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기판;상기 기판 상에 서로 이격되어 형성된 소스 전극 및 드레인 전극;상기 소스 전극 및 드레인 전극이 형성된 기판 상에 형성된 반도체층;상기 반도체층 상에 형성된 절연체층;상기 절연체층 상에 형성된 스페이서; 및상기 스페이서 상에 형성된 플렉서블 게이트 전극을 포함하고,상기 절연체층과 상기 플렉서블 게이트 전극이 이격되어 배치된 것이 특징인 트랜지스터 기반의 터치패널
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기판;상기 기판 상에 형성된 반도체층;상기 반도체층 상에 서로 이격되어 형성된 소스 전극 및 드레인 전극;상기 소스 전극 및 드레인 전극이 형성된 반도체층 상에 형성된 절연체층;상기 절연체층 상에 형성된 스페이서; 및상기 스페이서 상에 형성된 플렉서블 게이트 전극을 포함하고,상기 절연체층과 상기 플렉서블 게이트 전극이 이격되어 배치된 것이 특징인 트랜지스터 기반의 터치패널
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 기판은 ITO 또는 IZO를 포함하는 트랜지스터 기반의 터치패널
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극은 IZO, IGZO, Au, Ag, Ni 및 전도성 고분자 중에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 트랜지스터 기반의 터치패널
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 반도체층은 유기 반도체 물질 또는 무기 반도체 물질을 포함하는 트랜지스터 기반의 터치패널
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6
제5항에 있어서,상기 유기 반도체 물질은 LCPBC, 폴리티오펜, 펜타센, 플로렌-비티오펜, P3HT, F8T2, PQT-12, 루테튬 비스프탈로시아닌, 툴륨 비스프탈로시아닌, 테트라시아노퀴노디메탄, C60 또는 C70이고, 상기 무기 반도체 물질은 ZnO, InO, GaO, SnO 또는 IGZO인 트랜지스터 기반의 터치패널
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7
제1항에 또는 제2항에 있어서,상기 절연체층은 유기 절연체 물질 또는 무기 절연체 물질을 포함하는 트랜지스터 기반의 터치패널
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8
제7항에 있어서,상기 유기 절연체 물질은 PMMA, PVP, PVA 또는 PS이고, 상기 무기 절연체 물질은 Al2O3인 트랜지스터 기반의 터치패널
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 플렉서블 게이트 전극은 전도성 금속 산화물 또는 1nm 내지 20nm 두께의 금속 박막을 포함하는 트랜지스터 기반의 터치패널
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10
제9항에 있어서,상기 전도성 금속 산화물은 ITO-PET, IZO 또는 IGZO를 포함하는 트랜지스터 기반의 터치패널
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