중성자 반응 박막 간에는 신호 전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 고방사선 핫셀 내 중성자 위치 분포를 얻기 위한 중성자 측정 장치
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제5항에 있어서,상기 반도체 다이오드 검출부는,에너지 밴드갭이 큰 SiC, GaN, AlN 중 어느 하나로 구성되는 다이오드인 것을 특징으로 하는 고방사선 핫셀 내 중성자 위치 분포를 얻기 위한 중성자 측정 장치
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제6항에 있어서,상기 반도체 다이오드 검출기는,에너지 밴드갭이 큰 SiC, GaN, AlN 중 어느 하나로 구성되는 다이오드인 것을 특징으로 하는 고방사선 핫셀 내 중성자 위치 분포를 얻기 위한 중성자 측정 장치
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제6항에 있어서,상기 중성자 반응 박막은,6Li, 10B 중 어느 하나가 포함된 화합물 박막인 것으로 특징으로 하는 고방사선 핫셀 내 중성자 위치 분포를 얻기 위한 중성자 측정 장치
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제1항에 있어서,상기 외부 케이스 내의 공간은,절연 물질로 채워져 있는 것을 특징으로 하는 고방사선 핫셀 내 중성자 위치 분포를 얻기 위한 중성자 측정 장치
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고방사선 핫셀 내의 방사선 측정 대상체의 각 지점에 따라 발생된 입사 중성자 및 감마선을 제1 검출부에서 측정하는 단계;상기 방사선 측정 대상체의 각 지점에 따라 발생된 중성자를 제2 검출부에서 측정하는 단계; 및상기 제1 검출부 및 제2 검출부 각각에서 측정된 입사 중성자 및 감마선 신호를 신호처리부가 수신하여 상기 신호의 차를 통해 상기 방사선 측정 대상체로부터 발생된 입사 중성자의 위치에 따른 중성자 선속을 결정한 후, 상기 신호처리부에서 상기 선속에 따라 상기 방사선 측정 대상체의 위치에 따른 중성자 분포도를 구성하는 단계;를 포함하는 고방사선 핫셀 내 중성자 위치 분포 구성 방법
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