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기판과 원통 형상의 회전 전극 사이에 반응 기체를 유입하는 단계;상기 기판과 상기 회전 전극 사이에 플라즈마를 발생시켜, 상기 기판과 상기 회전 전극 사이에서 상기 반응 기체의 화학적 반응을 유도하는 단계; 및상기 회전 전극을 회전시키면서 상기 회전 전극에 대해서 상대적으로 상기 기판을 이동시켜, 상기 기판 상에 적어도 한 층의 결정질층과 적어도 한 층의 비정질층을 교차로 적층하는 단계를 포함하며, 상기 교차로 적층하는 단계는, 상기 기판을 한 쌍의 롤들 사이에서 롤투롤 방식으로 연속적으로 회전시켜 상기 기판 상에 복수의 결정질층들과 복수의 비정질층들을 교차로 적층하는 단계를 포함하는, 혼합 구조의 박막 형성방법
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제 1 항에 있어서, 상기 교차로 적층하는 단계는 상기 기판을 일방향으로 한번 스캔시마다 적어도 한 층의 결정질층과 적어도 한 층의 비정질층을 교차로 적층하는 단계를 포함하는, 혼합 구조의 박막 형성방법
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제 1 항에 있어서, 상기 교차로 적층하는 단계는, 상기 회전 전극에 대해서 상대적으로 상기 기판을 적어도 한 번 왕복 스캔하여 수행하는, 혼합 구조의 박막 형성방법
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제 1 항에 있어서, 상기 유입하는 단계에서 상기 기판 상에 복수의 회전 전극들이 배치되고,상기 교차로 적층하는 단계는, 상기 기판을 상기 복수의 회전 전극들을 지나도록 연속적으로 이동시켜 수행하는, 혼합 구조의 박막 형성방법
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제 1 항에 있어서, 상기 기판은 상기 한 쌍의 롤들 사이를 연속적으로 회전하는 벨트 위에 배치되고 상기 벨트의 외측에는 상하로 한 쌍의 회전 전극들이 배치되고,상기 반응 기체의 화학적 반응을 유도하는 단계는, 상기 한 쌍의 회전 전극들과 상기 기판 사이에 플라즈마를 발생시켜 수행하는, 혼합 구조의 박막 형성방법
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제 1 항에 있어서, 상기 반응 기체는 실리콘 소스 기체를 포함하고, 상기 결정질층은 실리콘 결정질층을 포함하고 상기 비정질층은 실리콘 비정질층을 포함하는, 혼합 구조의 박막 형성방법
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화학기상증착(CVD) 장치 내의 기판과 원통 형상의 회전 전극 사이에 반응 기체를 유입하는 단계;상기 기판과 상기 회전 전극 사이에 플라즈마를 발생시켜, 상기 기판과 상기 회전 전극 사이의 상기 반응 기체의 화학적 반응을 유도하는 단계; 및상기 회전 전극을 회전시키면서 상기 회전 전극에 대해서 상대적으로 상기 기판을 제 1 속도로 이동시켜 상기 기판 상에 미세 결정들을 포함하는 비정질층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 제 1 속도는 상기 기판 상에 적어도 한 층의 비정질층과 적어도 한 층의 결정질층이 교차로 적층되게 하는 상기 기판의 이동 속도인 제 2 속도보다 큰, 혼합 구조의 박막 형성방법
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제 9 항에 있어서, 상기 반응 기체는 실리콘 소스 기체를 포함하고, 상기 미세 결정은 실리콘 미세 결정을 포함하고 상기 비정질층은 실리콘 비정질층을 포함하는, 혼합 구조의 박막 형성방법
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