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CIGS 박막 태양전지의 제조를 위한 공정 대상물을 연속적으로 이송시키는 대상물 이송부;이송 중인 상기 공정 대상물에 CIGS 박막 제조 공정을 수행하는 박막 제조 공정부;상기 박막 제조 공정부에 의하여 제조된 CIGS 박막에 레이저 빔을 조사하는 하나 이상의 레이저 조사부와 상기 조사된 레이저 빔에 의하여 CIGS 박막으로부터 발생된 플라즈마에서 분광을 검출하는 하나 이상의 분광 검출 광학부를 포함하는 하나 이상의 헤더;상기 대상물의 이송 경로에 결합되고, 상기 박막 제조 공정부에 의하여 제조된 CIGS 박막의 이동속도 및 이동방향과 동일한 속도 및 방향으로 상기 헤더를 이동시키는 헤더 이송부;각 물질별로 분광 상태 정보가 저장된 분광 정보 저장부;상기 분광 검출 광학부에 전기적으로 연결되며, 상기 분광 정보 저장부에 저장된 정보를 기반으로, 상기 분광 검출 광학부에 의해 검출된 분광으로부터 상기 CIGS 박막 내 물질 분포 상태를 분석하는 분광 분석부;상기 분광 분석부에 전기적으로 연결되며, 상기 분광 분석부에 의하여 분석된 CIGS 박막 내 물질 분포 상태를 기초로 상기 박막 제조 공정부를 제어하는 공정 제어부; 및상기 박막 제조 공정부에 의하여 제조된 CIGS 박막을 패터닝(patterning)하는 스크라이빙(scribing)부를 포함하는 CIGS 박막 태양전지 제조 공정 시스템
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제1항에 있어서, 상기 레이저 조사부는 레이저부 및 자동초점화부로 구성되는 CIGS 박막 태양전지 제조 공정 시스템
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CIGS 박막 태양전지의 제조를 위한 공정 대상물을 연속적으로 이송시키는 대상물 이송부;이송 중인 상기 공정 대상물에 CIGS 박막 제조 공정을 수행하는 박막 제조 공정부;상기 박막 제조 공정부에 의하여 제조된 CIGS 박막을 패터닝(patterning)하기 위해 레이저 빔을 조사하는 하나 이상의 스크라이빙(scribing)용 레이저 조사부와 상기 조사된 레이저 빔에 의하여 CIGS 박막으로부터 발생된 플라즈마에서 분광을 검출하는 하나 이상의 분광 검출 광학부를 포함하는 하나 이상의 헤더;상기 대상물의 이송 경로에 결합되고, 상기 박막 제조 공정부에 의하여 제조된 CIGS 박막의 이동속도 및 이동방향과 동일한 속도 및 방향으로 상기 헤더를 이동시키는 헤더 이송부;각 물질별로 분광 상태 정보가 저장된 분광 정보 저장부;상기 분광 정보 저장부에 저장된 정보를 기반으로, 상기 분광 검출 광학부에 의해 검출된 분광으로부터 상기 CIGS 박막 내 물질 분포 상태를 분석하는 분광 분석부; 및상기 분광 분석부에 의하여 분석된 CIGS 박막 내 물질 분포 상태를 기초로 상기 박막 제조 공정부를 제어하는 공정 제어부를 포함하는 CIGS 박막 태양전지 제조 공정 시스템
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제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 CIGS 박막 제조 공정은 CIGS 증착 공정인 것인 CIGS 박막 태양전지 제조 공정 시스템
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제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 헤더는 상기 레이저 빔의 조사 위치를 조절하기 위한 빔 조사위치 조절부를 추가적으로 포함하는 CIGS 박막 태양전지 제조 공정 시스템
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제5항에 있어서, 상기 빔 조사위치 조절부는 갈바노메터(galvanometer)인 CIGS 박막 태양전지 제조 공정 시스템
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제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 헤더는 상기 레이저 빔이 조사된 위치를 추적하기 위한 지표를 인식하는 지표 인식 광학부를 추가적으로 포함하는 CIGS 박막 태양전지 제조 공정 시스템
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제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 스크라이빙은 기판 상에 Mo층, CIGS층 및 CdS 버퍼층이 순차 적층된 후, TCO(transparent conductive oxide)층이 추가 적층되기 전에 수행되는 P2 스크라이빙인 CIGS 박막 태양전지 제조 공정 시스템
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제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 제어는 CIGS 박막을 구성하는 원소의 비율 및 분포 값을 수정하여 상기 박막 제조 공정부에 피드백하는 것인 CIGS 박막 태양전지 제조 공정 시스템
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