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상호셀렌화를 이용한 CIGS 광흡수층 제조방법

  • 기술번호 : KST2014061943
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 상호-셀렌화를 이용하여 CIGS 광흡수층을 제조하는 방법에 관한 것으로서, 제1 기판 및 제2 기판 상에 구리, 인듐, 갈륨 및 셀레늄이 순차적으로 적층된 박막층을 각각 형성하는 단계; 상기 각각의 박막층이 서로 대향하도록, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판을 상접시키는 단계; 상기 상접된 제1 기판 및 제2 기판을 가열 및 압착하는 단계; 및 상기 가열 및 압착된 제1 기판 및 제2 기판을 분리하는 단계를 포함하는 CIGS 광흡수층 제조방법을 제공한다. 본 발명의 CIGS 광흡수층 제조방법에 의하면, 셀렌화 공정 시 외부에서 셀레늄 소스를 공급해 줄 필요가 없고, 종래의 셀렌화 공정에 비하여 셀레늄이 기화되어 손실되는 비율이 감소하는 효과가 있는 바, 보다 안전하고 저렴하면서도 보다 효율적으로 CIGS 광흡수층을 제조할 수 있는 장점이 있다.
Int. CL H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/0749 (2012.01)
CPC H01L 31/0749(2013.01) H01L 31/0749(2013.01) H01L 31/0749(2013.01)
출원번호/일자 1020120086672 (2012.08.08)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-1380766-0000 (2014.03.27)
공개번호/일자 10-2014-0020416 (2014.02.19) 문서열기
공고번호/일자 (20140403) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.08.08)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김원배 대한민국 광주광역시 북구
2 손형진 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.08.08 수리 (Accepted) 1-1-2012-0633490-24
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.10.02 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.11.14 수리 (Accepted) 9-1-2013-0096103-72
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0796579-03
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.01.10 수리 (Accepted) 1-1-2014-0026471-65
6 등록결정서
Decision to grant		 2014.03.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0209790-53
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 기판 및 제2 기판 상에 구리, 인듐, 갈륨 및 셀레늄이 순차적으로 적층된 박막층을 각각 형성하는 단계;상기 각각의 박막층이 서로 대향하도록, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판을 상접시키는 단계;상기 상접된 제1 기판 및 제2 기판을 가열 및 압착하는 단계; 및상기 가열 및 압착된 제1 기판 및 제2 기판을 분리하는 단계를 포함하는 CIGS 광흡수층 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 박막층은 진공법 또는 비진공법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 CIGS 광흡수층 제조방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 진공법은 동시증발법(co-evaporation) 또는 스퍼터링법(sputtering)인 것을 특징으로 하는 CIGS 광흡수층 제조방법
4 4
제2항에 있어서, 상기 비진공법은 전기도금법(electrodeposition)인 것을 특징으로 하는 CIGS 광흡수층 제조방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 상접시키는 단계에 의하여 상기 박막층의 셀레늄이 상접되는 것을 특징으로 하는 CIGS 광흡수층 제조방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 가열은 셀레늄의 기화가 가능한 온도까지 열을 가함으로서 수행되는 것을 특징으로 하는 CIGS 광흡수층 제조방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 셀레늄의 기화가 가능한 온도는 250 ℃ 내지 700 ℃인 것을 특징으로 하는 CIGS 광흡수층 제조방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 압착은 10 ㎏f/㎠ 내지 50 ㎏f/㎠의 압력을 가함으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 CIGS 광흡수층 제조방법
9 9
제1항에 있어서, 상기 분리에 의하여 두 개의 셀렌화된 CIGS 광흡수층이 수득되는 것을 특징으로 하는 CIGS 광흡수층 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.