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전극 형성 방법

  • 기술번호 : KST2014061988
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 전극 형성 방법을 제공한다. 폴리이미드층의 표면 상에 하이드록실(OH)기를 도입한 후, 상기 폴리이미드층 상에 아미노실란 패턴을 형성한다. 상기 아미노실란 패턴이 형성된 기판 상에 shaking-assisted LBL 적층법을 사용하여 GNP층과 EDA층을 반복하여 적층한다. 상기 GNP층과 EDA층의 교호적층체가 형성된 기판을 소결한다.
Int. CL H01B 13/00 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01) G02F 1/1343 (2014.01)
CPC H01B 13/00(2013.01) H01B 13/00(2013.01) H01B 13/00(2013.01) H01B 13/00(2013.01) H01B 13/00(2013.01)
출원번호/일자 1020110108855 (2011.10.24)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-1237849-0000 (2013.02.21)
공개번호/일자 10-2012-0042698 (2012.05.03) 문서열기
공고번호/일자 (20130227) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020100103728   |   2010.10.22
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.10.24)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤태호 대한민국 광주광역시 북구
2 페브지한 바샤르 터어키 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.10.24 수리 (Accepted) 1-1-2011-0832029-22
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.09.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.10.26 수리 (Accepted) 9-1-2012-0081160-89
4 등록결정서
Decision to grant		 2012.12.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0767512-41
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 고분자층을 형성하는 단계;상기 고분자층 상에 아미노실란 패턴을 형성하는 단계;상기 아미노실란 패턴이 형성된 기판을 금 나노 파티클 수용액에 침지하고 흔들어 상기 아미노실란 패턴 상에 금 나노 파티클층을 형성하는 단계;상기 금 나노 파티클층이 형성된 기판을 에틸렌 다이아민 수용액에 침지하고 흔들어 상기 금 나노 파티클층 상에 에틸렌 다이아민층을 형성하는 단계; 및상기 금 나노 파티클층과 상기 에틸렌 다이아민층이 형성된 기판을 소결하는 단계를 포함하고,상기 금 나노 파티클층 및 상기 에틸렌 다이아민층을 형성하는 단계를 교호적으로 반복수행하여 금 나노 파티클층과 에틸렌 다이아민층의 멀티레이어를 형성하는 것을 특징으로 하는 전극 형성 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 기판은 실리콘 기판 또는 유리 기판인 전극 형성 방법
3 3
제1항에 있어서,상기 고분자층은 폴리이미드를 포함하는 전극 형성 방법
4 4
제1항에 있어서,상기 아미노실란 패턴을 형성하는 단계는 마이크로콘택 프린팅, 나노임프린팅 또는 잉크-젯 프린팅을 이용하는 것을 특징으로 하는 전극 형성 방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 아미노실란 패턴을 형성하는 단계는,상기 고분자층의 표면 상에 하이드록실기를 도입하는 단계; 및상기 하이드록실기를 도입한 고분자층 상에 아미노실란이 도포된 패턴된 PDMS 스탬프를 콘택시켜 아미노실란 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 전극 형성 방법
6 6
제1항에 있어서,상기 아미노실란은 3-아미노프로필트라이에톡시실란인 전극 형성 방법
7 7
제1항에 있어서,상기 금 나노 파티클 수용액은 시트레이트로 둘러싸인 금 나노 파티클 수용액인 전극 형성 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.