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광반사 구조체를 구비하는 발광 다이오드 및 그의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014061031
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 발광 다이오드 및 그의 제조방법을 제공한다. 발광 다이오드는 제1 클래드층, 활성층 및 제2 클래드층을 구비하는 발광 구조체 및 상기 발광 구조체의 적어도 일측면과 이격하여 배치된 광반사 구조체를 포함한다. 또한, 발광 다이오드의 제조방법은 기판 상에 제1 클래드층, 활성층 및 제2 클래드층을 구비하는 발광 구조체 및 상기 발광 구조체의 적어도 일측면과 이격하여 배치된 광반사 베이스 구조체를 형성하는 단계 및 상기 광반사 베이스 구조체의 측면을 덮는 광반사층을 형성하여 광반사 구조체를 형성하는 단계를 포함한다. 발광다이오드, 광반사 구조체, 광출력 효율, 광 직진성
Int. CL H01L 33/10 (2010.01.01) H01L 33/36 (2010.01.01)
CPC H01L 33/10(2013.01) H01L 33/10(2013.01) H01L 33/10(2013.01)
출원번호/일자 1020080118281 (2008.11.26)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자 10-1048595-0000 (2011.07.05)
공개번호/일자 10-2010-0059492 (2010.06.04) 문서열기
공고번호/일자 (20110712) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.11.26)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김상묵 대한민국 광주광역시 서구
2 백종협 대한민국 대전광역시 서구
3 강정인 대한민국 광주광역시 북구
4 김강호 대한민국 광주광역시 광산구
5 이승재 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
6 이진홍 대한민국 광주광역시 북구
7 오화섭 대한민국 광주광역시 광산구
8 이상헌 대한민국 부산광역시 금정구
9 정 탁 대한민국 광주광역시 광산구
10 진정근 대한민국 서울특별시 동대문구
11 전성란 대한민국 광주광역시 광산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.11.26 수리 (Accepted) 1-1-2008-0816477-05
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.06.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.07.16 수리 (Accepted) 9-1-2010-0044998-30
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.08.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0360256-09
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.10.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0672533-89
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.10.18 수리 (Accepted) 1-1-2010-0672528-50
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2011.02.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0104028-03
8 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2011.03.23 수리 (Accepted) 7-1-2011-0011152-46
9 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2011.05.20 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2011-0018871-63
10 등록결정서
Decision to grant
2011.06.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0353851-25
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
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번호 청구항
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기판 상에 제1 클래드 패턴, 활성 패턴 및 제2 클래드 패턴을 구비하는 발광 구조체, 및 상기 발광 구조체의 적어도 일측면과 이격하여 배치되고, 상기 제1 클래드 패턴과 연결된 제1 패턴, 상기 활성 패턴과 동일한 레벨에 위치하는 제2 패턴, 및 상기 제2 클래드 패턴과 동일한 레벨에 위치하는 제3 패턴을 구비하는 광반사 베이스 구조체를 형성하는 단계; 상기 광반사 베이스 구조체의 측면을 덮어 상기 제1 패턴의 측면 및 상기 제3 패턴의 측면에 접하는 광반사층을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 발광 구조체 및 상기 광반사 베이스 구조체를 형성하는 것은, 상기 기판 상에 하부 제1 클래드층을 형성하는 단계; 상기 하부 제1 클래드층 상에 절연막 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 절연막 패턴이 형성되지 않은 상기 하부 제1 클래드층 상에 활성층 및 제2 클래드층을 형성하여, 상기 제1 클래드 패턴, 상기 활성 패턴, 상기 제2 클래드 패턴, 상기 제1 패턴, 상기 제2 패턴 및 상기 제3 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 발광 다이오드의 제조방법
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제 8 항에 있어서, 상기 광반사 베이스 구조체는 상기 발광 구조체의 모든 측면과 이격하여 배치된 발광다이오드의 제조방법
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제 8 항에 있어서, 상기 광반사층은 Al층, Ag층 또는 그의 합금층인 발광 다이오드의 제조방법
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제 8 항에 있어서, 상기 발광 구조체의 상기 제1 클래드 패턴 및 상기 제2 클래드 패턴과 각각 전기적으로 접속하는 제1 전극 및 제2 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 발광 다이오드의 제조방법
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제 16 항에 있어서, 상기 제1 전극 및 제2 전극은 상기 광반사층을 형성하는 단계에서 형성되는 발광 다이오드의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.