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CVD 장치를 이용한 고순도 실리콘의 대량 생산 방법으로서, (a) CVD 반응용기 내에 정제하고자 하는 원료 실리콘으로 제조한 원료전극과, 상기 원료전극과 소정 거리를 두고 이격되게 실리콘 코어 필라멘트를 배치하는 단계;(b) 상기 CVD 반응용기 내에 불순물 농도가 1ppb 미만인 수소 가스와 불활성 가스를 주입하는 단계; 및 (c) 상기 원료전극을 냉각시키고 상기 실리콘 코어 필라멘트를 가열시키며, 상기 원료전극에 전원을 인가하여 상기 원료전극과 실리콘 코어 필라멘트 사이에 수소 플라즈마를 형성시키는 단계를 포함하며, 상기 (c) 단계에서 생성된 수소 플라즈마는 상기 냉각된 원료전극으로부터 실란을 형성하고 형성된 실란은 상기 가열된 실리콘 코어 필라멘트 상에서 분해되어 고순도 실리콘을 형성하는 것을 특징으로 하는 방법
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제 1 항에 있어서,상기 (a) 단계에 있어서, 상기 원료전극의 외주부에 2 이상의 실리콘 코어 필라멘트를 방사상으로 배치하는 것을 특징으로 하는 방법
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제 1 항에 있어서,상기 (b) 단계에 있어서, 상기 반응용기 내부의 압력은 100 ~ 750 Torr로 유지되는 것을 특징으로 하는 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 (c) 단계에 있어서, 상기 실리콘 코어 필라멘트 또는 원료전극의 이동을 통해 상기 실리콘 코어 필라멘트와 원료전극 간의 거리가 소정 거리를 유지할 수 있도록 하는 것을 특징으로 하는 방법
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제 1 항에 있어서,상기 (c) 단계에 있어서, 상기 원료전극에의 전원 인가는 RF 또는 VHF (13
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제 1 항에 있어서, 상기 (c) 단계에 있어서, 상기 원료전극의 회전 속도는 100 ~ 3000rpm로 유지하고, 상기 실리콘 코어 필라멘트의 회전 속도는 1 ~ 1000 rpm로 유지하는 것을 특징으로 하는 방법
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제 1 항에 있어서,상기 원료전극의 내부에는 냉매가 흐르는 냉매관이 형성되어 있어, 냉매를 이용하여 냉각될 수 있도록 되어 있는 것을 특징으로 하는 방법
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제 1 항에 있어서,상기 원료 실리콘은 금속급 실리콘(MG-Si)인 것을 특징으로 하는 방법
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