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탄소나노튜브가 분산된 콜로이드분산용액에 비스무스 아세테이트(Bi acetate)와 비스무스 클로라이드(Bi chloride) 중 어느 하나와 텔루륨 클로라이드(Te chloride)를 포함하는 금속염을 혼합하여 분산하고, 화학적 반응을 위해 추가된 환원제로 금속염을 환원시켜 상기 탄소나노튜브 외측에 비스무스(Bi)와 텔루륨(Te)를 포함하는 나노합금금속이 석출되도록 하여 상기 나노합금금속 내부에 탄소나노튜브가 분산된 복합분말 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 열전재료
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탄소나노튜브가 분산된 콜로이드분산용액에 비스무스 아세테이트(Bi acetate)와 비스무스 클로라이드(Bi chloride) 중 어느 하나와 텔루륨 클로라이드(Te chloride)를 포함하는 금속염을 혼합하여 분산하고, 화학적 반응을 위해 추가된 환원제로 금속염을 환원시켜 상기 탄소나노튜브 외측에 비스무스(Bi)와 텔루륨(Te)를 포함하는 나노합금금속이 석출되도록 하여 상기 나노합금금속 내부에 탄소나노튜브의 일부가 삽입된 복합 분말 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 열전재료
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 탄소나노튜브는 다중벽 구조를 가지며, 10 ~ 20㎚의 지름과, 1 ~ 2㎛의 길이를 갖는 것을 특징으로 하는 열전재료
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제 3 항에 있어서, 상기 탄소나노튜브는 열전재료의 전체 부피에 대하여 최대 5%의 부피분율을 갖는 것을 특징으로 하는 열전재료
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다중벽 구조를 가지며 10 ~ 20㎚의 지름과 1 ~ 2㎛의 길이를 갖는 탄소나노튜브와, 비스무스 아세테이트(Bi acetate)와 비스무스 클로라이드(Bi chloride) 중 어느 하나와 텔루륨 클로라이드(Te chloride)를 포함하는 금속염과, 계면활성제 및 환원제를 준비하는 재료준비단계와,상기 계면활성제에 탄소나노튜브를 혼합하여 제1혼합용액을 조성하는 용액조성단계와,상기 제1혼합용액에 포함된 탄소나노튜브를 분산하여 콜로이드분산용액을 형성하는 제1분산단계와,상기 콜로이드분산용액에 금속염을 혼합하여 제2혼합용액을 조성하는 금속염혼합단계와,상기 제2혼합용액에 초음파를 제공하여 분산하는 제2분산단계와,상기 제2혼합용액에 화학적 반응을 위한 환원제를 혼합하여 금속염을 환원시킴으로써 금속염으로부터 비스무스(Bi)와 텔루륨(Te)를 포함하는 나노합금금속을 석출하는 금속석출단계와,상기 탄소나노튜브의 외면에 나노합금금속을 성장시켜 열전재료를 형성하는 금속성장단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 화학적 공정에 의한 열전재료의 제조방법
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제 6 항에 있어서, 상기 금속성장단계는 180℃에서 2시간 동안 실시됨을 특징으로 하는 화학적 공정에 의한 열전재료의 제조방법
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제 7 항에 있어서, 상기 제1분산단계의 계면활성제는 Oleylamine과 Trioctylphosphine이 적용됨을 특징으로 하는 화학적 공정에 의한 열전재료의 제조방법
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제 8 항에 있어서, 상기 금속성장단계는,상기 열전재료의 전체 부피에 대하여 탄소나노튜브의 부피분율이 최대 5%가 되도록 하는 과정임을 특징으로 하는 화학적 공정에 의한 열전재료의 제조방법
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제 9 항에 있어서, 상기 금속성장단계는,상기 나노합금금속 내부에 탄소나노튜브가 수용된 상태를 갖도록 하는 과정임을 특징으로 하는 화학적 공정에 의한 열전재료의 제조방법
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제 9 항에 있어서, 상기 금속성장단계는,상기 나노합금금속 내부에 탄소나노튜브의 일부가 수용된 상태를 갖도록 하는 과정임을 특징으로 하는 화학적 공정에 의한 열전재료의 제조방법
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