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제1 전극, 제2 전극 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치되는 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기전자소자에 있어서, 상기 유기물층은 정공수송층을 포함하고, 상기 정공수송층은 금속산화물전구체와, 상기 금속산화물 전구체를 p-도핑시키는 유기산이 혼합된 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기전자소자
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청구항 1에 있어서, 상기 금속산화물 전구체는 바나듐 산화물 전구체, 니켈 산화물 전구체, 몰리브덴 산화물 전구체 및 텅스텐 산화물 전구체로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 유기전자소자
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청구항 2에 있어서, 상기 바나듐 산화물 전구체는 바나듐 이소(이소프로폭사이드)인 것을 특징으로 하는 유기전자소자
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청구항 2에 있어서, 상기 유기산은 폴리스티렌설폰산(poly(styrenesulfonic acid))이거나, 캄포설폰산, 카르복시산 또는 설폰산을 포함하는 유기산인 것을 특징으로 하는 유기전자소자
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기판 위에 제1 전극을 형성하는 단계;상기 제1 전극 상에 전자수송층을 형성하는 단계;상기 전자수송층 상에 광활성층을 형성하는 단계;상기 광활성층 상에 금속산화물 전구체에 유기산이 혼합된 물질로 정공수송층을 형성하되, 상기 금속산화물 전구체에 유기산이 혼합된 물질을 통해 상기 광활성층을 도핑하는 단계; 및상기 정공수송층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전자소자 제조방법
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청구항 5에 있어서, 상기 금속산화물 전구체는 바나듐 산화물 전구체, 바나듐 이소(이소프로폭사이드), 니켈 산화물 전구체, 몰리브덴 산화물 전구체 및 텅스텐 산화물 전구체로 이루어진 군에서 선택되고,상기 유기산은 폴리스티렌설폰산(poly(styrenesulfonic acid))이거나, 캄포설폰산, 카르복시산 또는 설폰산을 포함하는 유기산인 것을 특징으로 하는 유기전자소자 제조방법
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기판 위에 제1 전극을 형성하는 단계;상기 제1 전극 상에 금속산화물 전구체에 유기산이 혼합된 물질로 정공수송층을 형성하는 단계;상기 정공수송층 상에 광활성층을 형성하되, 상기 금속산화물 전구체에 유기산이 혼합된 물질을 통해 상기 광활성층을 도핑하여 형성하는 단계;상기 광활성층 상에 전자수송층을 형성하는 단계; 및상기 전자수송층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전자소자 제조방법
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청구항 7에 있어서, 상기 금속산화물 전구체는 바나듐 산화물 전구체, 바나듐 이소(이소프로폭사이드), 니켈 산화물 전구체, 몰리브덴 산화물 전구체 및 텅스텐 산화물 전구체로 이루어진 군에서 선택되고,상기 유기산은 폴리스티렌설폰산(poly(styrenesulfonic acid))이거나, 캄포설폰산, 카르복시산 또는 설폰산을 포함하는 유기산인 것을 특징으로 하는 유기전자소자 제조방법
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