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유기발광소자의 보조배선 형성 방법

  • 기술번호 : KST2014061709
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 유기발광소자의 보조배선 형성 방법이 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광소자의 보조배선 형성 방법은 상부면에 제1 전극이 형성된 기판을 마련하고, 상기 제1 전극 상부면에 네가티브 포토레지스트를 도포하는 1단계; 포토리소그래피 공정을 이용하여, 역테이퍼 형상을 가지며 소정 간격 이격되는 한 쌍의 패턴부로 구성되는 제1 배선패턴부 및 제2 배선패턴부가 상기 제1 전극 상부면 양측부에 각각 형성되도록 상기 네가티브 포토레지스트를 노광 및 현상하는 2단계; 상기 제1 전극 상부면에 유기물층을 형성하되, 상기 제1 배선패턴부와 제2 배선패턴부 사이에 존재하는 영역에만 형성하는 3단계; 및 상기 유기물층 상부 영역, 상기 제1 배선패턴부를 이루는 한 쌍의 패턴부 사이의 영역 및 상기 제2 배선패턴부를 이루는 한 쌍의 패턴부 사이의 영역에 금속박막을 동시에 증착함으로써, 상기 유기물층 상부 영역에는 제2 전극을 형성하고 상기 패턴부 사이의 영역에는 보조배선을 각각 형성하는 4단계를 포함한다.
Int. CL H01L 51/52 (2006.01) H01L 51/56 (2006.01)
CPC H01L 51/52(2013.01) H01L 51/52(2013.01) H01L 51/52(2013.01) H01L 51/52(2013.01)
출원번호/일자 1020120111966 (2012.10.09)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-1381738-0000 (2014.03.31)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140407) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.10.09)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김미영 대한민국 전북 전주시 완산구
2 이승현 대한민국 전북 전주시 덕진구
3 신진국 대한민국 서울 강남구
4 이범주 대한민국 경기 성남시 분당구
5 김일구 대한민국 전북 전주시 완산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남충우 대한민국 서울 강남구 언주로 ***, *층(역삼동, 광진빌딩)(알렉스국제특허법률사무소)
2 노철호 대한민국 경기도 성남시 분당구 판교역로 ***, 에스동 ***호(삼평동,에이치스퀘어)(특허법인도담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전자부품연구원 경기도 성남시 분당구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.10.09 수리 (Accepted) 1-1-2012-0819302-77
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.10.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.11.14 수리 (Accepted) 9-1-2013-0095925-17
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.12.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0866429-38
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.02.12 수리 (Accepted) 1-1-2014-0138301-61
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.02.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0138323-65
8 등록결정서
Decision to grant		 2014.03.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0199270-43
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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상부면에 제1 전극이 형성된 기판을 마련하고, 상기 제1 전극 상부면에 네가티브 포토레지스트를 도포하는 1단계;포토리소그래피 공정을 이용하여, 역테이퍼 형상을 가지며 소정 간격 이격되는 한 쌍의 패턴부로 구성되는 제1 배선패턴부 및 제2 배선패턴부가 상기 제1 전극 상부면 양측부에 각각 형성되도록 상기 네가티브 포토레지스트를 노광 및 현상하는 2단계;상기 제1 전극 상부면에 유기물층을 형성하되, 상기 제1 배선패턴부와 제2 배선패턴부 사이에 존재하는 영역에만 형성하는 3단계; 및상기 유기물층 상부 영역, 상기 제1 배선패턴부를 이루는 한 쌍의 패턴부 사이의 영역 및 상기 제2 배선패턴부를 이루는 한 쌍의 패턴부 사이의 영역에 금속박막을 동시에 증착함으로써, 상기 유기물층 상부 영역에는 제2 전극을 형성하고 상기 패턴부 사이의 영역에는 보조배선을 각각 형성하는 4단계를 포함하는 유기발광소자의 보조배선 형성 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 제1 전극은 ITO(Indium tin oxide), FTO(fluorine doped tin oxide), AZO(aluminum doped zink oxide), IZO(indium zink oxide) 또는 GZO(gallium doped ZnO)인 유기발광소자의 보조배선 형성 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 금속박막은 상기 제1 전극보다 낮은 일함수를 갖는 금속으로 형성되는 것으로, 금, 은, 알루미늄, 칼슘, 마그네슘, 바륨, 몰리브덴 및 Al로 이루어진 군에서 선택되는 금속 또는 이들의 합금인 유기발광소자의 보조배선 형성 방법
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청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,상기 유기물층 상부에 증착되는 금속박막은 상기 유기물층의 면적보다 작은 크기로 형성되는 유기발광소자의 보조배선 형성 방법
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청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 따른 유기발광소자의 보조배선 형성 방법으로 제조되는 유기발광소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.