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야금학적 공정을 이용한 태양전지용 실리콘 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014061735
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에서는 금속급 실리콘과 태양전지급 폴리실리콘을 통합 일괄적으로 제조하기 위하여, 아크를 이용하여 규석광과 카본 블랙을 이용한 실리콘 환원 분위기에서 C와 CO를 제거하며 금속급 실리콘을 제조하는 아크로 환원 단계, 슬래그를 이용하여 인(P)와 붕소(B)를 제거하는 슬래그 정련 단계, 일방향 응고법으로 금속 불순물(Fe, Al, Ti, Mn 등)을 제거하는 일방향 응고 정련 단계, 일방향 응고된 실리콘을 도가니에 장입하고 스팀 플라즈마 토치로 붕소(B)를 제거하는 스팀 플라즈마-전자기 연속 정련 단계로 이루어진다.
Int. CL C07C 29/74 (2006.01) C07C 31/18 (2006.01) B01J 19/12 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020120017583 (2012.02.21)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자 10-1323191-0000 (2013.10.23)
공개번호/일자 10-2013-0096062 (2013.08.29) 문서열기
공고번호/일자 (20131030) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.02.21)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 문병문 대한민국 서울 구로구
2 류태우 대한민국 서울 서초구
3 박동호 대한민국 경기 안성시
4 구현진 대한민국 경기 시흥시 함송로**번길 **
5 김강준 대한민국 경기 부천시 원미구
6 장은수 대한민국 전북 익산시 하나로**길 **
7 이상욱 대한민국 충청남도 아산시 음봉

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인세신 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 *** (가산동, 월드메르디앙벤처센터II)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 대한민국(산업통상자원부장관) 세종특별자치시 한누리대
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.02.21 수리 (Accepted) 1-1-2012-0140603-78
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.02 수리 (Accepted) 4-1-2012-5068733-13
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090658-47
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2013-5017806-08
5 등록결정서
Decision to grant		 2013.10.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0696674-19
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘 원료를 아크 용융로에 장입하고 탄소를 이용하여 실리콘을 환원하는 아크로 환원 단계;상기 아크 용융로에서 환원된 실리콘을 연속적으로 연결된 슬래그 정련 장치에서 슬래그 정련 처리를 하는 슬래그 정련 단계;상기 슬래그 정련 처리된 실리콘을 일방향 응고 정련하는 일방향 응고 정련 단계; 및상기 일방향 응고 정련된 실리콘을 유도코일에 둘러싸인 도가니에 장입하고 용융시키면서 스팀 플라즈마 토치로 처리하는 스팀 플라즈마-전자기 연속 정련 단계를 포함하는 야금학적 공정을 이용한 태양전지용 실리콘의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 슬래그 정련 처리된 용융 상태의 실리콘을 일방향 응고 도가니에 장입하여, 슬래그 정련 단계와 일방향 응고 정련 단계가 연속적으로 이어서 이루어지는 것을 특징으로 하는 야금학적 공정을 이용한 태양전지용 실리콘의 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 일방향 응고 정련 단계는 도가니의 상부, 및 측부의 상하에 각각 가열원이 제공되어, 상기 가열원들이 도가니를 기준으로 수직방향에서 상하로 이동하면서 응고 정련이 이루어지는 것을 특징으로 하는 야금학적 공정을 이용한 태양전지용 실리콘의 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 슬래그 정련 처리 단계에서, 플라즈마 토치에 의해 용융실리콘 내의 인(P) 및 붕소(B)를 제거하는 것을 특징으로 하는 야금학적 공정을 이용한 태양전지용 실리콘의 제조방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 일방향 응고 정련 단계에서 금속 불순물이 제거되는 것을 특징으로 하는 야금학적 공정을 이용한 태양전지용 실리콘의 제조방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 스팀 플라즈마-전자기 연속 정련 단계에서 스팀 플라즈마를 사용하여 용융실리콘 내에서 인(P) 및 붕소(B)를 제거하는 것을 특징으로 하는 야금학적 공정을 이용한 태양전지용 실리콘의 제조방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US09352970 US 미국 FAMILY
2 US20150135770 US 미국 FAMILY
3 WO2013125756 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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1 US2015135770 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US9352970 US 미국 DOCDBFAMILY
3 WO2013125756 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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