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유연기판,상기 유연기판 상에 형성된 제1전극,상기 제1전극 상에 형성된 유기화합물층, 및상기 유기화합물층 상에 형성된 제2전극을 포함하는 유기 전자소자로서,상기 유연기판과 제1전극 사이에 자외선 반사가 가능한 봉지층이 형성되며,상기 봉지층은 실리콘 화합물을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 전자소자
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유연기판,상기 유연기판 상에 형성된 제1전극,상기 제1전극 상에 형성된 유기화합물층, 및상기 유기화합물층 상에 형성된 제2전극을 포함하는 유기 전자소자로서,상기 유연기판과 제1전극 사이 및 제2전극 상에 자외선 반사가 가능한 봉지층이 형성되며,상기 봉지층은 실리콘 화합물을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 전자소자
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유연기판,상기 유연기판 상에 형성된 제1전극,상기 제1전극 상에 형성된 유기화합물층, 및상기 유기화합물층 상에 형성된 제2전극을 포함하는 유기 전자소자로서,상기 제2전극 상에 자외선 반사가 가능한 봉지층이 형성되며,상기 봉지층은 실리콘 화합물을 포함하여 이루어지는 유기 전자소자
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 봉지층의 두께는 100㎚~10㎛인 유기 전자소자
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 봉지층 굴절률은 1
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 봉지층은 실리콘 질화물과 고분자 재료가 교대로 반복 적층된 유기 전자소자
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 봉지층은 Si 대비 N의 비율이 1
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 봉지층은 1
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 봉지층은 300㎚~450㎚의 파장 범위에서 빛의 반사도가 60% 이상인 유기 전자소자
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 봉지층은 450㎚~800㎚의 파장 범위에서 빛의 투과도가 70% 이상인 유기 전자소자
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 봉지층의 수분 투과율(WVTR)이 5×10-1보다 작은 유기 전자소자
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 유연기판은 PET, PEN, PC, PI, PDMS, PMMA, PUA 및 SU-8 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어진 유기 전자소자
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13
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1전극은 InO, GaO, SnO, ZnO 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어진 유기 전자소자
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14
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제2전극은 Al, Au, Pt, Cu, Ca, Mg 중 선택된 1종 이상으로 이루어진 유기 전자소자
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15
유연기판 상에 제1전극을 형성하는 단계;상기 제1전극 상에 유기화합물층을 형성하는 단계; 및상기 유기화합물층 상에 제2전극을 형성하는 단계;를 포함하는 유기 전자소자의 제조 방법으로,추가로 상기 유연기판과 제1전극 사이 또는 상기 제2전극 상의 어느 일방 또는 양방에 자외선 반사가 가능한 봉지층을 형성하는 단계를 포함하며,상기 봉지층은 실리콘 화합물을 포함하여 이루어지는 유기 전자소자의 제조 방법
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제15항에 있어서,상기 봉지층은 열증착법, 화학기상법, 스핀코팅법, 프린팅법, 바코팅법 및 닥터블레이드법 중에서 선택된 어느 하나 이상의 방법을 통하여 형성되는 유기 전자소자의 제조방법
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