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기판 상에 산화아연 씨드층을 형성하는 단계;상기 산화아연 씨드층 상에 상기 씨드층의 일부가 노출되도록 복수의 홀을 구비한 패턴층을 형성하는 단계;상기 노출된 씨드층으로부터 수직 배향된 산화아연 나노로드를 형성하는 단계;상기 산화아연 나노로드의 상단을 음이온성 유기물로 캡핑하는 단계;상기 패턴층을 제거하는 단계;상기 음이온성 유기물로 캡핑된 산화아연 나노로드 상에 산화타이타늄 졸을 코팅한 후 소결하여 산화아연 코어/산화타이타늄 쉘 구조의 나노로드를 형성하는 단계; 및상기 산화타이타늄 쉘의 상단을 플라즈마 식각한 후, 상기 산화아연 코어를 습식 식각하여 산화타이타늄 나노튜브를 형성하는 단계를 포함하는 나노구조체 어레이 기판 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 산화아연 씨드층을 형성하는 단계는,졸겔법 또는 수열합성법을 이용하여 수행하는 나노구조체 어레이 기판 제조방법
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기판 상에 도트형으로 패턴화된 산화아연 씨드층을 형성하는 단계;상기 씨드층으로부터 수직 배향된 산화아연 나노로드를 형성하는 단계;상기 산화아연 나노로드의 상단을 음이온성 유기물로 캡핑하는 단계;상기 음이온성 유기물로 캡핑된 산화아연 나노로드 상에 산화타이타늄 졸을 코팅한 후 소결하여 산화아연 코어/산화타이타늄 쉘 구조의 나노로드를 형성하는 단계; 및상기 산화타이타늄 쉘의 상단을 플라즈마 식각한 후, 상기 산화아연 코어를 습식 식각하여 산화타이타늄 나노튜브를 형성하는 단계를 포함하는 나노구조체 어레이 기판 제조방법
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제3항에 있어서, 상기 산화아연 씨드층을 형성하는 단계는,도트형으로 패턴화된 스탬프 상에 아연층을 형성하는 단계;스탬핑법을 이용하여 상기 아연층을 기판 상에 전사하는 단계; 및상기 전사된 아연층을 산화시키는 단계를 포함하는 나노구조체 어레이 기판 제조방법
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제4항에 있어서,상기 스탬프 및 상기 아연층 사이에 개재된 소수성 자기조립층을 형성하는 단계를 더 포함하는 나노구조체 어레이 기판 제조방법
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제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 산화아연 나노로드를 형성하는 단계는,수열합성법을 이용하여 수행하는 나노구조체 어레이 기판 제조방법
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제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 산화타이타늄 졸의 코팅은,드롭 캐스팅법에 의해 수행하는 나노구조체 어레이 기판 제조방법
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기판: 및상기 기판으로부터 수직 배향되고, 서로 분리된 복수개의 산화금속 나노구조체를 포함하며,상기 산화금속 나노구조체는 산화타이타늄 나노튜브인 것을 특징으로 하는 나노구조체 어레이 기판
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제12항에 있어서,상기 기판은 투명 전도성 기판인 나노구조체 어레이 기판
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제12항에 있어서,상기 산화타이타늄은 아나타제형인 나노구조체 어레이 기판
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제1항 또는 제3항의 방법에 따라 나노구조체 어레이 기판을 제조하는 단계; 및상기 나노구조체 어레이 기판에 포함된 산화타이타늄 나노튜브에 염료를 흡착하는 단계를 포함하는 염료감응 태양전지용 광전극 제조방법
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대향 배치되는 광전극과 상대전극, 및 상기 광전극과 상기 상대전극 사이에 개재된 전해질을 포함하는 염료감응 태양전지에 있어서, 상기 광전극은,투명 전도성 기판;상기 기판으로부터 수직 배향되고, 서로 분리된 복수개의 산화금속 나노구조체; 및상기 산화금속 나노구조체에 흡착된 염료를 포함하고,상기 산화금속 나노구조체는 산화타이타늄 나노튜브인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
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