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(1) 티타늄 표면을 HA(hydroxyapatite)로 블라스팅(blasting)하는 단계;(2) HA 블라스팅된 티타늄 표면에 양극산화로 나노튜브 TiO2 코팅층을 형성시키는 단계; 및(3) 나노튜브 TiO2 코팅층이 형성된 티타늄 표면에 RF 마그네트론 스퍼터링(RF magnetron sputtering)으로 HA 코팅층을 형성시키는 단계를 포함하며,상기 단계 (3)의 RF 마그네트론 스퍼터링은,(3-1) 스퍼터 챔버를 배기시켜 1×10-5 Torr 미만의 기저압에서 1×10-2 Torr가 될 때까지 고순도 아르곤으로 충전시키는 단계;(3-2) 나노튜브 TiO2 코팅층이 형성된 티타늄 기재 표면을 스퍼터 세정하는 단계;(3-3) HA 분말이 있는 구리 디스크 타겟을 스퍼터 세정하는 단계; 및(3-4) 200W에서 1 내지 15분 동안 침착시키는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 티타늄 표면 코팅 방법
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제 1항에 있어서,상기 단계 (1)과 단계 (2) 사이에 세척, 헹굼 및 건조 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 티타늄 표면 코팅 방법
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제 2항에 있어서,상기 세척은 초음파 세척인 것을 특징으로 하는 티타늄 표면 코팅 방법
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제 2항에 있어서,상기 세척은 아세톤 및 에탄올의 존재하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 티타늄 표면 코팅 방법
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제 2항에 있어서,상기 세척은 5~15분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 티타늄 표면 코팅 방법
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제 2항에 있어서, 상기 헹굼은 증류수를 이용하여 20~40분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 티타늄 표면 코팅 방법
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제 1항에 있어서,상기 단계 (2)의 양극산화는 HA 블라스팅된 티타늄을 양극(anode)으로 사용하고 백금판을 음극(cathod)로 사용하는 것을 특징으로 하는 티타늄 표면 코팅 방법
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제 7항에 있어서, 상기 양극과 음극의 거리는 10mm인 것을 특징으로 하는 티타늄 표면 코팅 방법
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제 1항에 있어서,상기 단계 (2)의 양극산화는 1
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제 1항에 있어서,상기 단계 (2)의 양극산화는 실온에서 10분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 티타늄 표면 코팅 방법
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제 1항에 있어서,상기 단계 (2)의 양극산화는 20V의 직류 전압하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 티타늄 표면 코팅 방법
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제 1항에 있어서,상기 단계 (2)와 단계 (3) 사이에 세척 및 건조 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 티타늄 표면 코팅 방법
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제 13항에 있어서,상기 세척은 증류수를 사용하는 것을 특징으로 하는 티타늄 표면 코팅 방법
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제 13항에 있어서,상기 세척은 10~30분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 티타늄 표면 코팅 방법
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제 13항에 있어서,상기 건조는 100~200℃의 조건에서 수행되는 것을 특징으로 하는 티타늄 표면 코팅 방법
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제 1항에 있어서,상기 단계 (3)의 RF 마그네트론 스퍼터링에 사용된 타겟은 HA 분말이 있는 구리 디스크인 것을 특징으로 하는 티타늄 표면 코팅 방법
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제 1항에 있어서,상기 단계 (3-3)의 스퍼터 세정은 1kV 직류전압 바이어스로 30분 동안 수행하는 것을 특징으로 하는 티타늄 표면 코팅 방법
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제 1항에 있어서,상기 단계 (3-4)의 침착은 5×10-3 mbar의 아르곤의 존재하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 티타늄 표면 코팅 방법
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제 1항에 있어서,상기 단계 (3-4)의 침착은 100mm의 기재-타겟 거리로 실온에서 제자리(in situ) 침착하는 것을 특징으로 하는 티타늄 표면 코팅 방법
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