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상압 플라즈마 중합 반응기 내에 소수성 고분자 박막을 위치시키는 단계;상기 상압 플라즈마 중합 반응기 내에 탄화수소 화합물을 포함하는 제 1 반응가스를 공급하여 상기 소수성 고분자 박막 상에 소수성 고분자 확산방지층을 플라즈마 증착하는 단계; 및상기 상압 플라즈마 중합 반응기 내에 TEOS, TMDSO, DVTMDSO, MTMOS 및 OMCATS 중에서 선택되는 적어도 하나의 반응물질을 기화시킨 후, 이를 산소와 혼합한 가스를 공급하여 상기 소수성 고분자 확산방지층 상에 친수성 SiOx층을 플라즈마 증착하는 단계를 포함하는 소수성 고분자 박막의 표면 개질 방법
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제1항에 있어서,상기 소수성 고분자 박막은 PDMS, PS, PMMA, PVDF, PSF, PES, PEI, PET, PI, PE, PP 및 PC 중에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 소수성 고분자 박막의 표면 개질 방법
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제1항에 있어서,상기 탄화수소 화합물을 포함하는 제 1 반응가스는 CH4, C2H4, C2H6, C3H8 및 C2H2 중에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 플라즈마 가스인 것을 특징으로 하는 소수성 고분자 박막의 표면 개질 방법
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제1항에 있어서,상기 탄화수소 화합물을 포함하는 제 1 반응가스 또는 TEOS, TMDSO, DVTMDSO, MTMOS 및 OMCATS 중에서 선택되는 적어도 하나의 반응물질을 기화시킨 후, 이를 산소와 혼합한 가스는,캐리어 가스와 함께 공급되는 것을 특징으로 하는 소수성 고분자 박막의 표면 개질 방법
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제6항에 있어서,상기 캐리어 가스의 유량은 1slm ∼ 20slm 인 것을 특징으로 하는 소수성 고분자 박막의 표면 개질 방법
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제1항에 있어서,상기 탄화수소 화합물을 포함하는 제 1 반응 가스의 유량은 10sccm ∼ 200sccm 인 것을 특징으로 하는 소수성 고분자 박막의 표면 개질 방법
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제1항에 있어서,상기 TEOS, TMDSO, DVTMDSO, MTMOS 및 OMCATS 중에서 선택되는 적어도 하나의 반응물질을 기화시킨 후, 이를 산소와 혼합한 가스의 유량은 20sccm ∼ 300sccm 인 것을 특징으로 하는 소수성 고분자 박막의 표면 개질 방법
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