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투명 반도체 장치로서:게이트 전극;상기 게이트 전극 상면에 배치된 게이트 절연막;상기 게이트 절연막 상면에 배치된 활성층;상기 활성층 상면에 배치된 소스 전극 및 드레인 전극;을 포함하고,상기 게이트 전극, 상기 게이트 절연막, 및 상기 활성층은 투명성 물질로 이루어지고, 상기 게이트 전극, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 중의 하나 이상은 격자 무늬형으로 형성된 것인,투명 반도체 장치
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청구항 1에 있어서,상기 게이트 전극은 불소가 도핑된 산화주석(FTO)막 또는 금속 격자이고,상기 게이트 절연막과 상기 활성층은 실록산 기반 SOG막과 아연-주석산화물(ZTO)인,투명 반도체 장치
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청구항 1에 있어서,상기 격자 무늬형의 상기 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극은 전도성 금속물질로 형성된 것인,투명 반도체 장치
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투명 반도체 장치 제조방법으로서:게이트 전극을 준비하는 단계;상기 게이트 전극 상에 게이트 절연막을 코팅 형성하는 단계;상기 게이트 절연막 상면에 활성층을 코팅 형성하는 단계; 및상기 활성층 상면에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극 중 하나 이상은 각각 격자 무늬형의 금속으로 형성되는 것인,투명 반도체 장치 제조방법
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청구항 4에 있어서,상기 게이트 전극은 불소가 도핑된 산화주석(FTO)막, 또는 금속격자로 이루어진 것인,투명 반도체 장치 제조방법
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청구항 4에 있어서,상기 게이트 절연막은 메틸 실록산 기반 SOG막인 것인,투명 반도체 장치 제조방법
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청구항 4에 있어서,상기 활성층은 아연-주석산화물(ZTO)인 것인,투명 반도체 장치 제조방법
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청구항 4에 있어서, 상기 게이트 전극, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극의 형성은:(가) 기판 상에 격자무늬형의 트렌치홈을 가지는 템플릿을 형성하는 단계;(나) 상기 템플릿 상에 적어도 상기 트렌치홈을 매립하도록 전도성 물질을 배치하는 단계; 및(다) 상기 트렌치홈에 매립된 전도성 물질을 남기고 상기 템플릿 및 상기 템플릿 상의 전도성 물질을 제거하는 단계;를 포함하는,투명 반도체 장치 제조방법
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청구항 8에 있어서,상기 단계 (나)의 상기 전도성 물질은 금속 나노파티클 용액 또는 금속을 포함하는 용액인,투명 반도체 장치 제조방법
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청구항 8에 있어서,상기 단계 (나)와 상기 단계 (다) 사이에 상기 전도성 물질에 열을 가하여 솔벤트를 제거하는 과정을 더 포함하는 것인,투명 반도체 장치 제조방법
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청구항 8에 있어서,상기 남겨진 전도성 물질을 소결하는 단계를 더 포함하는 것인,투명 반도체 장치 제조방법
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청구항 8에 있어서, 상기 단계 (가)에서 상기 템플릿의 형성은:투명 기판 상면에 폴리머 물질층을 스핀코팅하는 단계; 및격자 스탬프를 이용하여 폴리머 물질층에 격자형 트렌치홈을 형성하는 단계;를 포함하는,투명 반도체 장치 제조방법
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