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금속배선 사이에 에어갭이 형성되어 있으면서, 금속배선과 이와 인접한 절연막 사이에는 에어갭이 없는 반도체 소자의 제조방법에 있어서,기판 상에 질화막 및 제1 절연막을 순서대로 형성하는 단계(단계 1);상기 제1 절연막 상에 포토레지스트 물질을 도포한 후 패터닝하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계(단계 2);상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 제1 절연막을 식각하여 트렌치를 형성하고, 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계(단계 3);상기 트렌치 내벽 및 제1 절연막 상에 배리어 막을 형성하는 단계(단계 4);상기 배리어 막 상에 제1 금속을 증착하여 금속막을 형성하는 단계(단계 5);상기 금속막을 평탄화하여 금속배선을 형성하는 단계(단계 6);상기 금속배선 상에 제2 금속을 도금하여 금속 피복층을 형성하는 단계(단계 7);습식각 방법을 이용하여 상기 제1 절연막을 제거하는 단계(단계 8); 및플라즈마 화학기상 증착(PECVD, plasma enhanced CVD)을 이용하여 제2 절연막을 증착하는 단계(단계 9)를 포함하며,상기 단계 7에서 상기 금속 피복층의 일부는 제1 절연막 상에 피복되며,상기 단계 9에서 상기 금속 피복층의 형상으로 인해 금속배선 상부 부분이 막혀 금속배선 사이에 에어갭이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 단계 1은 플라즈마 화학기상 증착(PECVD) 방법을 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 단계 4는 물리적 증기 증착(physical vapor deposition, PVD), 원자층증착(atomic layer deposition, ALD) 및 화학기상증착(chemical vapor deposition, CVD)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 방법을 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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제4항에 있어서, 상기 배리어 막은 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 질화티타늄(TiN), 질화탄탈륨(TaN), TiSiN, TaSiN 및 WN으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 단계 5는 무전해도금 및 전해도금으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 방법을 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 금속은 구리, 구리화합물 및 은으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 금속막을 평탄화는 화학적 기계적 연마(CMP) 및 습식각으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 방법을 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 금속 피복층은 무전해 도금 공정을 이용하는 것을 특징으로하는 반도체 소자 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 제2 금속은 CoWP, CoWB, CoWPB, CoNiP, CoNiB, CoWNiP, CoWNiB 및 CoWNiPB로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 물질을 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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제1항에 있어서, 습식각 공정을 이용한 상기 제1 절연막의 제거는 불산희석액(DHF, diluted HF) 및 버퍼 산화물 식각용 화학용액(BOE, buffer oxide etchant) 로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 용액을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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제11항에 있어서, 상기 불산희석액(DHF)은 불산(HF) 및 물(H2O)의 혼합비율이 1:200 내지 1:20인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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제11항에 있어서, 상기 버퍼 산화물 식각용 화학용액(BOE)은 불산(HF) 및 불화암모늄(NH4F)의 혼합비율이 200:1 내지 50:1인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 제2 절연막은 CDO(carbon doped oxide) 및 FDO (Fluorine doped oxide)의 저유전막으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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제14항에 있어서, 상기 저유전막은 2
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제1항 및 제3항 내지 제15항 중 어느 한 항의 제조방법으로 제조되고,금속배선 사이에 에어갭이 형성되어 있으면서, 금속배선과 이와 인접한 절연막 사이에는 에어갭이 없는 반도체 소자
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