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친수성 기판 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;상기 포토레지스트 패턴이 형성된 기판 상에 소수성 자기조립단분자막을 형성하는 단계;상기 포토레지스트 패턴을 제거하여 자기조립단분자막 패턴을 형성하는 단계;상기 자기조립단분자막 패턴이 형성된 기판 상에 디웨팅 용액을 도포하고, 제1 디웨팅에 의하여 상기 자기조립단분자막 패턴 사이의 친수성 표면 상에만 상기 디웨팅 용액을 도포하는 단계; 및상기 친수성 표면 상에만 덮인 디웨팅 용액을 건조시키고, 제2 디웨팅에 의하여 상기 디웨팅 용액의 모서리로 상기 디웨팅 용액이 흘러가 경화되어 상기 디웨팅 용액의 용질만 잔류시키는 단계를 포함하는 미세구조 패턴 형성방법
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친수성 기판 상에 소수성 자기조립단분자막 패턴을 형성하는 단계;상기 자기조립단분자막 패턴 사이의 친수성 기판 상에 디웨팅 용액을 도포하는 단계; 및상기 디웨팅 용액에 대한 건조를 통해 상기 디웨팅 용액의 용질을 상기 자기조립단분자막 패턴에 접하는 부위에만 형성하는 단계를 포함하는 미세구조 패턴 형성방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 친수성 기판은 Ag, Au, Cu, Pd, Ti, Si, SiO2, Al2O3 또는 ITO를 포함하는 미세구조 패턴 형성방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 자기조립단분자는 반응기로서 실란기 또는 티올기를 구비하는 미세구조 패턴 형성방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 자기조립단분자는 OTS 또는 HDT인 미세구조 패턴 형성방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 디웨팅 용액의 용질은 TIPS-pentacene, 고분자, 바이오물질 또는 금속 나노입자를 포함하는 미세구조 패턴 형성방법
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제6항에 있어서,상기 고분자는 PMMA, PVA, PS, PVP, P3HT, PQT-12 및 F8T2로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 어느 하나인 미세구조 패턴 형성방법
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제6항에 있어서,상기 바이오물질은 핵산, 세포, 바이러스 및 단백질로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 어느 하나인 미세구조 패턴 형성방법
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제6항에 있어서,상기 금속 나노입자는 Ag, Au, Cu, Pd 및 Ti로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 어느 하나인 미세구조 패턴 형성방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 친수성 표면 상에만 덮인 디웨팅 용액을 건조시키는 단계는 상온에서 건조시키는 것을 특징으로 하는 미세구조 패턴 형성방법
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